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[期刊论文] 作者：曹福年,杨锡权,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
SI-GaAs衬底材科的热稳定性对于用直接离子注入工艺制作GaAs场效应器件及集成电路是至关重要的.本文采用变温霍耳效应测量、光注入瞬态电流谱(OTCS)和原子吸收光谱等方法研究...
[期刊论文] 作者：周滨,杨锡权,王占国,
来源：稀有金属 年份：1998
利用ＳＩ－ＧａＡｓ中ＥＬ２缺陷在低温下特有的光淬灭行为，提出了一个证明ＥＬ２缺陷是一个具有多个不同荷电状态的双施主中心的实验方法。讨论了该方法用于测量ＳＩ－ＧａＡｓ材料电学补偿度，进而对材料的热学稳定性进......
[期刊论文] 作者：周滨,杨锡权,王占国,
来源：Rare Metals 年份：1998
ＤｏｕｂｌｅＤｏｎｏｒＢｅｈａｖｉｏｒｏｆＥＬ２ＤｅｆｅｃｔｉｎＰｈｏｔｏｑｕｅｎｃｈｉｎｇＥｘｐｅｒｉｍｅｎｔＺｈｏｕＢｉｎ１，２，ＹａｎｇＸｉｑｕａｎ１ａｎｄＷａｎｇＺｈａｎｇｕｏ１（周滨）（杨锡权）（王占国）１．ＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＳｅｍｉ.........
[期刊论文] 作者：杨锡权,向贤碧,吴让元,
来源：半导体学报 年份：1985
本文采用DLTS方法,研究LPE-GaAs层中深电子陷阱(Es-0.72eV)的成因.通过改变外延生长条件,发现该电子陷阱的浓度明显受生长温度、降温速率及掺杂情况的影响.该陷阱中心可能是...
[期刊论文] 作者：阮圣央,张砚华,郑秉茹,杨锡权,吉秀江,
来源：半导体学报 年份：2004
利用几个特征能量参数,导出了表征SRH中心四个率参量相对比率大小的一组简单的关系式.这些关系能借助于几幅分区图形来形象地表示.以估算p-n结内深中心有效发射范围作为实例,...
[期刊论文] 作者：徐波,王占国,万寿科,孙红,张辉,杨锡权,林兰英,
来源：半导体学报 年份：1994
本文用光电导的实验方法对ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ单晶中ＥＬ２能级的光淬灭过程进行了研究．通过对实验结果的分析，提出了一种解释ＥＬ２淬灭过程中ＥＰＣ现象起因的模型：光照前因补偿受主而已经电离的一部分ＥＬ２中心在近红外......
[期刊论文] 作者：曹福年,杨锡权,刘巽琅,吴让元,惠峰,何宏家,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
SI-GaAs衬底材科的热稳定性对于用直接离子注入工艺制作GaAs场效应器件及集成电路是至关重要的.本文采用变温霍耳效应测量、光注入瞬态电流谱(OTCS)和原子吸收光谱等方法研究...
[期刊论文] 作者：王占国,戴元筠,徐寿定,杨锡权,万寿科,孙虹,林兰英,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
本文利用多种实验手段,包括OTCS,DLTS,低温PL等,对影响LEC SI-GaAs单晶电学性质热不稳定的可能因素进行了系统研究.在仔细分析对比文献发表的实验结果的基础上,提出了普遍成...
[期刊论文] 作者：阮圣央,周洁,张砚华,吉秀江,郑秉茹,李树英,杨锡权,谭飞,
来源：半导体学报 年份：1984
用三种钯源对p~+nn~+和n~+pp~+硅二极管进行了扩散掺杂,井用深能级电容瞬态谱仪(DLTS)对它们作了测量.在适当的工艺条件下,在各类样品中均观察到能量为E_c-0.37eV和E_c-0.62e...
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