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[期刊论文] 作者：马鹤,戴风伟,于大全,,
来源：科学技术与工程 年份：2013
讨论了ANSYS子模型技术对高密度2．5D转接板内码V（Through Silicon Via）的热应力仿真误差，分析了TSV直径和高度对仿真误差的影响。研究发现子模型仿真误差会随着偈V直径的增加而大...
[期刊论文] 作者：周静,万里兮,戴风伟,王惠娟,,
来源：科学技术与工程 年份：2013
本文对硅基转接板上单层RDL（redistribution layer）和多层RDL传输线的损耗特性进行了深入的分析和比较, 研究了硅的电阻率，传输线几何尺寸（包括线宽，线高和介质厚度等）对传输特性的......
[期刊论文] 作者：杨海博,戴风伟,王启东,曹立强,
来源：微纳电子技术 年份：2019
为了满足异质集成应用中对转接板机械性能方面的需求,提出了一种基于双面硅通孔(TSV)互连技术的超厚硅转接板的制备工艺方案.该方案采用Bosch工艺在转接板正面形成300 μm深...
[会议论文] 作者：陈广超,李彬,戴风伟,兰昊,J.Askri1,吕反修,
来源：第六届全国表面工程学术会议暨首届青年表面工程学术论坛 年份：2006
采用DC Arc plasma Jet CVD方法制备了层结构的金刚石自支撑膜,层结构中的每一层都包含着微米级的柱状晶,上层的晶粒尺寸要比下层的大,并且,上下层的晶体取向也不同,上层为(111)而下层为(110).采用了Raman谱技术对晶体质量进行了评价.层结构金刚石自支撑膜的生......
[期刊论文] 作者：陈广超,兰昊,李彬,戴风伟,薛前进,J．C．Askari,宋,
来源：人工晶体学报 年份：2007
采用30kW高功率直流等离子体喷射CVD技术制备了自支撑金刚石膜的新型结构,通过使甲烷与氢气的浓度比随沉积时间变化的方法,制备了两层、三层和四层结构。扫描电镜结果显示所...
[期刊论文] 作者：陈广超,兰昊,李彬,戴风伟,薛前进,J.C.Askari,宋,
来源：人工晶体学报 年份：2004
采用30kW高功率直流等离子体喷射CVD技术制备了自支撑金刚石膜的新型结构,通过使甲烷与氢气的浓度比随沉积时间变化的方法,制备了两层、三层和四层结构.扫描电镜结果显示所制...
[期刊论文] 作者：戴风伟,陈广超,兰昊,J．Askari,宋建华,李成明,佟玉,
来源：人工晶体学报 年份：2006
在30kW级直流电弧等离子体喷射化学气相沉积（Dc Arc Plasma Jet CVD）设备上，采用Ar-H2-CH4混合气体，通过调节甲烷浓度以及控制其他沉积参数，在Mo衬底上沉积出微/纳米复合自支撑金...
[期刊论文] 作者：戴风伟,陈广超,兰昊,J.Askari,宋建华,李成明,佟玉,
来源：金刚石与磨料磨具工程 年份：2007
本文采用30kW级直流电弧等离子体喷射法沉积自支撑金刚石膜，研究了大进气量条件下不同的甲烷浓度对金刚石膜的表面形貌及晶面取向的影响，当甲烷浓度达到一定程度时，出现纳米二次......
[期刊论文] 作者：戴风伟,陈广超,兰昊,J.Askari,宋建华,李成明,佟玉,
来源：金刚石与磨料磨具工程 年份：2007
本文采用30kW级直流电弧等离子体喷射法沉积自支撑金刚石膜,研究了大进气量条件下不同的甲烷浓度对金刚石膜的表面形貌及晶面取向的影响,当甲烷浓度达到一定程度时,出现纳米...
[期刊论文] 作者：陈广超,兰昊,李彬,戴风伟,Askari,J,黑立富,宋建华,
来源：半导体学报 年份：2007
采用DC Arc Plasma Jet CVD方法制备了金刚石自支撑膜体,考察了温度分布、沉积腔压和CH4/H2等沉积参数对所制备金刚石膜体中的晶粒尺寸的影响.实验发现沿温度降低的方向和增...
