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[期刊论文] 作者：朱战平,
来源：读书文摘:中 年份：2020
本文首先对网络系统基本内涵进行阐述,然后结合网络信息安全技术管理要求,分析网络系统面临的主要信息安全威胁,最后提出相关计算机技术应用措施,旨在为促进我国计算机网络信...
[期刊论文] 作者：朱战平,,
来源：世界家苑 年份：2012
企业最重要的竞争资源是人力资源.目前我国部分企业在人力资源管理方面仍存在人力资源管理部门职能不完备,员工培训投入重不足,激励机制和企业文化建设水平有待于进一步提高....
[期刊论文] 作者：朱战平,
来源：科教纵横 年份：2010
[摘 要]伴随着我国经济的发展,居民收入也不断增长,国民对个人理财的需求也日益增加。本文通过探讨我国银行个人理财业务的发展,对当前我国银行个人理财业务中存在的问题及对策进行了简要的分析和论述。 [关键词]银行 个人理财业务 对策 中图分类号:F832 ......
[期刊论文] 作者：朱战平,
来源：科教导刊 年份：2009
摘要随着我国银行卡产业的快速发展,信用卡已成为越来越多人的支付选择,与此同时信用卡恶意透支、违规套现、养卡等现象也“应运而生”。本文对目前我国信用卡业务中存在的问题进行了探讨并提出相应的解决对策。 关键词信用卡恶意透支违规套现立法 中图分......
[会议论文] 作者：崔利杰,王保强,朱战平,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
采用MBE生长技术,在半绝缘GaAs衬底上生长了大失配的InGaAs/InAlAs MM-HEMT材料.对其进行了透射电镜(TEM)、PL谱以及Shhubnikov-de Hass(SdH)振荡测试,并通过有限差分法自恰求解薛定谔方程的泊松方程,给出了材料的导带结构、费米能级和量子阱中的子带波函数,完......
[会议论文] 作者：崔利杰,曾一平,王保强,朱战平,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
用分子束外延(MBE)法在GaAs衬底上生长了InGaAs/InAlAs异质结MHEMT材料结构.采用光致发光(PL)谱和Hall测量手段分析了样品光学和电学性能.结果发现InGaAs量子阱的导带第一二电子子带向价带重空穴第一子带跃迁的发光峰强度比I/I及相应峰值的半高宽(FWHM)分别与Ha......
Influence of Ⅴ/Ⅲ ratio on the structural and photoluminescence properties of In_(0.52) AlAs/In_(0.53
[期刊论文] 作者：高宏玲,曾一平,王宝强,朱战平,王占国,,
来源：Chinese Physics B 年份：2008
A series of metamorphic high electron mobility transistors (MMHEMTs) with different Ⅴ/Ⅲ flux ratios are grown on GaAs (001) substrates by molecular beam epita...
[会议论文] 作者：张昉昉,曾一平,李晋闽,王保强,朱战平,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
本文采用分子束外延设备,实现了在Si衬底上直接生长InAs量子点.在生长过程中,通过RHEED观察到了S-K生长模式....
[期刊论文] 作者：张杨,曾一平,马龙,王保强,朱战平,王良臣,杨富华,
来源：半导体学报 年份：2007
利用分子束外延技术研制出InP基IhAs/In0.53Ga0.47As/AlAs共振隧穿二极管,其中势垒为10个单分子AlAs,势阱由8个单分子层In0.53Ga0.47As阱和4个单分子层InAs子阱组成.室温下峰...
Influence of spacer layer thickness on the current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In_
[期刊论文] 作者：张杨,韩春林,高建峰,朱战平,王保强,曾一平,,
来源：Chinese Physics B 年份：2008
This paper investigates the dependence of current-voltage characteristics of AlAs/In 0.53 Ga 0.47 As/InAs resonant tunnelling diodes (RTDs) on spacer layer thic...
[期刊论文] 作者：高宏玲,王宝强,朱战平,李成基,段瑞飞,曾一平,
来源：半导体学报 年份：2007
研究了用分子束外延(MBE)方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面粗糙度为1.79...
[会议论文] 作者：高宏玲;王宝强;朱战平;李成基;段瑞飞;曾一平;,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
研究了用分子束外延(MBE)的方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面平整度为1....
[会议论文] 作者：崔利杰,曾一平,王保强,朱战平,李灵霄,林兰英,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
采用Shubnikov-de Hass(SdH)振荡测试技术研究了GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT材料的磁输运特性,并在窄带隙和掺杂浓度高的材料中发现了零场自旋分裂现象....
[会议论文] 作者：崔利杰,曾一平,王保强,朱战平,李灵霄,林兰英,
来源：中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 年份：2002
本文采用MBE生长技术,比较了在InP衬底上生长晶格匹配的LM-HEMT与在GaAs衬底上生长大失配的MM-HEMT的材料的性能.结果发现,二者的电子迁移率与电子浓度都非常接近,这说明我们采用阶梯式变组分的方法生长MM-HEMT的buffer缓冲层是成功的.......
[期刊论文] 作者：高宏玲,李东临,周文政,商丽燕,王宝强,朱战平,曾一平,
来源：物理学报 年份：2004
用Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应,研究了在1.4 K下不同量子阱宽度(10-35 nm)的InP基高电子迁移率晶体管材料的二维电子气特性.通过对纵向电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,...
[期刊论文] 作者：赵晓蒙,张杨,崔利杰,关敏,王保强,朱战平,曾一平,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2017
We report the growth of InSb layers directly on GaAs(001) substrates without any buffer layers by molecular beam epitaxy(MBE). Influences of growth temperature...
[期刊论文] 作者：崔利杰,曾一平,王保强,朱战平,石小溪,黄振,李淼,赵国忠,,
来源：半导体技术 年份：2008
研究了用飞秒激光激发低温生长的GaAs(LT-GaAs)大孔径光电导天线产生太赫兹(THz)波的辐射特性。通过设计七种大孔径天线结构,来研究天线的几何结构对THz发射性能的影响。实验...
[会议论文] 作者：崔利杰,王保强,朱战平,曾一平,石小溪,黄振,李淼,赵国忠,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文研究了用飞秒激光激发低温生长的砷化镓(LT-GaAs)大孔径光电导天线产生太赫兹(THz)波的辐射特性。通过设计七种大孔径天线结构,来研究天线的几何结构对THz发射性能的影响...
[会议论文] 作者：崔利杰,曾一平,王保强,朱战平,石小溪,黄振,李淼,赵国忠,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
本文研究了用飞秒激光激发低温生长的砷化镓(LT-GaAs)大孔径光电导天线产生太赫兹(THz)波的辐射特性。通过设计七种大孔径天线结构,来研究天线的几何结构对THz发射性能的影响。实验发现七种天线的有效频谱宽度都达到了3THz,而且七种不同几何形状天线的THz发射谱......
[会议论文] 作者：崔利杰,朱战平,王保强,张昉昉,曾一平,李灵霄,林兰英,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
采用MEB技术制备了一系列沟道层不同In组分含量的MM-HEMT材料.结果发现,随In组分含量的变化,材料的电子迁移率有一最佳值,对这一结果给予了解释....
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