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[期刊论文] 作者：章建隽,杨爱龄,
来源：电子显微学报 年份：2002
对采用电子束反应蒸镀方法在低温下在硅(001)衬底上外延生长的ZnO薄膜的表面构像进行了原子力显微镜(AFM)观察,分析研究不同的衬底温度对薄膜表面形貌及结构特性的影响.在250...
[期刊论文] 作者：杨爱龄,张秀淼,
来源：杭州大学学报：自然科学版 年份：1990
本文研究由国产DD-P 250型等离子淀积设备制备的氮化硅膜的性质与膜的生长条件的关系.俄歇分析的估算表明膜的组份在纵向分布均匀,含氧量均较低(3%以下),任何使Si/N比增大的...
[期刊论文] 作者：杨爱龄,傅柔励,
来源：杭州大学学报：自然科学版 年份：1989
本文用半经验紧束缚法研究了（ZnSe）n/（Ge）2m（100）超晶格,计算了其能隙随层厚的变化,其结果能说明超晶格体系的准二维特性,表明（7,7）超晶格已足以模拟异质界面问题,并指出（ZnSe）n/（Ge）2m（10......
[期刊论文] 作者：陈克坚,杨爱龄,等,
来源：光学仪器 年份：2002
以半导体矩形波导材料搂例，提出了正在研究中的全内反射型光控光开头的光注入及光生载流子对折射率影响的分析模型。得出在控制光照射方向上半导体材料的折射率随控制光强度变......
[期刊论文] 作者：陈克坚,杨爱龄,江晓清,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
以半导体矩形波导材料为例,提出了正在研究中的全内反射型光控光开关的光注入及光生载流子对折射率影响的分析模型.得出在控制光照射方向上半导体材料的折射率随控制光强度变...
[期刊论文] 作者：张秀淼,石国华,杨爱龄,
来源：半导体学报 年份：1993
本文报道了用国产DD-P250型等离子增强CVD设备制备的氮化硅膜的组分分析结果。用俄歇电子能谱分析了膜中Si/N组分比以及O、C等杂质的含量,研究了组分比与射频功率、SiH_4/NH_...
[期刊论文] 作者：杨爱龄, 张秀淼, 邵迪玲,,
来源：杭州大学学报(自然科学版) 年份：2004
本文研究由国产DD-P 250型等离子淀积设备制备的氮化硅膜的性质与膜的生长条件的关系.俄歇分析的估算表明膜的组份在纵向分布均匀,含氧量均较低（3%以下）,任何使Si/N比增大的生...
[期刊论文] 作者：傅柔励,傅丽伟,杨爱龄,
来源：发光学报 年份：2002
揭示了发光聚合物中光激发引起的一个新现象:光激发即吸收一个光子使发光聚合物中的正双极化子分裂成两个带正电的极化子,从而使发光聚合物中的磁化率改变....
[期刊论文] 作者：陈克坚,杨爱龄,江晓清,王明华,
来源：光通信技术 年份：2003
介绍了目前常用的几种光控光开关(M-Z型、平面反射型、光克尔型、NOLM型、频移型等)的工作原理、性能和应用;介绍了几类对全光开关研究有十分重要意义的新材料;最后探讨了关于如何能够更好的研究光控光开关的一些思路。......
[期刊论文] 作者：邱东江,吴惠桢,杨爱龄,徐晓玲,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：陈克坚,杨爱龄,唐奕,江晓清,王明华,
来源：光电子·激光 年份：2004
设计了一种基于全内反射原理和光生载流子注入效应的X结全内反射(TIR)全光开关.通过对传统X结的改进提高了器件的性能.模拟结果表明,改进后的X结的消光比可以达到30 dB左右....
[期刊论文] 作者：徐枝新,王明华,江晓清,周强,杨爱龄,
来源：浙江科技学院学报 年份：2004
介绍了量子限制斯塔克效应(QCSE)的主要内容，给出了QCSE在快速2×2Mach—Zehnder光空间开关中的应用,并通过光开关性能的分析，指出用矩形量子阱结构的光开关的缺点，最后提出...
[会议论文] 作者：陈克坚,杨爱龄,周剑英,江晓清,王明华,
来源：中国光学学会2004年学术大会 年份：2004
本文采用数值方法求解半导体波导材料中的光生载流子影响折射率变化的连续性方程,得到了瞬态下折射率变化的时间和空间的分布情况。为更好的研究和制作全内反射型的高速全光...
[期刊论文] 作者：张秀淼,杨爱龄,石国华,江春叶,王丹,包蕾,
来源：浙江大学学报：理学版 年份：1988
本文研究了PECVD氮化硅膜的性质与衬底温度的关系,对不同衬底温度的膜的折射率、腐蚀速率、介电特性进行了讨论;本文还指出,膜的导电机理符合Poole-Frenkel发射.C-V曲线的显...
[期刊论文] 作者：周小平,周剑英,杨爱龄,李锡华,江晓清,王明华,
来源：光电子·激光 年份：2002
在有效质量近似下,分析了GaAs/GaAlAs量子阱结构中有限深势阱(FPB)和理想的无限深势阱(IPB)的粒子的基态能级,得到零电场下等效宽度与阱真实宽度之间的显式表达式,发现结果与...
[期刊论文] 作者：周小平,周剑英,杨爱龄,李锡华,江晓清,王明华,
来源：半导体学报 年份：2004
在有效质量近似下,分析了有限深势阱的电子基态能级,并和有相同能级的无限深势阱模型作比较,用数值方法得到了不同电场下两者之间的阱宽的关系 ,首次得出经验公式,发现结果与...
[期刊论文] 作者：陈克坚,唐奕,占恒正,杨爱龄,李锡华,王明华,江晓清,
来源：半导体学报 年份：2004
基于全内反射原理和光生载流子注入效应，研究了一种Y分叉全内反射型全光开关．当控制光(波长为805nm)的强度达到150w／mm^2时，对于1310nm波长，其开关的消光比可以达到18dB，并对光注入......
[会议论文] 作者：江晓清,陈克坚,唐奕,杨爱龄,李锡华,杨建义,王明华,
来源：全国第十一次光纤通信暨十二届集成光学学术会议(OFCIO2003) 年份：2003
基于全内反射原理和光生载流子注入效应,采用扩展多模非对称Y分叉全内反射型结构,研制了一种1×2光控全光开关.对于1310nm波长,其开关的消光比可以达到18dB,同时,对光注入开关机理做了简单的探讨.......
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