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[期刊论文] 作者：王因生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
南京电子器件研究所最近研制成功L波段250 W宽带硅微波脉冲功率晶体管.该器件在1.2～1.4 GHz 频带内,脉宽150 μs,占空比10%和40 V工作电压下,全带内脉冲输出功率在240～300 W之...
[期刊论文] 作者：王因生,单宁,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
采用微波功率管二次发射极镇流和掺砷我晶硅发射极覆盖树枝状结构等新工艺技术，研制出用于工程的实用化Ｐ波段脉冲大功率晶体管，该器件由１６个单胞内匹配而成，在该频带内，脉宽５００μｓ，占空比......
[期刊论文] 作者：王因生,陈正东,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
６００ＭＨｚ１５０Ｗ硅脉冲功率晶体管王因生，陈正东，张树丹，谭卫东，郑承志，刘六亭，康小虎，周德红，陈统华（南京电子器件研究所，２１００１６）Ａ６００ＭＨｚ１５０ＷＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＷａｎｇＹｉｎ.........
[期刊论文] 作者：王因生,陈正东,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
南京电器件研究所采用φ75mm硅片研制成脉冲输出100W的L波段硅功率晶体管，...
[期刊论文] 作者：王因生,林川,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
设计了一种称之为晶硅覆盖树权状结构的双极型微波功率晶体管。该器件采用掺砷多晶硅发射极，同时具备有覆盖和树枝状两种图形结构的优点，器件引入扩散电阻和分布式多晶硅电阻组......
[期刊论文] 作者：来萍,王因生,等,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2002
介绍了针对影响微波脉冲功率器件可靠性的热性能问题，应用红外热分析技术。对比探测微波脉冲功率器件在动态和直流状态下的温度分布，峰值结温，热阻及其变化规律。...
[期刊论文] 作者：王因生,林金庭,
来源：半导体学报 年份：1997
本文报道了采用多晶硅电阻和扩散电阻结合而成的复合镇流电阻对硅微波功率器件进行二次发射极镇流的实验结果。...
[期刊论文] 作者：张树丹,王因生,
来源：半导体学报 年份：1995
本文报道了一种自对准Ｔ形电极结构的硅双极晶体管的制作和实验结果，这种结构的晶体管发射极和基极接触窗口的间距仅０．４μｍ，发射极排列周期为４μｍ，测试结果表明，晶体管在４．２ＧＨＺ下，连续波输出功率......
[期刊论文] 作者：张树丹,王因生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
叙述了一种制作双极型晶体管的T形电极结构自对准工艺。利用该工艺已研制成微波T形电极晶体管(TSET)。最高振荡频率为10GHz,截止频率为6GHz;在3.2GHz下,输出功率1.1W,功率增...
[期刊论文] 作者：张晓明,王因生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
本文介绍一种垂直沟道结型场效应晶体管.给出器件的电参数、线性区等效电路、开关参数的测试电路及一些测试结果.对器件的开关参数进行了初步分析与计算.指出,器件的通态电阻...
[期刊论文] 作者：王因生,王志楠,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
...
[期刊论文] 作者：张树丹,王因生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
C波段硅功率晶体管在微波整机和通讯等领域有广泛用途。由于硅双极型晶体管具有比GaAs FET低得多的1/f相位噪声,因此,在一些高质量的振荡器中,急需硅功率晶体管。但是,当...
[期刊论文] 作者：何宇亮,王因生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
在ｐ型单晶硅衬底上沉积一层掺磷Ｎ＾＋型纳米硅薄膜，形成ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ／ｃ－Ｓｉ构成的Ｎ＾＋／ｐ异质结构。文中报道了它的独特性能；其反向击穿电压可达７５Ｖ，反向漏电流仅ｎＡ量级，同开关时间为１．５ｎｓ。可望应用于微波波段。由其Ｉ－Ｖ及Ｃ－Ｖ特性......
[期刊论文] 作者：王因生,王志楠,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
超大功率Ｌ波段脉冲功率晶体管王因生，王志楠，林川，王伯利，康小虎，张树丹（南京电子器件研究所，２１００１６）中图分类号：ＴＮ３２３．４ＳｕｐｅｒＨｉｇｈＰｏｗｅｒＬ－ＢａｎｄＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＷａｎｇＹｉｎ.........
[期刊论文] 作者：林川,王志楠,王因生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
介绍一种大功率固态脉冲功放组件。该组件在 80 0 MHz中心频率处 ,峰值输出功率大于80 0 W,带宽 50 MHz,脉冲宽度 0 .8μs,脉冲工作比 1%。组件性能稳定 ,已用于气象雷达。...
[期刊论文] 作者：赵普社,王因生,傅义珠,,
来源：电子与封装 年份：2007
文章分析了微波功率器件的特点及其对器件击穿电压的影响，并在此基础上通过采用扩散保护环和耗尽区腐蚀两种方法来提高器件的击穿电压。文中对两种方法的相关参数进行了模拟优......
[期刊论文] 作者：朱恩均,王因生,熊承堃,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1987
本文报道一种新型二维电子气异质结双极型晶体管(2DEG HBT)的实验结果。所谓2DEG HBT指的是采用宽禁带发射极材料的异质结双极型晶体管(HBT),由于发射结导带差等原因在异质...
[期刊论文] 作者：王因生,张晓明,熊承堃,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1988
随着高速毫微秒脉冲技术的迅速发展,原有的电真空器件由于体积大、功耗大、寿命短、可靠性差等缺点,已不能适应当前高速毫微秒脉冲技术发展的需要。整机单位迫切要求实现高...
[期刊论文] 作者：王因生,熊承堃,林金庭,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1986
本文研究双掺杂硅单晶片在非氧化气氛下高温热处理形成P-N-P双重结的现象.利用非氧化热处理杂质再分布理论解释了P-N-P重结的形成,结深的理论计算与实验值符合良好.根据再分...
[期刊论文] 作者：王因生,熊承堃,林金庭,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1985
双掺硅单晶片经热氧化后在其表面能够形成浅而均匀的P-N结.本文研究这类P-N结的基本特性,在耗尽层近似下给出P-N结空间电荷区中电场分布和电势的解析表达式,并讨论分析P-N结...
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