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[期刊论文] 作者：张廷庆,,
来源：电子元器件应用 年份：2001
本文扼要介绍SOI材料的制备技术、SOI的优越性以及SOI的应用。...
[期刊论文] 作者：张廷庆,,
来源：电子元器件应用 年份：1999
本文介绍了电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)的结构特点及其在IC卡中的应用,阐述了IC卡的应用领域与应用方式,并示出了IC卡芯片组成框图。...
[期刊论文] 作者：张廷庆,,
来源：建筑安全 年份：2008
对建筑企业而言，企业间竞争将逐渐由产品质量竞争过渡到价格竞争。加强项目成本核算，减支增效，将成为大多数企业的长期经营战略。...
[期刊论文] 作者：冯建华,张廷庆,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2000
并行测试是高可靠系统检测的一种有效方法，分析了当前大多数并行测试所采用的技术，针对它们硬件代价高、不易现场检修、复杂性大的不足之处，提出了一种新的检测多芯片模块互连的......
[期刊论文] 作者：张廷庆, 刘家璐,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
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[期刊论文] 作者：刘家璐,张廷庆,
来源：微电子学 年份：1994
采用静电计测量了ＢＦ￣＋２、Ｆ￣＋Ｂ￣＋和Ａｒ￣＋＋Ｂ￣＋注入硅ＲＴＡ二极管的反向漏电流；借助高压透射电镜观察了ＢＦ￣＋２、Ｆ￣＋＋Ｂ“和Ａｒ￣＋＋Ｂ￣＋注入硅ＲＴＡ剩余损伤；深入讨论了剩余损伤对二极管反向漏电流的影响。结果表明，１）ＢＦ￣＋２注入二极管的反向漏电流......
[期刊论文] 作者：赵志强,张廷庆,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2000
在自由电荷传输模型的基础上得到了电荷耦合器件电荷传输效率的表达式，编制了电荷耦合器件电荷传输效率优化设计软件，通过对模拟结果的分析，提出了提高电荷耦合器件电荷传输效率......
[期刊论文] 作者：刘华预,张廷庆,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2000
提出了一个超大规模集成电路分割算法，从流图中最小截之间的等价关系出发，寻找新的电路割集，与同类分割算法，如ＦＢＢ算法、ＤＭＣ算法相比，新算法充分利用了流图拓扑结构的特点，分割结果更好。......
[期刊论文] 作者：温玉波,张廷庆,
来源：半导体杂志 年份：1989
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[期刊论文] 作者：张廷庆,赵元富,
来源：半导体学报 年份：1998
在深入分析氟在多晶硅栅中迁移特性的基础上，建立了氟在多晶硅栅中的迁移方程．采用有限差分法，模拟了氟在多晶硅栅中的分布，模拟结果与实验符合得很好．给出了氟在多晶硅中的发射系......
[期刊论文] 作者：张廷庆,刘家璐,
来源：半导体学报 年份：1994
借助ＩＭＳ，ＡＥＳ，ＲＢＳ和Ｂｅ注入ＩｎＳｂ的快速热退火特性进行了深入的研究。Ｂｅ注入能量为１００ｋｅＶ，注入剂量为５Ｘ１０＾１４ｃｍ＾－２．快速热退火温度范围为３００－５００℃，退火时间为３０－６０秒。结果表明，快速退火后，Ｂｅ注入分布剖面的内侧不存在再分布，但峰值浓度有......
[期刊论文] 作者：张廷庆,刘家璐,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
本文借助背散射沟道分析技术系统地研究了Be离子注入InSb快速热退火后的剩余损伤,采用俄歇电子能谱仪分析了InSb表层组分的化学配比,并对背散射分析的结果进行了详细的讨论。...
[期刊论文] 作者：张廷庆,赵元富,
来源：半导体学报 年份：1998
本文借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了４５ｋｅＶ，１×１０＾－１４，２×１０＾－１５和５×１０＾－１５ｃｍ＾－２ＢＦ＾＋２注入单晶硅和８０ｋｅＶ，２×１０＾１５ｃｍ＾－２ＢＦ＾＋２注入多晶硅栅在快速退火条件下，Ｆ在单昌硅和多晶硅栅中的分布剖面，并对Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的迁移特性进行了......
[期刊论文] 作者：张廷庆,刘家璐,
来源：微电子学 年份：1990
本文简要回顾了双极型集成电路隔离技术的发展,着重分析讨论了八十年代发展起来的深槽隔离技术及其在双极型集成电路中的应用。...
[期刊论文] 作者：张廷庆,刘家璐,
来源：核技术 年份：1989
根据T.L.Chiu和H.N.Ghosh提出的双受主空位扩散模型,采用Crank-Nicolson六点差分法离散变系数扩散方程,对砷离子注入硅的扩散系数及退火后的杂质分布进行了计算机模拟,并与SR...
[期刊论文] 作者：张廷庆,赵元富,
来源：微细加工技术 年份：1998
借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了８０ＫｅＶ，２．５×１０＾１４，５×１０＾１４，１×１０＾１５，２×１０＾１５和３×１０＾１５ｃｍ＾－２ＢＦ＾＋２注入多晶桂栅在９００℃，３０ｍｉｎ热退火条件下，氟在多晶硅栅中的分布剖面，并对氟在多晶硅和二氧化硅中的迁移特性进行了深入讨论。......
[会议论文] 作者：张廷庆,赵元富,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
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[期刊论文] 作者：张廷庆,刘家璐,
来源：微细加工技术 年份：1991
锑化铟是一种窄禁带化合物半导体。近几年,它作为3～5μm红外探测器阵列的一种材料受到广泛的重视。为了制备高质量的锑化铟PN结光电二极管,铍注入与快速热退火(RTA)技术相结合...
[报纸论文] 作者：张廷庆, 刘家璐,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
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[期刊论文] 作者：冯建华,沈绪榜,张廷庆,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2000
并行测试是高可靠系统检测的一种有效方法 .分析了当前大多数并行测试所采用的技术 ,针对它们硬件代价高、不易现场检修、复杂性大的不足之处 ,提出了一种新的检测多芯片模块...
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