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[期刊论文] 作者：武世香,
来源：传感器技术 年份：1990
三、pH-ISFET的设计与制作 (一)pH-ISFET的设计原则 pH-ISFET的设计原则与普通MOS-FET基本相同,后者已是较为普及的知识,故此处着重讨论pH-ISFET设计中需特殊考虑的问题...
[期刊论文] 作者：武世香,虞惇,
来源：传感器技术 年份：1991
随着ISFET的有关研究日益深化及器件稳定性、可靠性的不断提高,在越来越多的场合下可以用其取代传统的离子选择电极(ISE),同时由于其小型、快速的特点,又开辟了许多新的...
[期刊论文] 作者：武世香,虞悼,
来源：传感器技术 年份：1990
第四讲 离子敏场效应器件 五、以pH-ISFET为基础的ISFET及CHEMFET敏感膜制备工艺 如前所述,在巳制成的Si_3N_4膜pH-ISFET敏感栅上再复盖一层对某种离子或化学物质敏感的...
[期刊论文] 作者：武世香,虞惇,
来源：传感器技术 年份：1990
随着ISFET性能的改进和种类的增多,有关其应用研究愈来愈深入。到目前为止,实验室内的应用研究已取得了可喜的进展;这予示着在不久的将来,在生物医学、临床诊断和分析化...
[期刊论文] 作者：武世香,邹斌,
来源：电子工业专用设备 年份：1994
本文介绍一种新型双面对版曝光机。该机由传统的单面曝光机改装而成，结构简单，工作原理新颖，操作简便，能方便地在任意中间工序实现晶片定向和双面图形对准曝光。双面图形对准偏差......
[期刊论文] 作者：武世香,虞惇,
来源：传感器技术 年份：1991
pH-ISFET的特性参数可分为电学和电化学特性参数两大类。 一、电学特性及参数 ISFET虽有其特殊性,但仍然是场效应晶体管,与MOSFET所不同的只是它没有金属栅,其被测液代...
[期刊论文] 作者：武世香,虞惊,
来源：传感器技术 年份：1991
离子敏场效应晶体管可以看作是由化学量向电量的转换元件(敏感膜)与放大器(场效应管)紧密结合的产物。这一结构特点能保证器件尺寸缩小时仍然具有良好的信噪比。这是离...
[期刊论文] 作者：武世香,虞椁,
来源：传感器技术 年份：1990
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[期刊论文] 作者：王贵华,武世香,
来源：传感器技术 年份：1992
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[期刊论文] 作者：武世香,陈士芳,
来源：哈尔滨工业大学学报 年份：1994
在不用金作掩蔽膜的情况下，在氢氟酸混合液中对采用直流反应溅射方法制备的Ｔａ２Ｏ５薄膜进行选择性腐蚀，制成Ｔａ２Ｏ５膜Ｈ＾＋－ＩＳＦＥＴ．测试结果表明，该器件在灵敏度，线性范围，线性度，响应时间，滞后，时漂和选择性等方......
[期刊论文] 作者：武世香,陈士芳,
来源：半导体杂志 年份：1989
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[期刊论文] 作者：王政祥,武世香,
来源：传感器技术 年份：1990
本文介绍了以pH-ISFET为检测器的电位滴定系统,研究了强酸与强碱的滴定。用pH-ISFET作为检测器,与其它种类检测器的滴定规律相似,pH-ISFET电位滴定系统可将被检测液的浓度下...
[期刊论文] 作者：武世香,邹斌,陈士芳,
来源：电子工业专用设备 年份：1994
本文介绍一种新型双面对版曝光机。该机由传统的单面曝光机改装而成，结构简单，工作原理新颖，操作简便，能方便地在任意中间工序实现晶片定向和双面图形对准曝光。双面图形对准偏差......
[期刊论文] 作者：武世香,虞惇,王贵华,
来源：传感器技术 年份：1990
四、pH-ISFET敏感膜制备 如前所述,离子敏器件敏感膜的质量直接影响着器件的响应灵敏度、阈值电压等一系列性能参数及其稳定性。因此,在电学性能合格的场效应管上制作高质量...
[期刊论文] 作者：王东红,虞惇,武世香,
来源：传感技术学报 年份：1992
作者以提高H~+-ISFET可靠性为目的,对它的失效现象进行了探讨,并提出了防止这种失效现象的方法.1 H~+-ISFET输出特性劣化现象本实验所分析的H~+-ISFET均为n沟道耗尽型,其结构...
[期刊论文] 作者：王贵华,虞惇,武世香,
来源：传感器技术 年份：1987
离子敏场效应晶体管ISFET是一类正在发展中的微型化学传感器。它既具有离子选择性电极相似的功能,又具备微电子器件的重要特征,因而是一类极有前途的、富有生命力的器件。目...
[期刊论文] 作者：武世香,虞椁,王贵华,
来源：传感器技术 年份：1990
二、pH-ISFET的基本结构与工作原理 氢离子敏场效应晶体管(pH-ISFET)与MOSFET的区别仅在于后者的金属栅被氢离子敏感膜所代替,二者都是建立在半导体表面场效应基础上的器件,...
[期刊论文] 作者：虞惇,王贵华,武世香,,
来源：化学传感器 年份：1991
引言ISFET 具有重量轻、体积小、响应快以及易于实现集成化和多功能化等特点,倍受人们的重视;但是这类器件至少在现阶段还存在着时漂、温漂和滞后量大等不足,影响了测量精度...
[期刊论文] 作者：虞惇,王贵华,武世香,
来源：传感器技术 年份：1992
随着ISFET研究的深入,与之相应的分析测试技术和测量仪器也在不断地更新和完善,这对提高测量的可靠性和分析精度起着重要的作用。本节予以介绍。 (一)仪器放大器型ISFET分析...
[期刊论文] 作者：虞惇,王贵华,武世香,
来源：传感器技术 年份：1992
随着ISFET性能的改进和种类的增多,有关其应用研究愈来愈深入。到目前为止,实验室内的应用研究已取得了可喜的进展;这予示着在不久的将来,在生物医学、临床诊断和分析化学等...
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