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[学位论文] 作者：檀柏梅,
来源：河北工业大学 年份：1999
该文通过X射线双晶衍射、化学腐蚀观察、高压透射分析电子显微镜等方法对掺锗者直拉硅中氧的沉淀行为进行了较为系统的研究,着重分析了锗的掺杂浓度、热处理温度、热处理时间...
[期刊论文] 作者：胡新星, 檀柏梅,,
来源：硅酸盐通报 年份：2018
硅溶胶等残留颗粒是铜CMP后清洗需要去除的沾污之一。在FA/OⅡ螯合剂的协同作用下,对比了八种表面活性剂和四种添加剂对铜表面颗粒沾污去除的影响,表面活性剂包括阴离子型ALS...
[期刊论文] 作者：王一寰,檀柏梅,,
来源：光电技术应用 年份：2007
阐述了基于太阳能的白光LED照明技术原理,通过介绍太阳能光伏发电LED照明应用系统中的3个典型例子,分析了在系统设计中需要考虑和注意的问题,并针对当前设计中普遍存在的一些...
[期刊论文] 作者：刘玉岭,檀柏梅,
来源：稀有金属 年份：2000
对超大规模集成电路制备中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件的选择进行了大量理论和实验研究，着重研究了使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及如何解决抛光浆料的沉积......
[期刊论文] 作者：檀柏梅,刘玉岭,
来源：电子器件 年份：2001
对甚大规模集成电路(ULSI)多层布线中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件选择、抛光液成分与作用等进行了综合分析，如何使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及解决金属离...
[期刊论文] 作者：张维连,檀柏梅,
来源：半导体杂志 年份：1999
在退火处理时，Ｇｅ易与Ｓｉ中Ｏ形成易挥发的ＧｅＯ复合体，使硅片表面洁净区的形成受氧的外扩散和ＧｅＯ挥发两种因素制约。即从效果上看，Ｇｅ增强了氧的外扩散，有利于内吸附工艺的实现。......
[期刊论文] 作者：宋雯,檀柏梅,戚帆,,
来源：半导体技术 年份：2012
浅沟槽隔离(STI)工艺由于具有制程温度低、无鸟嘴效应、表面平坦化好等优点而成为MOS器件的主要隔离技术。使用TCAD软件分别对采用65 nm工艺具有不同STI宽度(WSTI)的nMOS/pMO...
[期刊论文] 作者：李伟,赵毅强,孙权,檀柏梅,,
来源：激光与红外 年份：2009
介绍了一种基于电流镜积分（CMI）的红外探测器的读出电路，运用宽摆幅自偏置电流镜结构对CMI电路进行了改进，该结构由宽摆幅自偏置P型折叠共源共栅电流镜与N型电流镜反馈结构组成，在......
[期刊论文] 作者：檀柏梅,刘玉岭,连军,
来源：河北工业大学学报 年份：2001
对超大规模集成电路(ULSI)制备中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件选择、抛光液成分与作用等进行了综述,对抛光浆料及抛光工艺中存在的一些难题进行了分析,对如何提高抛光速...
[期刊论文] 作者：王新,刘玉岭,檀柏梅,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
文中介绍了一种以碱性抛光液对铜进行全局平面化的方法 ,讨论了以 Si O2 水溶胶为磨料的抛光液在Cu-CMP过程中的化学 (络合 )作用及反应机理 ,并给出了抛光液的配比及上机实...
[会议论文] 作者：檀柏梅;刘玉岭;王胜利;,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
表面活性剂以其特有的降低表面张力特性,分散悬浮及润湿渗透作用在微电子工业中应用越来越广泛,尤其是在硅材料的切片、磨片、抛光及清洗工艺中的应用已成为减少损伤、缺陷和...
[期刊论文] 作者：刘玉岭,李薇薇,檀柏梅,
来源：洗净技术 年份：2003
本文指出了清洗工艺在集成电路制程中的重要性,详细介绍了目前广泛采用的几种清洗方法的清洗原理、特点、存在的问题以及发展的方向....
[期刊论文] 作者：李海清,高宝红,檀柏梅,,
来源：微纳电子技术 年份：2016
掺硼金刚石(BDD)薄膜电极析氧电位高、背景电流小、耐腐蚀的特性,使其在电化学应用方面受到广泛关注。采用热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,在钽基底上制备了不同掺硼质量浓度的...
[期刊论文] 作者：刘玉岭,李薇薇,檀柏梅,
来源：河北工业大学学报 年份：2002
介绍了微电子行业的清洗现状以及其工艺的清洗原理(包括颗粒、金属离子等),分析了存在的问题,阐述了硅片清洗的急待解决的难题和ODS(破坏臭氧层物质)清洗液的替代问题.说明了...
[期刊论文] 作者：戚帆,檀柏梅,翁坤,宋雯,,
来源：电子器件 年份：2013
随着功率器件尺寸的不断缩小,绝缘体上硅技术所受的关注度日益增加。在0.18μm工艺条件下基于SOI技术,运用SILVACO公司的工艺仿真（Athena）和（Atlas）器件仿真模拟软件,完成了对60...
[会议论文] 作者：刘玉岭,孙守梅,檀柏梅,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
主要介绍了作为扩散阻挡层的几种材料:TiN,Ta,TaN,WNx的性质和制备以及作为扩散阻挡层材料各自的优点和及缺点.最后,简单介绍了一种三元化合物扩散阻挡层材料....
[会议论文] 作者：刘玉岭;檀柏梅;李薇薇;,
来源：2004年全国电子专用化学品高新技术与市场研讨会 年份：2004
本文介绍了河北工业大学微电子研究所发明成果：15～20 nm铜的CMP碱性抛光液、阻挡层CMP碱性抛光液、用于介质CMP的120nm水溶胶磨料抛光液、内连线钨和铝插塞的CMP纳米SiO2磨料碱...
[会议论文] 作者：孙军生,檀柏梅,张颖怀,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：赵之雯,檀柏梅,刘玉岭,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
本文主要分析评述了半导体材料中的硅及其化合物的刻蚀工艺及反应机理,对硅及二氧化硅、氮化硅的不同刻蚀工艺进行了对比分析,并就其发展趋势进行了展望....
[期刊论文] 作者：邓海文,檀柏梅,张燕,顾张冰,,
来源：电子元件与材料 年份：2015
采用自主研发的FA/O碱性清洗液对多层Cu布线表面粗糙度进行优化。通过改变清洗液中螯合剂与活性剂的体积分数，做单因素实验，得到最佳配比。利用原子力显微镜观察布线片表面清洗......
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