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[学位论文] 作者：段小蓉,
来源：武汉轻工大学 年份：2023
网络社会化、保鲜技术、冷链物流的发展,都使得农业生产及消费全球化。食品生产、加工和销售全方面“工业化”导致环境恶化、食源性疾病增加、不习惯的味道、食品质量下降等诸多现象。随着人们生活水平及对生活质量追求的提高,健康和环境越来越受到消费者的重视......
[会议论文] 作者：何燕冬,段小蓉,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
随着器件尺寸的不断缩小，器件中横向电场和纵向电场逐渐增大，在pMOSFET中NBTI和HCI退化越来越突出。本文主要研究了在NBTI和HCI退化共同作用下，纳米尺度pMOSFET的退化规律，通...
[期刊论文] 作者：许铭真,谭长华,段小蓉,
来源：半导体学报 年份：2006
利用电子速度饱和概念和比例差值方法(proportional difference operator,PDO)研究了超薄SiO2在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压的变化所呈现的饱和性质.实验证明了第一次...
[会议论文] 作者：许铭真,谭长华,段小蓉,
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
软击穿后的MOS器件的微分电导谱已用于研究软击穿后的超薄SiO2的电导性质，结果表明：软击穿后的超薄SiO2的栅电流－栅电压特性的微分电导谱具有两个谱峰，低电压的谱峰源于隧道电子......
[会议论文] 作者：许铭真,谭长华,段小蓉,
来源：第八届全国固体薄膜学术会议 年份：2002
随着ULSI集成度的迅速提高,MOS器件尺寸已进入0.1微米量级.按等比例缩小规则,栅氧化层厚度已小于4nm.在MOS器件的正常工作电压下,超薄氧化膜的电流传导机制已由直接隧道电流...
[期刊论文] 作者：许铭真,谭长华,何燕冬,段小蓉,
来源：半导体学报 年份：2005
研究了2.5nm超薄氮氧硅薄膜的软击穿电导特性.统计实验结果表明,软失效电导和软失效时间与环境温度之间均遵从AHhenius规则,而且软失效电导和软失效时间遵从一个反对称的规律...
[期刊论文] 作者：贾高升,许铭真,谭长华,段小蓉,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
应用直接隧道比例差分（DTPDO）谱技术研究了深亚微米MOS器件超薄栅氧化层的应力诱生缺陷。实验结果发现超薄栅氧化层直接隧道栅电流的比例差分谱存在明显的三个谱峰。这意味着在......
[会议论文] 作者：许铭真,谭长华,段小蓉,何燕冬,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文用电子速度饱和概念和比例差值方法(PDO)研究了超薄Si02在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压的变化所呈现的饱和性质.实验证明了第一次软击穿以后栅电流随着栅电压变化的...
[会议论文] 作者：许铭真,谭长华,何燕冬,段小蓉,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
在早期的温度加速研究中,广泛采用阿尔赫留斯(Arrhenius)方程来描述介质的时变相关击穿时间(TDDB),随着超大规模集成电路集成度的迅速增大,当SiO厚度小于7nm以后,人们发现,t不仅与应力电压(电场)有关,而且与温区有关,人们称这种t温度特性为非阿尔赫留斯(Non-Arr......
[期刊论文] 作者：王彦刚,许铭真,谭长华,段小蓉,
来源：物理学报 年份：2005
研究了恒压应力下超薄栅氧化层n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)软击穿后的导电机制.发现在一定的栅电压Vg范围内,软击穿后的栅电流Ig符合Fowler-Nordheim隧穿公...
[期刊论文] 作者：王彦刚,许铭真,谭长华,段小蓉,
来源：半导体学报 年份：2005
研究了在恒压应力下超薄栅nMOSFET软击穿后的衬底电流特性．软击穿时间由衬底电流随时间的弛豫特性和器件输出特性测量时监测的衬底电流突变确定．发现软击穿时间的威布尔斜率和......
[期刊论文] 作者：王芳宇,段小蓉,曹丽敏,何丽芳,
来源：衡阳师范学院学报 年份：2007
生命科学是一门实验性很强的学科，具有实验课程门类多，实验项目多的特点，合理设置实验室、合理安排实验内容，既有助于学生对理论知识的掌握，也有利于培养学生的实践动手能力和科研......
[期刊论文] 作者：许铭真，谭长华，段小蓉，XuMingzhen，TanChanghua，DuanXiaorong,
来源：城市道桥与防洪 年份：2006
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：穆甫臣,许铭真,谭长华,段小蓉,
来源：半导体学报 年份：2001
对氧化层厚度为 4和 5 nm的 n- MOSFETs进行了沟道热载流子应力加速寿命实验 ,研究了饱和漏电流在热载流子应力下的退化 .在饱和漏电流退化特性的基础上提出了电子流量模型 ,...
[期刊论文] 作者：穆甫臣,许铭真,谭长华,段小蓉,
来源：半导体学报 年份：2001
通过对不同氧化层厚度的 N- MOSFET在各种条件下加速寿命实验的研究 ,发现栅电压漂移符合 Weibull分布 . Weibull分布统计分析表明 ,5 .0、 7.0和 9.0 nm器件在 2 7和 10 5℃...
[期刊论文] 作者：王彦刚,许铭真,谭长华,段小蓉,,
来源：半导体学报 年份：2006
研究了超薄栅氧化层(≤3.0nm)软击穿(softbreakdown,SBD)后的栅电流和衬底电流特性.提出了一个基于类渗流导电的SBD后栅电流和衬底电流的解析公式———类渗流导电公式.该公...
[会议论文] 作者：许铭真,谭长华,卫建林,段小蓉,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：穆甫臣,许铭真,谭长华,段小蓉,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文对4-9nm n-MOSFETs进行了沟道热载流子应力加速寿命实验,在饱和漏电流退化特性的基础上提出了适用不同氧化层厚度器件的寿命预测模型,并进行了寿命预测....
[会议论文] 作者：许铭真,段小蓉,金立之,解冰,谭长华,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
...
[期刊论文] 作者：奚静,黄勤,鲁友生,刘伟,段小蓉,叶虎,栾荣生,,
来源：中国初级卫生保健 年份：2016
目的全面了解凉山州政府多部门开展艾滋病防治工作的现状,分析其面临的主要挑战,为推进政府多部门开展艾滋病防治工作提供决策依据。方法采用个人深入访谈法、非概率抽样的方...
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