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[学位论文] 作者：田晶泽,
来源：哈尔滨工业大学 年份：1999
该文用自行开发的磁增强活性反应离子镀(ME-ARE)系统,在基体射频偏压和脉冲直流偏压两种条件下,在单晶硅基体上成功地合成了高纯度的立方氮化硼(c-BN)薄膜,研究了立方氮化硼...
[期刊论文] 作者：田晶泽,Byon,ES,
来源：真空科学与技术 年份：1999
采用逆序法研究了通过活性反应离子镀技术沉积在单晶硅（１００）上的ｃ－ＢＮ膜生长过程。在Ｘ射线谱分析仪上，用氩离子剥离ｃ－ＢＮ膜并进行膜的成分的深度分布及不同刻蚀深度处膜的价态分析，用富立叶变换......
[期刊论文] 作者：田晶泽,刘立民,
来源：材料科学与工艺 年份：1999
研究了氮离子注入对立方氮化硼膜，富硼的硼氮膜和硼膜的成分及结构的影响。用活性反应离子镀技术在单晶硅基体上沉积ｃ－ＢＮ，ＢＮ０．５和Ｂ膜，然后使用等离子基离子注入技术，在５０ｋＶ的基本脉冲负偏压下注......
[期刊论文] 作者：田晶泽,夏立芳,
来源：材料科学与工艺 年份：2000
用电子束蒸发纯硼，在硅片上沉积不同厚度的硼膜，然后用等离子体基离子注入（ＰＢⅡ）技术在硼膜上主入氮以形成氮化硼（ＢＮ），用ＸＰＳ分析膜的成分深度分布及化学价态；用傅里叶变换红外（ＦＴＩＲ）透射谱分析膜的......
[期刊论文] 作者：田晶泽,夏立芳,
来源：真空科学与技术 年份：1999
采用活性反应离子镀装置，通过电子束蒸镀金属纯硼，在氮、氩混合气体等离子体中，合成了ｃ－ＢＮ膜。对沉积后的ｃ－ＢＮ膜，在充入高纯氮的条件下，原位进行消应力退火处理以提高膜与基体的结合力。用......
[期刊论文] 作者：田晶泽,夏立芳,
来源：中国有色金属学报 年份：1999
用ＡＲＥ（Ａｃｔｉｖｅ Ｒｅａｃｔｉｏｎ Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）装置，在Ｎ２／Ａｒ混合等离子体弧光放电气氛下，通过电子束蒸镀纯硼，同时伴以一定能量的正离子轰击生长的膜表面的方法，在单晶硅（１００）基片上成功地合成了立方氮化硼（ＣｕｂｉｃＢｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ，简称ｃ－Ｂｎ）薄膜，并对基片射频......
[期刊论文] 作者：田晶泽,吕反修,夏立芳,
来源：物理学报 年份：2001
采用磁增强活性反应离子镀系统成功地合成了立方氮化硼薄膜 .通过给基片施加脉冲直流偏压以代替传统的射频偏压 ,增强了立方氮化硼的成膜稳定性 ,研究了基片的直流脉冲偏压、...
[期刊论文] 作者：田晶泽,夏立芳,Eung-Sun Byon,,
来源：真空科学与技术学报 年份：1999
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[期刊论文] 作者：田晶泽,夏立芳,Eung-Sun Byon,,
来源：真空科学与技术学报 年份：1999
...
[期刊论文] 作者：田晶泽,夏立芳,Eung-SunByon,Sang-RoLee,
来源：真空科学与技术 年份：1999
采用逆序法研究了通过活性反应离子镀技术沉积在单晶硅 (10 0 )上的c BN膜生长过程。在X射线光电子能谱分析仪上 ,用氩离子剥离c BN膜并进行膜的成分的深度分布及不同刻蚀深...
[期刊论文] 作者：田晶泽,夏立芳,Eung-SunByon,Sung-HunLee,Sang-RoLee,
来源：真空科学与技术 年份：1999
采用活性反应离子镀装置，通过电子束蒸镀金属纯硼，在氮、氩混合气体等离子体中，合成了ｃ－ＢＮ膜。对沉积后的ｃ－ＢＮ膜，在充入高纯氮的条件下，原位进行消应力退火处理以提高膜与基体的结合力。用......
[会议论文] 作者：田晶泽,吕反修,唐伟忠,夏立芳,
来源：2000年中国博士后学术会议 年份：2000
采用自选开发研制磁增强活性反应离子镀(ME-ARE)系统成功地合成了立方氮化硼薄膜.通过给基片施加脉冲直流偏压以代替传统的射频偏压增强了立方氮化硼的成膜稳定性,研究了基片的直流脉冲偏压、等离子体放电电流、通入气体流量比(Ar/N)和基片温度沉积参数对立方氮......
[期刊论文] 作者：田晶泽,夏立芳,马欣新,孙跃,孙明仁,
来源：材料科学与工艺 年份：2004
用电子束蒸发纯硼,在硅片上沉积不同厚度的硼膜,然后用等离子体基离子注入(PBⅡ)技术在硼膜上注入氮以形成氮化硼(BN).用XPS分析膜的成分深度分布及化学价态;用傅里叶变换红...
[期刊论文] 作者：田晶泽,张恒大,宋建华,吕反修,唐伟忠,夏立芳,
来源：真空科学与技术 年份：2002
采用自行研制的磁增强活性反应离子镀系统,在脉冲偏压条件下成功地合成了高品质立方氮化硼(c-BN)薄膜.用傅立叶变换红外谱(FTIR)分析沉积膜的相结构,用透射电镜(TEM)及高分辨...
[期刊论文] 作者：宋建华,苗晋琦,张恒大,唐伟忠,吕反修,田晶泽,
来源：北京科技大学学报 年份：2003
采用自行研制的强电流直流扩展电弧设备对酸浸和渗硼预处理的YG6刀片进行了金刚石薄膜涂层沉积,并对放于不同位置的沉积刀片表面涂层的激光Raman谱和SEM形貌进行了分析、研究...
[会议论文] 作者：田晶泽[1]吕反修[1]唐伟忠[1]夏立芳[2],
来源：2000年中国博士后学术会议 年份：2000
采用自选开发研制磁增强活性反应离子镀(ME-ARE)系统成功地合成了立方氮化硼薄膜.通过给基片施加脉冲直流偏压以代替传统的射频偏压增强了立方氮化硼的成膜稳定性,研究了基片...
[期刊论文] 作者：田晶泽,夏立芳,刘立民,李刘和,马欣新,孙跃,
来源：材料科学与工艺 年份：1999
研究了氮离子注入对立方氮化硼（ｃ－ ＢＮ） 膜，富硼的硼氮膜（ＢＮ０ ．５ ） 和硼膜（Ｂ） 的成分及结构的影响． 用活性反应离子镀技术在单晶硅基体上沉积ｃＢＮ、ＢＮ０ ．５ 和Ｂ 膜；然后使用等离子基离子注入（ＰＢＩＩ） 技术，在５０ ｋＶ 的基......
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