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[期刊论文] 作者：赵以贵,刘明,牛洁斌,,
来源：传感器与微系统 年份：2008
简要叙述了声表面波（SAW）化学战剂传感器的传感原理和研究进展。详细阐述了高Q低插损SAW振荡电路的设计、敏感膜材料和成膜技术的研究进展，指出了SAW化学战剂传感器发展的趋势。......
[期刊论文] 作者：赵以贵,刘明,牛洁斌,陈宝钦,,
来源：压电与声光 年份：2010
电子束光刻（EBL）具有高的分辨率,能制备具有亚微米尺寸的声表面波（SAW）器件。一种采用EBL技术制备用于气体传感器的具有亚微米尺寸的SAW延迟线的方法：首先利用EBL在压电衬底上获得......
[期刊论文] 作者：赵珉,刘桂英,陈宝钦,牛洁斌,
来源：微纳电子技术 年份：2013
为了提高电子束光刻的图形质量及光刻分辨率,从入射束能和束流密度等方面探讨了克服邻近效应影响的途径,在制备亚30 nm结构图形时采用零宽度线曝光的方法.该方法把版图上线条...
[期刊论文] 作者：赵珉,朱齐媛,陈宝钦,牛洁斌,,
来源：半导体技术 年份：2013
为了满足越来越多的特殊结构纳米电子器件的制作要求,亟需进一步提高电子束光刻的分辨率与质量,选择适合的高分辨率电子束抗蚀剂材料显得尤为重要。从曝光剂量以及显影与烘烤...
[期刊论文] 作者：赵珉,陈宝钦,牛洁斌,谢常青,刘明,,
来源：微纳电子技术 年份：2011
首先从实验现象出发,阐述了纳米级高密度、高深宽比电子抗蚀剂图形结构发生倒塌与粘连的主要几何因素及其关系。除了结构的几何因素外,结合“Beam Sway”模型分析了抗蚀剂微...
[期刊论文] 作者：赵珉,陈宝钦,谢常青,刘明,牛洁斌,,
来源：微纳电子技术 年份：2010
准确提取电子散射参数是确保纳米级电子柬光刻邻近效应校正精度的关键。采用了一种不基于线宽测量和非线性曲线拟合的电子散射参数提取的方法。邻近效应校正的近似函数采用双...
[期刊论文] 作者：陈立强,张海英,尹军舰,钱鹤,牛洁斌,
来源：半导体学报 年份：2005
报道了具有良好直流特性的晶格匹配InP基HEMT，器件的跨导为600mS／mm，阈值电压为-1．2V，最大电流密度为500mA／mm，截止频率为120GHz．...
[期刊论文] 作者：李冬梅,王旭波,潘峰,牛洁斌,刘明,
来源：压电与声光 年份：2005
为了增加高频声表面波器件用Al薄膜的功率承受力以及与基体的附着力,同时不增加薄膜在化学反应刻蚀中的难度,并精确地控制图形的尺寸,采用电子束蒸镀法研究了Zr过渡层和薄膜...
[期刊论文] 作者：陈立强,张海英,尹军舰,钱鹤,牛洁斌,
来源：半导体学报 年份：2005
报道了具有良好直流特性的晶格匹配 InP基 HEMT,器件的跨导为 600mS/mm,阈值电压为-1 2V,最大电流密度为500mA/mm,截止频率为120GHz.The lattice matching InP based HEMT...
[期刊论文] 作者：刘果果,魏珂,黄俊,刘新宇,牛洁斌,
来源：红外与毫米波学报 年份：2011
报道了最大振荡频率为200 GHz的基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）.外延材料结构采用InGaN背势垒层来减小短沟道效应,器件采用凹栅槽和T型栅结合的工艺,实现...
[期刊论文] 作者：李海亮,史丽娜,牛洁斌,王冠亚,谢常青,
来源：光学精密工程 年份：2017
为得到同步辐射光源硬X射线波段(>2keV)需要的高宽比高分辨率波带片，本文利用高加速电压（100kV)电子束光刻配合Si3N4镂空薄膜直写来减少背散射的方法，对硬X射线波带片制作技术进...
[会议论文] 作者：张建宏,陆晶,陈宝钦,刘明,牛洁斌,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
本文重点介绍利用可变矩形束电子束曝光机精确制版中间掩模板或在硅片上直写图形时,如何通过校准子程序对电子束的形态及位置进行调整,使制版的精度要求得到保证.经过调整,使...
[期刊论文] 作者：刘果果,魏珂,黄俊,刘新宇,牛洁斌,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2011
报道了最大振荡频率为200 GHz的基于蓝宝石衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).外延材料结构采用InGaN背势垒层来减小短沟道效应,器件采用凹栅槽和T型栅结合的工艺,实...
[会议论文] 作者：牛洁斌,陈菁菁,刘明,陈宝钦,王云翔,
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
随着移动通讯系统的迅速发展,声表面波器件(SAW)使用频率不断提高,从最初的几MHz到现在的几GHz,其线宽也进入亚微米、深亚微米阶段,如何制得精细的叉指换能器电极成为声表器件制作的关键.本文重点介绍采用具有比光学曝光设备更高精度的JBX 5000LS电子束光刻系统......
[期刊论文] 作者：尹军舰,陈立强,汪宁,张海英,刘训春,牛洁斌,,
来源：电子器件 年份：2006
阐述了一种新型的In0.80Ga0.02As／In0.053。Ga0.47 As双沟道InP HEMT结构。采用这种双沟道结构能够有效地提高沟道中电子的迁移率，减小碰撞电离对HEMT性能的影响;从而既显著提...
[期刊论文] 作者：陈宝钦, 赵珉, 吴璇, 牛洁斌, 刘键, 任黎明, 王琴,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。介绍了中国科学院微电子研究所拥有JEOLJBX5000LS、JBX6300FS纳米电...
[期刊论文] 作者：何宽,易涛,刘慎业,牛洁斌,陈宝钦,朱效立,,
来源：微纳电子技术 年份：2014
研究了采用高分辨率的100 kV电子束光刻和光学光刻系统相结合制作高线密度X射线双光栅的工艺技术,并且分析了电子束邻近效应校正技术在高线密度光栅制备中的应用。首先,利用...
[期刊论文] 作者：薛焱文,杨立伟,王冠亚,牛洁斌,刘宇,李海亮,
来源：微纳电子技术 年份：2020
为了获得大高宽比的硅纳米结构,结合电子束光刻和等离子刻蚀方法制备厚度为5 nm/20 nm的Ti/Au微纳结构,然后以氢氟酸、去离子水和双氧水作为腐蚀液,利用各向异性金属辅助化学...
Optimization of inductively coupled plasma etching for low nanometer scale air-hole arrays in two-di
[期刊论文] 作者：彭银生,叶小玲,徐波,金鹏,牛洁斌,贾锐,王占国,,
来源：半导体学报 年份：2010
This paper mainly describes fabrication of two-dimensional GaAs-based photonic crystals with low nanometer scale air-hole arrays using an inductively coupled pl...
[期刊论文] 作者：吴璇,陈军宁,朱效立,牛洁斌,李亚文,胡松,谢常青,,
来源：微细加工技术 年份：2008
相对于软X射线显微成像,硬X射线显微成像对菲涅尔波带片的吸收体厚度提出了更高的要求。采用电子束光刻和X射线光刻复制的方法,在聚酰亚胺薄膜上成功制作了高高宽比的菲涅尔...
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