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[期刊论文] 作者：李成基,李韫言,
来源：分析测试技术与仪器 年份：1995
本文报导了在ＪＸＡ－３Ａ电子探针上，研制了电子束感生电流装置、电子束消隐装置、可微功低温样品台以及超慢速电子束扫描装置，配置Ｂｏｘｃａｒ平均器。成功地开发了电子束扫描深能级瞬态谱测量系统，它......
[期刊论文] 作者：李成基,李韫言,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
建立了绝缘电阻大于１０＾１３Ω和温度起伏小于０．１℃的半绝缘砷化镓Ｈａｌｌ测量装置。研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响，并讨论了各......
[期刊论文] 作者：李韫言,蔚燕华,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
在空间生长ＳＩ－ＧａＡｓ的某些部位有汽泡产生，经俄歇分析，汽泡表面约有１０ｎｍ的砷层，它从半绝缘砷化镓内部逸出，导致其成为半导体。用阴极荧光形貌观测了其多晶结构。......
[期刊论文] 作者：涂相征,李韫言,
来源：今日电子 年份：1994
多孔硅微细加工的压阻压力传感器 微型压力传感器是在60年代末出现的,微细加工技术就是从此开始发展的。上面所述的各向异性化学腐蚀、电化学腐蚀和硅片直接融结等都已...
[期刊论文] 作者：涂相征,李韫言,
来源：今日电子 年份：1994
我们正面临着一场新的技术革命,微细加工和微型器件就是这场革命的主题。随着微细加工技术的飞速进步和微型器件的大量涌现,国民经济和科技研究的各部门都在发生深刻变...
[会议论文] 作者：李韫言,李成基,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[会议论文] 作者：李韫言,李成基,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[会议论文] 作者：李成基,李韫言,
来源：第3届全国微束分析学术会议 年份：1992
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[期刊论文] 作者：李成基,李韫言,
来源：分析测试技术与仪器 年份：1995
本文报导了在ＪＸＡ—３Ａ电子探针上，研制了电子束感生电流装置、电子束消隐装置、可微动低温样品台以及超慢速电子来扫描装置，配置Ｂｏｘｃａｒ平均器。成功地开发了电子束扫描深能级瞬态谱测量系统......
[期刊论文] 作者：王万年,李成基,李韫言,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
计算了变加速电压的束感生电流法测定扩散长度理论公式，并用电子探针和扫描电镜测量了各种GaAs材料的扩散长度。...
[期刊论文] 作者：李成基,李韫言,商广义,
来源：分析测试技术与仪器 年份：1999
在ＫＹＫＹ－１０００Ｂ型扫描电子显微镜（ＳＥＭ）上所开发的与其联用的袖珍型扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）主要有四个部分：（１）减震阻尼装置，（２）隧道探针，（３）探针扫描与逼近装置，（４）电子控制与图象采集系统。它的分辨率约为１ｎｍ。并用它观察......
[会议论文] 作者：李成基,李韫言,王万年,
来源：第七届全国固体薄膜学术会议 年份：2000
从熔体中生长砷化镓时，由于重国引起的热对流，往往在晶体中会产生杂质条纹影响材料的质量，在消除杂质条纹的措施中，除在空间微重力这一理想条件外，在磁场中生长砷化镓晶体已被证明......
[会议论文] 作者：李成基,李韫言,王万年,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：李成基,邓兆扬,李韫言,,
来源：电子显微学报 年份：1990
深能级瞬态谱(DLTS)技术是研究半导体中深能级杂质与缺陷的有效手段。但是它给出的信息是在一个比较大的范围内的平均值,不能给出微区域深能级的空间分布。而半导体材料...
[期刊论文] 作者：李韫言,蔚燕华,李成基,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
在空间生长SI GaAs的某些部位有汽泡产生 ,经俄歇分析 ,汽泡表面约有 1 0nm的砷层 ,它从半绝缘砷化镓内部逸出 ,导致其成为半导体。用阴极荧光形貌观测了其多晶结构。Some...
[会议论文] 作者：李成基,李韫言,何宏家,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
本文介绍了热激电流的测量装置和测量技术.测量了半绝缘砷化镓中缺陷深能级的热激电流镨,并依此计算了深能级的位置.研究了半绝缘砷化镓的化学配比与热激电流镨的关系....
[会议论文] 作者：李成基,李韫言,商广义,白春礼,
来源：第一届全国扫描电子显微学会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：李成基,李韫言,王万年,何宏家,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
建立了绝缘电阻大于 1 0 13Ω和温度起伏小于 0 .1℃的半绝缘砷化镓Hall测量装置。研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率...
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