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[期刊论文] 作者：谭思昊,李昱东,徐烨峰,闫江,,
来源：东北石油大学学报 年份：2017
随着CMOS技术发展到22nm技术节点以下,体硅平面器件达到等比例缩小的极限。全耗尽超薄绝缘体上硅CMOS(FDSOI)技术具有优秀的短沟道效应控制能力,利用TCAD软件,对不同埋氧层厚...
[期刊论文] 作者：谭思昊,李昱东,徐烨峰,闫江,,
来源：微纳电子技术 年份：2016
全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)器件具有出色的短沟道效应(SCE)控制能力等优势,是22 nm及以下的CMOS技术节点中的有力竞争者。为了研究减薄埋氧层(BOX)厚度对FDSOI器件性能和短沟道...
[期刊论文] 作者：杨鹏鹏,张青竹,刘庆波,吴次南,闫江,徐烨峰,,
来源：半导体技术 年份：2015
针对锗硅在形成金属锗硅化物时存在部分应力释放、界面形貌特性变差的问题,提出了在Si0.72Ge0.28上分别外延薄硅(Si)覆盖层和锗硅(Si0.72Ge0.28)缓冲层的工艺方案。实验结果...
Combining a multi deposition multi annealing technique with a scavenging(Ti) to improve the high-k/m
[期刊论文] 作者：张淑祥,杨红,唐波,唐兆云,徐烨峰,许静,闫江,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
ALD Hf O2 films fabricated by a novel multi deposition multi annealing(MDMA) technique are investigated, we have included samples both with and without a Ti sca...
Influence of ultra-thin TiN thickness(1.4 nm and 2.4 nm) on positive bias temperature instability(PB
[期刊论文] 作者：祁路伟, 杨红, 任尚清, 徐烨峰, 罗维春, 徐昊, 王艳蓉,,
来源：null 年份：2015
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Influence of ultra-thin TiN thickness(1.4 nm and 2.4 nm) on positive bias temperature instability(PB
[期刊论文] 作者：祁路伟,杨红,任尚清,徐烨峰,罗维春,徐昊,王艳蓉,唐波,王文武,闫江,朱慧珑,赵超,陈大鹏,叶甜春,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
The positive bias temperature instability(PBTI) degradations of high-k/metal gate(HK/MG) n MOSFETs with thin Ti N capping layers(1.4 nm and 2.4 nm) are systemic...
Study on influences of TiN capping layer on time-dependent dielectric breakdown characteristic of ul
[期刊论文] 作者：徐昊,杨红,罗维春,徐烨峰,王艳蓉,唐波,王文武,祁路伟,李俊峰,闫江,朱慧珑,赵超,陈大鹏,叶甜春,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
The thickness effect of the TiN capping layer on the time dependent dielectric breakdown(TDDB) characteristic of ultra-thin EOT high-k metal gate NMOSFET is inv...
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