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[期刊论文] 作者：殷华湘,徐秋霞,
来源：电子学报 年份：2005
建立在SOI衬底上的 FinFET结构被认为是最具全面优势的非常规MOS器件结构.本文通过合理的设计将FinFET结构迁移到普通体硅衬底上,利用平面凹槽器件的特性解决了非绝缘衬底对...
[期刊论文] 作者：殷华湘,徐秋霞,
来源：半导体学报 年份：2003
介绍了一种制作在普通体硅上的CMOS FinFET。除了拥有和原来SOI上FinFET类似的FinFET结构，器件本身在硅衬底中还存在一个凹槽平面MOSFET，同时该器件结构与传统的CMOS工艺完全...
[期刊论文] 作者：殷华湘,徐秋霞,
来源：半导体学报 年份：2002
描述了一种用综合性方法设计的亚50nm自对准双栅MOSFET，该结构能够在改进的主流CMOS技术上实现。在这种方法下，由于各种因素的影响，双栅器件的栅长、硅岛厚度呈现出不同的缩减限......
[期刊论文] 作者：张璐,张亚东,殷华湘,
来源：微纳电子技术 年份：2021
对目前基于过渡金属硫族化合物(TMD)材料(MoS2、WSe2等)的互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器电路相关研究进行了综述.总结了TMD材料的物理性质、制备方法和基于TMD的场效应晶...
[期刊论文] 作者：殷华湘,徐秋霞,
来源：半导体学报 年份：2000
Very shallow junctions for S/D extension in deep sub|micron CMOS devices are required to suppress the short channel effect as devices scaling down,and the surfa...
[期刊论文] 作者：殷华湘,徐秋霞,
来源：半导体学报 年份：2002
描述了一种用综合性方法设计的亚 5 0 nm自对准双栅 MOSFET,该结构能够在改进的主流 CMOS技术上实现 .在这种方法下 ,由于各种因素的影响 ,双栅器件的栅长、硅岛厚度呈现出不...
[期刊论文] 作者：殷华湘，徐秋霞，YINHua-xiang，XUQiu-xia,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：侯朝昭,姚佳欣,殷华湘,,
来源：半导体技术 年份：2017
对目前垂直纳米线晶体管的制备技术进行了综述。首先根据器件结构取向介绍了纳米线晶体管的分类,即水平纳米线晶体管和垂直纳米线晶体管,比较了这两类不同结构晶体管的优缺点...
[期刊论文] 作者：陶桂龙, 许高博, 殷华湘, 徐秋霞,,
来源：微纳电子技术 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者：杨君,殷华湘,贾云丛,李贞杰,
来源：电子元件与材料 年份：2015
介绍了导电胶的基本分类以及导电胶的渗透理论;讨论了各向异性导电胶（ACA）、各向同性导电胶（ICA）、绝缘粘合剂（NCA）在倒装芯片互连结构中的应用;分析了导电胶互连的可靠性。最后展......
[期刊论文] 作者：殷华湘,王云翔,刘明,徐秋霞,
来源：微电子学 年份：2003
为了在体硅CMOS FinFET中用等离子体腐蚀精细凹槽图形,研究了将电子束直写曝光用于原为深紫外光学曝光的UV3正性抗蚀剂的工艺技术;详细分析了包括膜厚、曝光能量、曝光剂量、...
[期刊论文] 作者：杨君,殷华湘,贾云丛,李贞杰,,
来源：电子元件与材料 年份：2015
柱电极垂直穿通硅片衬底的3D探测器和传统平面硅基探测器相比，具有耐辐射性、快速响应、低耗尽电压等优势，然而其器件结构、制备工艺以及系统集成上与传统结构不同，面临众多的技......
[会议论文] 作者：殷华湘,王云翔,刘明,徐秋霞,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
电子束曝光SAL-601(ER7)负性抗蚀剂主要用于凸立的精细线条图形制作,徐秋霞、刘明[1]等人已经成功地制备了线宽小于70nm的孤立线条(Isolated Line).本文重点研究小于50nm的孤...
[会议论文] 作者：高文方,殷华湘,索俊生,徐秋霞,
来源：第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：1999
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[会议论文] 作者：殷华湘;徐秋霞;李俊峰;郝秋华;,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
深亚微米CMOS工艺中由注入掺杂形成P型和N型双栅.P型栅中的硼(B)在源漏热退火时会穿透(Penetration)超薄栅氧化层进入沟道引起器件性能的劣化.通常采用氮化氧化层来抑制小尺...
[会议论文] 作者：殷华湘,高文方,索俊生,徐秋霞,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：刘瑶光,殷华湘,吴次南,许高博,翟琼华,
来源：传感技术学报 年份：2020
硅漂移探测器(SDD)因能量分辨率高和计数率高广泛应用于X射线的探测分析。阐述了同心圆环结构的圆柱形硅漂移探测器的工作原理,基于该结构采用TCAD仿真其内部电势分布、电场...
[期刊论文] 作者：李贞杰,贾云丛,胡凌飞,刘鹏,殷华湘,,
来源：Chinese Physics C 年份：2016
The silicon pixel sensor(SPS) is one of the key components of hybrid pixel single-photon-counting detectors for synchrotron radiation X-ray detection(SRD). In t...
[期刊论文] 作者：张璐,张亚东,孙小婷,贾昆鹏,吴振华,殷华湘,
来源：半导体光电 年份：2021
二硒化钨(WSe2)具有双极导电特性,可以通过外界掺杂或改变源漏金属来调节载流子传输类型,是一类特殊的二维纳米材料,有望在未来集成电路中成为硅(Si)的替代材料。文章采用理论与实验相结合的方式系统分析了WSe2场效应晶体管中的源漏接触特性对器件导电类型及载......
[期刊论文] 作者：孟令款,殷华湘,徐秋霞,陈大鹏,叶甜春,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2012
随着CMOS集成电路技术节点缩减到45 nm及以下,高K金属栅(HK/MG)的后栅集成工艺已逐渐成为先进集成电路制造中的主流技术。其中金属栅(假栅)集成结构的平坦化是实现后栅集成的...
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