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[期刊论文] 作者：曾昱嘉,
来源：传播力研究 年份：2020
当下短视频行业领域呈现百花齐放、强烈竞争的发展特点,本文从快手短视频的价值层面出发,对其商业价值的四个方面进行研究,包括价值主张、价值创造、价值传播、价值获得,结合...
[学位论文] 作者：曾昱嘉,,
来源：浙江大学 年份：2008
氧化锌（ZnO）是一种新型的宽禁带化合物半导体材料,具有直接带隙能带结构,室温禁带宽度为3.37eV,对应于近紫外光波段。另外,ZnO还具有60 meV的高激子束缚能,其激子在室温下可以...
[会议论文] 作者：曾昱嘉,
来源：中国物理学会2016年秋季会议 年份：2016
利用Co 离子注入技术，实现单根ZnO 纳米线的磁性掺杂，并研究了单根Co：ZnO 纳米线的磁电传输[1]。采用脉冲激光沉积(PLD)和Co 离子注入技术制备出ZnO–Co 纳米复合薄膜，纳米复合薄膜由ZnO 薄膜和嵌于其中的金属Co 或富Co 纳米颗粒组成。......
[学位论文] 作者：曾昱嘉,
来源：中南民族大学 年份：2023
湘西土家织锦技艺是中国国家级的非物质文化遗产,是湘西人民智慧的结晶,是湘西历史的见证和文化的载体。但近年来,由于外来文化的冲击、商业的过度侵蚀以及民族地区原生态方式的改变等,该技艺的传承和发展逐渐陷入困境。本文立足新时代,通过数字化技术助力土家......
[期刊论文] 作者：卢洋藩,陈匆,曾昱嘉,叶志镇,,
来源：中国科技论文 年份：2016
量子点用于光电器件可以减小极化电场、避免发光峰位偏移、减少非辐射复合。目前文献中针对ZnO量子点的自组装生长机理及电学性能研究较少。针对自组装生长量子点用于光电器...
[期刊论文] 作者：叶志镇,曾昱嘉,卢洋藩,何海平,,
来源：中国科技论文在线 年份：2007
本文系统地报道ZnO薄膜p型掺杂技术,其中包括N掺杂技术、共掺技术、Li掺杂技术、非故意掺杂技术、大尺寸失配元素掺杂技术等;在p型掺杂的基础上,实现ZnO同质p-n结室温电注入...
[期刊论文] 作者：袁国栋,叶志镇,朱丽萍,钱庆,曾昱嘉,
来源：浙江大学学报(工学版) 年份：2004
报道了Au/n-ZnO形成的肖特基势垒经不同温度退火后其特性的变化.利用X射线衍射、扫描电子显微镜和扩展电阻测试对ZnO外延片的晶体质量和电学性能进行测试.采用集成电路标准工...
[期刊论文] 作者：曾昱嘉,叶志镇,吕建国,李丹颖,朱丽萍,赵炳辉,
来源：无机材料学报 年份：2005
目前,制备性能优异的p-ZnO薄膜的可重复性问题已成为制约ZnO基光电器件发展的一个主要因素.本文利用直流反应磁控溅射技术,以X射线衍射,霍尔效应测试,X射线光电子能谱及透射...
[期刊论文] 作者：吕建国,叶志镇,诸葛飞,曾昱嘉,赵炳辉,朱丽萍,
来源：半导体学报 年份：2005
利用直流反应磁控溅射技术制得N—Al共掺的P型ZnO薄膜，N2O为生长气氛．利用X射线衍射(XRD)，Hall实验，X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究．结果表明，薄膜......
[期刊论文] 作者：吕建国,叶志镇,诸葛飞,曾昱嘉,赵炳辉,朱丽萍,
来源：半导体学报 年份：2005
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：吕建国,叶志镇,诸葛飞,曾昱嘉,赵炳辉,朱丽萍,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
利用直流反应磁控溅射技术得到N-Al共掺p型ZnO薄膜.结果表明:ZnO中Al的存在显著提高了薄膜中N的掺杂量,从而可以实现具有优良p型传导特性的ZnO薄膜.当Al含量为0.15wt.﹪时,共掺ZnO薄膜的电学性能取得最优值,载流子浓度为2.52×10cm,电阻率28.3Ucm,Hall迁移率0.87c......
[期刊论文] 作者：卢洋藩,叶志镇,曾昱嘉,陈兰兰,朱丽萍,赵炳辉,,
来源：无机材料学报 年份：2006
采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜．XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度c轴取向,Hall测试表明薄膜的电阻率为25．2Ω·cm,Hall迁移率为0．5cm~2/(V·s),空穴浓度为4．92×1...
[期刊论文] 作者：卢洋藩,叶志镇,曾昱嘉,徐伟中,朱丽萍,赵炳辉,
来源：半导体学报 年份：2007
研究了等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法制备N掺杂p型ZnO薄膜过程中生长参数如衬底温度、射频功率、锌源流量对ZnO薄膜结晶质量和电学性能的影响....
[期刊论文] 作者：曾昱嘉,叶志镇,袁国栋,黄靖云,赵炳辉,朱丽萍,,
来源：材料导报 年份：2004
论述了ZnO薄膜p型转变的难点及其解决方法的最新研究进展,并讨论了Al+N+H共掺杂生长p-ZnO薄膜的掺杂机制,提出多层缓冲层生长工艺以实现p-ZnO薄膜的可控掺杂,进而优化薄膜性...
[会议论文] 作者：曾昱嘉,叶志镇,卢洋藩,徐伟中,朱丽萍,赵炳辉,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文采用等离子体辅助金属有机物化学气相沉积法在不同衬底上生长非故意掺杂p型ZnO薄膜.最佳电阻率为12.7 cm,空穴浓度为1.88×1017 cm-3,迁移率达2.6 cm2/V s.二次离子质谱...
[期刊论文] 作者：简中祥,叶志镇,高国华,卢洋藩,赵炳辉,曾昱嘉,朱丽萍,,
来源：半导体学报 年份：2007
利用直流反应磁控溅射法，以N2O为N掺杂源，用Al-N共掺技术制备了P型Zn0.95Mg0.05O薄膜．用X射线衍射分析（XRD）、Hall测试仪和紫外可见（UV）透射谱等研究方法对其晶体结构、电学性能和禁......
[期刊论文] 作者：简中祥,叶志镇,高国华,卢洋藩,赵炳辉,曾昱嘉,朱丽萍,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：袁国栋,叶志镇,曾昱嘉,吕建国,钱庆,黄靖云,赵炳辉,朱丽萍,
来源：半导体学报 年份：2004
报道了利用直流反应磁控溅射以Al，N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜．ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于a-Al2O3(0001)衬底上，N来自NH3与O2的生长气氛，Al来自ZnxAl1-x(x=0．9)靶材．利用XRD，AFM，H...
[期刊论文] 作者：叶志镇,徐伟中,曾昱嘉,江柳,赵炳辉,朱丽萍,吕建国,黄靖云,
来源：半导体学报 年份：2005
在n型ZnO体单晶片上，首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了P型ZnO薄膜，制成了同质ZnO的发光二极管（LED）原型器件；在室温下，观察到同质ZnO的LED施加电压后由电......
[期刊论文] 作者：叶志镇,徐伟中,曾昱嘉,江柳,赵炳辉,朱丽萍,吕建国,黄靖云,
来源：半导体学报 年份：2004
在n型ZnO体单晶片上,首次采用N等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法外延生长了p型ZnO薄膜,制成了同质ZnO的发光二极管(LED)原型器件;在室温下,观察到同质ZnO的LED施加电压...
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