[期刊论文] 作者：赫然,王惠娟,于大全,周静,戴风伟,宋崇申,孙瑜,万里兮,,
来源：半导体学报 年份：2012
A novel low-cost and high-speed via filling method using Cu-cored solder balls was investigated for through-silicon via manufacture.Cu-cored solder balls with a...
[期刊论文] 作者：兰昊,陈广超,戴风伟,李彬,唐伟忠,李成明,宋建华,J．As,
来源：人工晶体学报 年份：2007
在30kW级直流电弧等离子喷射化学气相沉积装置下,采用Ar-H2-CH4混合气体,通过控制工艺参数,在钼衬底上分别制备了普通微米自支撑膜及多层金刚石自支撑膜并对其进行研究。结果...
[期刊论文] 作者：兰昊,陈广超,戴风伟,李彬,唐伟忠,李成明,宋建华,Aska,
来源：金刚石与磨料磨具工程 年份：2004
利用大功率DC Arc Plasma Jet CVD装置,采用Ar-H2-CH4混合气体为气源,通过优化工艺参数,在多晶钼衬底上制备出了多层复合金刚石自支撑膜.利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)...
[期刊论文] 作者：周静,万里兮,李君,王惠娟,戴风伟,Daniel Guidotti,曹立强,于大全,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
Two innovative de-embedding methods are proposed for extracting an electrical model for a throughsilicon -via(TSV) pair consisting of a ground-signal(GS) struct...
[期刊论文] 作者：周祖源,陈广超,戴风伟,兰昊,宋建华,李彬,佟玉梅,李成明,,
来源：人工晶体学报 年份：2006
运用光发射谱（OES）技术对大功率直流电弧等离子喷射CVD金刚石膜的气相沉积环境进行了原位诊断，研究了气相环境中主要含碳基团的浓度及分布与沉积参数的关系，发现了C2基元比其他基......
[期刊论文] 作者：陈广超,兰昊,李彬,戴风伟,薛前进,J.C.Askari,宋建华,黑立富,李成名,吕反修,,
来源：人工晶体学报 年份：2007
采用30kW高功率直流等离子体喷射CVD技术制备了自支撑金刚石膜的新型结构,通过使甲烷与氢气的浓度比随沉积时间变化的方法,制备了两层、三层和四层结构。扫描电镜结果显示所...
[期刊论文] 作者：戴风伟,陈广超,兰昊,J.Askari,宋建华,李成明,佟玉梅,李彬,黑立富,吕反修,,
来源：人工晶体学报 年份：2006
在30kW级直流电弧等离子体喷射化学气相沉积(DC Arc P lasm a Jet CVD)设备上,采用Ar-H2-CH4混合气体,通过调节甲烷浓度以及控制其他沉积参数,在Mo衬底上沉积出微/纳米复合自...
[期刊论文] 作者：兰昊,陈广超,戴风伟,李彬,唐伟忠,李成明,宋建华,J.Askari,黑立富,佟玉梅,,
来源：人工晶体学报 年份：2007
在30kW级直流电弧等离子喷射化学气相沉积装置下,采用Ar-H2-CH4混合气体,通过控制工艺参数,在钼衬底上分别制备了普通微米自支撑膜及多层金刚石自支撑膜并对其进行研究。结果...
[期刊论文] 作者：周祖源,陈广超,戴风伟,兰昊,宋建华,李彬,佟玉梅,李成明,黑立富,唐伟忠,,
来源：人工晶体学报 年份：2006
运用光发射谱(OES)技术对大功率直流电弧等离子喷射CVD金刚石膜的气相沉积环境进行了原位诊断,研究了气相环境中主要含碳基团的浓度及分布与沉积参数的关系,发现了C2基元比其...
[会议论文] 作者：兰昊,佟玉梅,吕反修,陈广超,戴风伟,李彬,唐伟忠,李成明,宋建华,J.Askari,黑立富,
来源：2006北京国际材料周暨中国材料研讨会 年份：2006
在30kW级DC Arc Plasma Jet CVD装置下,采用Ar-H2-CH4混合气体,在钼衬底上制备出了复合金刚石自支撑膜,并对其表面和侧面分别进行了扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、激光拉曼光谱(Raman)表征.结果显示,复合结构由普通的多晶微米级金刚石薄膜和纳米金刚石薄膜组......
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