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[期刊论文] 作者：易明銧,
来源：半导体学报：英文版 年份：1983
本文讨论了JFET-双极高速运放的设计问题.导出了JFET输入级的简单设计关系.基于简化的电路模型,获得了第二级频响问题的解析结果.也指出了正向压摆率实际上是受第二级的偏置...
[期刊论文] 作者：易明銧,
来源：半导体学报 年份：1992
本文提出了霍尔器件的一种新的工作模式,称为单端短路霍尔电流输出模式.理论分析表明,在这种模式下霍尔器件的磁灵敏度将提高一倍.用镓砷与铟锑霍尔器件进行了实验.实验结果...
[期刊论文] 作者：易明銧,,
来源：电子元器件应用 年份：2000
本文介绍几种性线霍尔电流传感器的性能、封装尺寸及其应用方法。...
[期刊论文] 作者：易明銧,,
来源：Journal of Electronics(China) 年份：1984
An inductive switched-capacitor(i.e.,terminal-inverter SC)oscillator is described in this paper.It is found that the amplitude equation is independent of the c...
[期刊论文] 作者：易明銧,
来源：电子科学学刊 年份：2004
(一)引言 开关电容(SC)滤波器在1977年被重新提出后,受到了极大的注意。最近,一些作者又利用开关电容方法来实现别的模拟电路,如正弦波振荡器、过零检波器和峰值检波器、跟...
[期刊论文] 作者：易明銧,
来源：电子学报 年份：1983
本文用节点法分析了含理想电压源的网络,从网络的不含源导纳矩阵获得了含源网络的约束导纳矩阵以及节点短路电流源向量的公式。对于运算放大器,借助逆传输表示,统一了运算放...
[期刊论文] 作者：易明銧,
来源：半导体学报 年份：1984
本文重新评价了晶体管电流放大系数h_(FE)的电流关系,结果表明,h_(FE)的最大值H_(FEmax)可能远小于其理想值h_(FEO).指出在晶体管的某些物理研究中应考虑到这一情况.This p...
[期刊论文] 作者：易明銧,
来源：半导体学报 年份：1982
本文提出了一种新的,能够产生电流控制型负阻特性的CMOS集成电路结构,并进行了理论分析,导出了负阻特性的特征参数表达式.实验结果与理论分析满意一致.In this paper, a ne...
[期刊论文] 作者：易明銧,
来源：物理学报 年份：1975
本文报道了在集成电路横向晶体管中观察到的负阻现象,提出了解释负阻机构的等效模型。分析的结果与实验符合较好。In this paper, we report the negative resistance obse...
[期刊论文] 作者：易明銧,
来源：半导体学报 年份：1987
本文提出了硅禁带宽度的温度关系的一个新的表达式。它可用于一个宽的温度范围(150-400K),同时又具有较高的精度,并且特别适合应用于带隙参考电压源与集成温度传感器等电路的...
[期刊论文] 作者：易明銧,
来源：电子学报 年份：1982
在晶体管模型和电路分析中,Early电压的概念已被广泛应用。本文讨论了任意基区晶体管Early电压的物理关系,导出了恒流驱动条件下的Early电压V_(A(I))与恒压驱动条件下的Early...
[期刊论文] 作者：易明銧,
来源：半导体学报 年份：1985
最近文献[1]提出一个测量运算放大器的共模抑制比的新方法,称为“失调电压法”.它与某些变电源测量方法一样,存在着一定的原理误差.Recently, a new method to measure th...
[期刊论文] 作者：陈星弼,易明銧,
来源：物理学报 年份：1978
本文讨论了影响小注入下晶体管的lC-VBE特性的各种因素。作者发现发射结势垒区准费米能级降落的影响对于解释实验中发现的n*≡d(VBE/VT)/d In lC...
[期刊论文] 作者：易明銧,李华金,,
来源：中国邮政 年份：1980
数字集成电路出现后不久,六十年代又出现了以差分放大级为主体的线性集成电路。因为它首先在模拟计算机中用作运算放大器,所以称为集成运算放大器,简称集成运放。目前,集成...
[期刊论文] 作者：易明銧,李华金,,
来源：中国邮政 年份：1980
集成运放的特性参数集成运放的主要特性参数如下: 开环增益A_0指不加负反馈时的电压增益,一般为80～120分贝。A_0越大越好。共模抑制比CHR如前所述,它反映了集成运放在较强的...
[期刊论文] 作者：易明銧,李青松,
来源：半导体学报 年份：1985
本文利用双极型晶体管的Gummel-Poon模型,分析了Gilbert乘法器的非线性误差,获得了三次误差的表达式.结果表明,Gilbert乘法器的三次非线性误差起源于晶体管的基区电导调制效...
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