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[期刊论文] 作者：石万全,,
来源：中国科学院研究生院学报 年份：1987
Ba-Y-Cu氧化物的高T_C超导特性已引起固体物理界和固体化学界的重视。此类氧化物超导材料电阻率随温度变化曲线表明,在降温出现超导相之前为半导体相。这种超导半导体性...
[期刊论文] 作者：石万全,
来源：华北电力技术 年份：1996
对高能耗变压器实施改造，可降低变压器温升和损耗，提高过载能力，减缓绝缘老化进程，延长其使用寿命，因此具有长远的经济效益。目前，农村电网中运行的高能耗变压器仍然较多，若在短期内......
[期刊论文] 作者：石万全,
来源：华北电力技术 年份：1996
变压器损耗是配电网损耗的主要损耗，为此，文章从节能角度，分析了配电变压器的最佳岁载系数及其经济性；提出了３０￣２５０ｋＶＡ配电变压器改造的综合经济效益，改造费用一般在３．５￣４年就可从节能费用中回收......
[期刊论文] 作者：石万全,
来源：小学生之友（低） 年份：2021
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[期刊论文] 作者：刘峰奇,石万全,
来源：河南师范大学学报：自然科学版 年份：1991
喇曼光谱及扫描镜徽区形貌象说明,Eu+注入(注入能量350Kev,注入剂量2×1015 cm-2 )n 型单晶硅后,在表面可形成一连续非晶...
[会议论文] 作者：石万全,陈建新,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
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[会议论文] 作者：石万全,赵玲莉,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
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[会议论文] 作者：石万全,侯清润,卢励吾,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
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[会议论文] 作者：石万全,伍勇,张通和,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
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[会议论文] 作者：刘世祥,石万全,刘峰奇,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
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[期刊论文] 作者：朱美芳,姚德成,刘世祥,石万全,杨丽华,
来源：半导体学报 年份：2004
采用离子注入硅及Nd:YAG连续激光退火制备厘米波P~+nn~+结构雪崩二极管.器件输出功率达1.25W,效率达7.7％.与热退火工艺结果进行比较.讨论了将连续激光退火用于制备毫米波雪崩...
[期刊论文] 作者：谢宗钧,黄乐斌,刘世祥,姚德成,石万全,
来源：半导体学报 年份：2004
叙述了一种在硅表面涂敷受主或施主杂质后用染料激光脉冲辐照制得掺杂簿层的技术.对掺杂薄层的物理特性进行了分析,探讨了掺杂过程的机构.A technique of coating the acce...
[期刊论文] 作者：刘渝珍,石万全,赵玲莉,孙宝银,叶甜春,
来源：发光学报 年份：2003
在5.0eV的激光激发下,在室温下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可发射六个PL峰,其峰位分别为2.97, 2.77, 2.55, 2.32, 2.10, 1.9eV.经900～1 100℃在N2气氛下快速退火(RTA)处理后,样品的...
[期刊论文] 作者：刘世祥,石万全,柳雪君,刘洪图,刘峰奇,刘磁辉,
来源：中国稀土学报 年份：1996
利用离子注入技术将稀土Ｐｒ和Ｅｕ离子引入外延硅片中，经快速热退火使注入层再结晶和电激活。对Ｐｒ离子注入样品，在较低温度９４０℃下退火，样品具有电子导电性，注入离子起施主作用，而在较高强度１２４０℃......
[期刊论文] 作者：刘世祥,石万全,柳雪君,刘洪图,刘峰奇,刘磁辉,
来源：中国稀土学报：英文版 年份：1996
ＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌＡｎｎｅａｌｉｎｇｏｆＰｒ３＋ａｎｄＥｕ３＋ＩｍｐｌａｎｔｅｄＳｉｌｉｃｏｎ￥ＬｉｕＳｈｉｘｉａｎｇ；ＳｈｉＷａｎｑｕａｎ；ＬｉｕＸｕｅｊｕｎ(ＧｒａｄｕａｔｅＳｃｈｏｏｌ，ＡｃａｄｅｍｉａＳｉｎｉｃａ，Ｂｅｉｊｉｎ.........
[期刊论文] 作者：刘渝珍,石万全,陈志坚,姚德成,刘金龙,谢侃,刘振祥,
来源：半导体学报 年份：1998
通过能量为１００ｋｅＶ，剂量为１×１０１８ｃｍ－２的Ｎ＋注入到硅基体中，经１０００～１２００℃之间快速退火后，形成了含氧的硅与氮化硅镶嵌结构的薄膜层．在室温下观测到主要来自于４５ｎｍ表面层的能量分别为：３．３ｅＶ、３．０ｅＶ、２．８ｅＶ和２．２ｅＶ的光致发光．通过ＸＰＳ、ＡＥＳ的分析......
[期刊论文] 作者：金尚宪,张富祥,刘渝珍,石万全,欧文,刘世祥,柳雪君,,
来源：科学通报 年份：1993
随着高温超导体性能和理论的深入研究,人们发现YBa_2Cu_3O_(7-8)超导体具有吸氢的罕见能力,该过程遵循一般的反应式: (x/2) H_2+YBa_2Cu_3O_(7-8)→H_xYBa_2Cu_3O_(7-8)。结...
[期刊论文] 作者：石万全,姚德成,刘世祥,朱美芳,曹友琦,商作起,虞加峰,,
来源：激光与红外 年份：1984
一、引言多晶硅薄膜在集成电路制造工艺中应用日趋增多,诸如利用多晶硅薄膜制造硅栅、多晶硅薄膜电阻、多晶硅引线、双极性晶体管的发射区等。多晶硅薄膜的激光退火能使其晶...
[期刊论文] 作者：刘渝珍,石万全,刘世祥,姚德成,刘金龙,韩一琴,赵玲莉,孙宝,
来源：发光学报 年份：1999
在５．０ｅＶ的激光激发下，在室温下ＬＰＣＶＤ氮化硅薄膜可发射强度可见荧光 峰位位置分别为２．９７，２．７７，２．５５，２．３２，２．１０和１．９０ｅＶ的六个ＰＬ峰，建立了其可见荧光发射的能隙态模型，并初讨论了其发光机制。......
[期刊论文] 作者：石万全,姚德成,刘世祥,朱美芳,贺令渝,陆世勇,刘万忠,王金,
来源：激光杂志 年份：1985
本文主要介绍如何根据连续激光退火的需要，将Nd^3＋：YAG激光划片机改进和完善成专用连续激光退火设备。简单介绍利用此设备进行激光退火的实验结果。提出研制和生产专用连续激光......
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