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[学位论文] 作者：李保理,,
来源：山东师范大学 年份：2008
由于纳米半导体材料表现出的超出常规的性质,因此各种半导体材料的纳米结构成了人们研究的热点。纳米线、纳米带和纳米棒作为新颖的低维材料越来越多引起了人们的研究兴趣。...
[学位论文] 作者：李保理,
来源：山东师范大学 年份：2008
由于纳米半导体材料表现出的超出常规的性质，因此各种半导体材料的纳米结构成了人们研究的热点。纳米线、纳米带和纳米棒作为新颖的低维材料越来越多引起了人们的研究兴趣。这些低维纳米材料之所以吸引了众多研究者的兴趣，一方面是由于它们具有独特的结构，另一方面......
[期刊论文] 作者：李保理,庄惠照,薛成山,张士英,
来源：功能材料 年份：2008
采用射频磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Nb薄膜,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线。用X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、扫描电子显微镜（SEM）、透......
[期刊论文] 作者：张士英,庄惠照,薛成山,李保理,,
来源：功能材料 年份：2008
利用射频磁控溅射法在Si（111）衬底上先溅射Mo中间层，再溅射Ga2O3薄膜，然后在氨气中退火合成了大量的一维棒状β—Ga2O3。X射线衍射、选区电子衍射和能量弥散谱的分析结果表明，制备......
[期刊论文] 作者：胡丽君,庄惠照,薛成山,薛守斌,张士英,李保理,,
来源：山东师范大学学报(自然科学版) 年份：2007
采用磁控溅射技术在Si（Ⅲ）衬底上沉积了Al膜，在高温炉中使之与氨气反应制备／AIN薄膜．利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜等研究了薄膜的结构、成分以及表面形貌．结果表明不......
[期刊论文] 作者：庄惠照,李保理,王德晓,申加兵,张士英,薛成山,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2009
采用射频磁控溅射技术在硅衬底上制备Ga2O3／Nb薄膜，然后在900℃下于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线。用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）和高分辨透射电子显微镜详细分析了......
[期刊论文] 作者：庄惠照,李保理,王德晓,申加兵,张士英,薛成山,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2009
采用射频磁控溅射技术在硅衬底上制备Ga2O3/Nb薄膜,然后在900°C下于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线。用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜详...
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