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[学位论文] 作者：洪根深,,
来源：四川大学 年份：2004
离子注入是制作半导体器件和集成电路的重要工艺之一。对于Si而言，离子注入技术已经相当成熟，但对于SiC，则仍然是需要进一步研究的课题。本文就利用椭圆偏振光技术、拉曼光谱和......
[期刊论文] 作者：彭力,洪根深,,
来源：微电子学 年份：2005
介绍了部分耗尽SOI MOSFET中的浮体效应;简要描述了浮体效应的物理机制、测试结果,以及减小浮体效应的方法;同时,给出了在有体接触的情况下出现kink效应的测试结果....
[期刊论文] 作者：洪根深,顾爱军,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2012
0.5μm部分耗尽SOI MOSFET的寄生双极效应严重影响了SOI器件和电路的抗单粒子和抗瞬态γ辐射能力。文中显示,影响0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET寄生的双极器件特性的因素很多,包...
[期刊论文] 作者：徐静,陈玉蓉,洪根深,,
来源：电子与封装 年份：2012
采用silvaco软件对抗辐射不同沟道宽度的PD SOI NMOS器件单元进行了三维SEU仿真,将瞬态电流代入电路模拟软件HSPICE中进行SRAM存储单元单粒子翻转效应的电路模拟。通过这种电...
[期刊论文] 作者：肖志强,洪根深,张波,
来源：电子与封装 年份：2005
本文重点介绍了0.8μm PD SOI MOS器件的结构、KINK效应、热载流子效应和自加热效应等,并对这些特性从物理机理上进行了简要的阐述....
[期刊论文] 作者：徐静,陈正才,洪根深,,
来源：电子与封装 年份：2012
采用silvaco软件对抗辐射PDSOIBTSNMOS器件进行了三维SEU仿真。器件建模采用devedit软件，工艺参考标准0．8μmPDSOI工艺平台。器件基于SIMOXS01材料，其埋氧层厚度为375nm，顶层硅膜...
[期刊论文] 作者：顾爱军,孙锋,洪根深,,
来源：微电子学 年份：2007
横向SOI双极技术具有工艺简单、寄生电容小等优势,被认为是射频领域最有希望的技术之一。为了得到可用于射频领域的SOI横向栅控双极晶体管特性,采用一种SOI横向栅控双极晶体...
[期刊论文] 作者：邬瑞彬, 候永, 洪根深, 龚敏,,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：2003
作者通过氢气表面热处理,获得了具有较好特性的Al/n-6H-SiC欧姆接触.在这种H2处理后的SiC表面,可以直接通过蒸铝(Al)形成欧姆接触,而无须进行退火处理.该方法也适用于低掺杂...
[期刊论文] 作者：顾祥, 陈天, 洪根深, 赵文彬,,
来源：电子与封装 年份：2018
随着MOSFET栅氧厚度的逐渐减薄,栅致漏极泄漏(GIDL)电流呈指数级增加,当工艺进入超深亚微米节点,器件的栅氧厚度不足2 nm,短沟器件的GIDL效应非常强烈。研究了相关工艺对器件...
[期刊论文] 作者：洪根深,吴建伟,高向东,王栩,,
来源：电子与封装 年份：2013
基于ONO（Oxide-Nitride-Oxide）和MTM（Metal-to—Metal）反熔丝技术的可编程存储及逻辑器件已经广泛应用于空间技术中。MTM反熔丝以其单元面积小、集成度高、反熔丝电容小和编程后...
[期刊论文] 作者：洪根深,肖志强,王栩,周淼,,
来源：微电子学 年份：2012
对0.5μm部分耗尽SOI NMOSFET热载流子的可靠性进行了研究。在Vds=5V,Vgs=2.1V的条件下,加电1 000s后,宽长比为4/0.5的部分耗尽SOI H型栅NMOSFET的前栅阈值电压的漂移(ΔVt/V...
[期刊论文] 作者：李燕妃, 吴建伟, 顾祥, 洪根深,,
来源：电子与封装 年份：2018
随着空间技术和核技术的快速发展,越来越多的先进半导体器件应用于军事和航天电子系统。利用TCAD模拟仿真软件,设计一种抗辐射加固30 V N型LDMOS器件结构,开展LDMOS器件的单...
[期刊论文] 作者：徐海铭,王印权,郑若成,洪根深,,
来源：电子与封装 年份：2017
主要研究了一种新型MTM反熔丝结构的电特性,未编程反熔丝漏电和击穿以及编程特性,有助于电路的编程电流设计,也为反熔丝击穿和漏电的标准制定提供参考。该研究对电极和温度特...
[期刊论文] 作者：肖志强,洪根深,张波,刘忠立,
来源：半导体学报 年份：2006
介绍了采用全剂量SIMOX SOI材料制备的0．8μm SOI CMOS器件的抗总剂量辐射特性，该特性用器件的阈值电压、漏电流和专用集成电路的静态电流与高达500krad（Si）的总剂量的关系来表征...
[期刊论文] 作者：肖志强,洪根深,张波,刘忠立,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2006
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：肖志强,洪根深,张波,刘忠立,,
来源：半导体学报 年份：2006
介绍了采用全剂量SI MOX SOI材料制备的0·8μmSOI CMOS器件的抗总剂量辐射特性,该特性用器件的阈值电压、漏电流和专用集成电路的静态电流与高达500krad(Si)的总剂量的关系...
[期刊论文] 作者：寇春梅, 谢儒彬, 洪根深, 吴建伟,,
来源：电子与封装 年份：2016
对国内标准商用0.18μm工艺MOSFET和电路进行总剂量效应研究。其STI隔离区域二氧化硅在总剂量达到50k rad（Si）时,端口3.3 V NMOS晶体管漏电达到了10-9A级,达到100k rad（Si）以上时...
[期刊论文] 作者：罗静,颜燕,罗晟,洪根深,胡永强,,
来源：电子与封装 年份：2011
ESD设计技术已成为业界提升SOI电路可靠性的一个瓶颈技术。文章介绍了一款具有抗辐照能力、基于SOI／CMOS工艺技术研制的容量为256kB只读存储器电路的ESD设计方案。结合电路特...
[期刊论文] 作者：李燕妃,吴建伟,谢儒彬,洪根深,,
来源：电子与封装 年份：2017
宇宙空间存在大量高能粒子,这些粒子会导致空间系统中的CMOS集成电路发生单粒子闩锁。基于0.18μm CMOS工艺,利用TCAD器件模拟仿真软件,开展CMOS反相器的单粒子闩锁效应研究...
[期刊论文] 作者：廖伟,罗小蓉,廖勇明,洪根深,龚敏,
来源：四川大学学报：自然科学版 年份：2001
在p型及n型 6H -SiC外延衬底上成功地制备了MOS电容 ,通过高频C～V测试 ,研究了SiO2 /SiC系统的物理性质和电学性质 .发现在SiO2 /p -SiC界面存在大量的施主型界面态 ,在p -SiC...
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