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[期刊论文] 作者:彭同华,
来源:图书情报工作 年份:1983
【正】 我馆全部油印业务是统一归口由油印组承担的。随着全馆业务范围的不断扩大,工作项目日愈增多,油印数量逐年增加。根据1978至1982共五年的统计,平均年印量为:书刊编目...
[学位论文] 作者:彭同华,
来源:中国科学院物理研究所 年份:2009
作为极具发展前景的宽禁带半导体材料,碳化硅(SiC)具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子迁移率以及化学稳定性,在高温、高频、高功率和光电器件方面具有巨大的应用潜力。要实......
[会议论文] 作者:彭同华, 陈小龙,
来源:配套材料产业发展交流对接会 年份:2020
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[会议论文] 作者:杨慧,彭同华,陈小龙,
来源:第九届全国X-射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会 年份:2006
SiC材料的宽禁带、高热导率、高饱和电子速度、高击穿电场等特性决定SiC器件可以在高温大功率下工作,在国民经济各方面具有广泛的应用.而SiC材料在高温,大功率和高频半导体器...
[期刊论文] 作者:赵宁, 刘春俊, 王波, 彭同华,,
来源:无机材料学报 年份:2018
采用物理气相传输法(PVT法)在4英寸(1英寸=25.4 mm)偏方向4°的4H-SiC籽晶的C面生长4H-SiC晶体。用熔融氢氧化钾腐蚀4H-SiC晶体,并利用光学显微镜研究了晶体中的堆垛层...
[会议论文] 作者:郭钰, 彭同华, 蔡振立, 陈小龙,,
来源: 年份:2015
碳化硅(SiC)具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,是制作高亮度发光二极管、场效应晶体管等器件的理想衬底材料[1]。碳化硅晶片在机械加工过程中会......
[期刊论文] 作者:江汉文,俞星星,薛名山,彭同华,洪珍,梁丹妮,
来源:南昌航空大学学报:自然科学版 年份:2021
随着社会的发展和科学技术的进步,电子设备和仪器越来越趋向精密化、小型化和高性能化,而效能提升随即带来对导热散热的高需求。其中,碳化硅(SiC)由于具有良好的耐磨性、高温力学性、抗氧化性、宽带隙等特性,在半导体、核能、国防及空间技术等高科技领域具有广......
[会议论文] 作者:王波,彭同华,刘春俊,赵宁,陈小龙,
来源:第十一届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会 年份:2012
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[会议论文] 作者:王波,彭同华,刘春俊,赵宁,陈小龙,
来源:第17届全国晶体生长与材料学术会议 年份:2015
SiC作为目前发展最成熟的宽带隙半导体材料,其优异的性能可以满足现代电子技术对高温、高频、高功率、高压以及抗辐射的要求而受到人们越来越多的关注。但SiC晶体生长过程中仍有很多缺陷有待研究,如微管,位错等[1]。在掺N的6H的SiC晶体中发现一种类似平面六方空洞......
[期刊论文] 作者:郭钰, 彭同华, 刘春俊, 杨占伟, 蔡振立,,
来源:无机材料学报 年份:2019
本研究探讨了同质外延生长的4H-SiC晶片表面堆垛层错(SF)的形貌特征和起因。依据表面缺陷检测设备KLA-Tencor CS920的光致发光(PL)通道和形貌通道的特点,将SF分为五类。其中I...
[期刊论文] 作者:郭钰,彭同华,刘春俊,杨占伟,蔡振立,
来源:无机材料学报 年份:2019
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[期刊论文] 作者:郭钰,彭同华,刘春俊,杨占伟,蔡振立,
来源:无机材料学报 年份:2019
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[会议论文] 作者:娄艳芳,彭同华,王波,刘春俊,刘振洲,陈小龙,
来源:第十一届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会 年份:2012
本文采用PVT(Physical Vapor Transport Method)方法生长出高质量4英寸SiC单晶。利用线切割、研磨和机械化学抛光等技术,最终获得了高结晶质量、低表面粗糙度的SiC晶片。...
[会议论文] 作者:王波[1]彭同华[1]刘春俊[1]赵宁[1]陈小龙[2],
来源:第17届全国晶体生长与材料学术会议 年份:2015
SiC作为目前发展最成熟的宽带隙半导体材料,其优异的性能可以满足现代电子技术对高温、高频、高功率、高压以及抗辐射的要求而受到人们越来越多的关注。但SiC晶体生长过程...
[期刊论文] 作者:娄艳芳,巩拓谌,张文,郭钰,彭同华,杨建,刘春俊,
来源:人工晶体学报 年份:2020
使用物理气相传输法(PVT)制备出直径209 mm的4H-SiC单晶,并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准8英寸SiC单晶衬底。使用拉曼光谱仪、高分辨X-射线衍射仪、光学显微镜、电阻仪、偏光应力仪、面型检测仪、位错检测仪等设备,对8英寸衬底的晶型、结晶质......
[期刊论文] 作者:郭钰,彭同华,刘春俊,袁文霞,蔡振立,张贺,王波,,
来源:人工晶体学报 年份:2017
选用二氧化硅抛光液抛光4H导电Si C晶片表面,探究影响Si C晶片表面质量的关键参数,获得更高的去除效率和表面质量。实验结果表明,Si C表面的氧化是氢氧根离子和双氧水共同作...
[会议论文] 作者:彭同华, 刘春俊, 王波, 王锡铭, 郭钰, 赵宁, 娄艳芳,
来源: 年份:2004
ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[会议论文] 作者:刘春俊,彭同华,王波,赵宁,王锡明,娄艳芳,陈小龙,
来源:第十一届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会 年份:2012
本研究着重研究了籽晶极性对4H-SiC晶体的晶型、电学性质以及杂质含量的影响,分析了籽晶极性对SiC晶体生长的影响机理。...
[期刊论文] 作者:彭同华, 刘春俊, 王波, 王锡铭, 郭钰, 赵宁, 李龙远,,
来源:人工晶体学报 年份:2012
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[会议论文] 作者:郭钰,张玮,娄艳芳,彭同华,刘春俊,张贺,王锡明,陈小龙,
来源:第十届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心(ICDD)研讨会 年份:2009
碳化硅晶体是具有大的禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等优良特性的第三代半导体材料,在蓝光照明、高温、高频及抗辐照器件等方面具有广阔的应用前景。碳化......
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