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[期刊论文] 作者：李慧,秦复光,
来源：半导体学报 年份：1997
本文采用质量分析的低能离子束外延法（以下简称ＩＢＥ法）在Ｓｉ（１１１）衬底上外延生长了β－ＦｅＳｉ２薄膜，并进行了Ｘ射线衍射测量分析；与扫描电镜配合验证了β－ＦｅＳｉ２外延薄膜的形成。实验结果表明：所得β－ＦｅＳｉ２（１０１）或（１１０）面基本平行......
[会议论文] 作者：黄大定,秦复光,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：姚振钰,秦复光,
来源：半导体学报 年份：1992
采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi_2的存在;...
[期刊论文] 作者：吴正龙,秦复光,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1998
用电子能谱分析方法对低能离子束外延（ＩＢＥ）生长的β－ＦｅＳｉ２进行了详细研究，并对其电子能谱进行了表征。实测出ＸＰＳ价带谱与有关理论计算结果相符，用ＸＰＳ价带谱来表征β－ＦｅＳｉ２比光电子峰更为清晰、可取。同......
[会议论文] 作者：张建辉,秦复光,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
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[会议论文] 作者：姚振钰,秦复光,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：杨光荣,王向明,秦复光,,
来源：仪表材料 年份：2004
一、前言 Si外延方法是很多的,但如何实现低温外延仍然是当前尚待解决的问题之一。最近发展起来的离子束外延是解决该问题的一种途径。部分离化束外延是一种形式的离子束外...
[期刊论文] 作者：杨光荣,王向明,秦复光,
来源：半导体学报 年份：1985
一、引 言 近年来,围绕着如何提高蓝宝石上的硅外延薄膜(SOS)的质量和降低其成本这两个主要目标,在成膜工艺和方法上,各国科技工作者都进行了大量的探索和研究,并且取得了一...
[期刊论文] 作者：吴正龙,杨锡震,秦复光,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1998
用电子能谱分析方法对低能离子束外延（IBE）生长的β－FeSi2进行了详细研究，并对其电子能谱进行了表征．实测出XPS价带谱与有关理论计算结果相符，用XPS价带谱来表征β-FeSi2比光电子峰......
[期刊论文] 作者：李慧,马辉,丁维清,秦复光,
来源：半导体学报 年份：1997
本文采用质量分析的低能离子束外延法（以下简称IBE法）在Si（111）衬底上外延生长了β-FeSi2薄膜，并进行了X射线衍射测量分析；与扫描电镜配合验证了β-FeSi2外延薄膜的形成．实验结果表......
[期刊论文] 作者：秦复光,王向明,杨光荣,林兰英,
来源：半导体学报 年份：2004
用离子团束法来外延半导体材料是低温外延的一种可能途径.所谓离化团束外延(ICBE),其特点是在薄膜的外延过程中,引入了一定数量的具有一定能量的离子.在ICBE情况下,外延材料...
[期刊论文] 作者：任治璋,王向明,姚振钰,刘志剀,秦复光,
来源：微细加工技术 年份：1991
本文介绍利用已建成的双束低能离子束薄膜淀积系统,制备Si、Ge、GaN低温外延膜,Si/CoSi_2/Si多层结构膜,以及金刚石多晶膜。This paper introduces the fabrication of Si,...
[期刊论文] 作者：吴正龙,姚振钰,张建辉,刘志凯,秦复光,
来源：北京师范大学学报(自然科学版) 年份：1998
利用质量分离低能离子束外延法，在Si（111）上生长出了硅化钻薄膜．表面微结构及表面组分、化学价态的分析测试表明，此生长工艺已获得了无针孔的高品质单晶硅化钴薄膜．通过反应外延后......
[期刊论文] 作者：黄大定,姚振钰,壬治璋,王向明,刘志凯,秦复光,
来源：半导体学报 年份：1993
采用质量分离的低能离子束外延(MALE-IBE)技术进行超薄硅外延生长,在600C下获得单晶硅外延层,厚度2000A,过渡区宽度小于500A。有较好的电学性质。Thin-layer silicon epita...
[期刊论文] 作者：姚振钰,张国炳,秦复光,刘志凯,张建辉,林兰英,
来源：半导体学报 年份：1998
用质量分离的离子束外延（ＭＡＬＥ－ＩＢＥ或简作ＩＢＥ）法在ｎ－Ｓｉ（１１１）上生长了ＣｏＳｉ２超薄外延膜．厚度为１０～２０ｎｍ的ＣｏＳｉ２薄膜的结构特性已由ＡＥＳ、ＲＨＥＥＤ及ＲＢＳ作了研究．实验结果表明Ｃｏ的淀积率对ＣｏＳｉ２单晶生长来说是一个关键因素CoSi2 thin films were......
[期刊论文] 作者：姚振钰,任治璋,王向明,刘志凯,黄大定,秦复光,林兰英,
来源：半导体学报 年份：1992
采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi_2的存在;...
[期刊论文] 作者：廖梅勇,秦复光,柴春林,刘志凯,杨少延,姚振钰,王占国,,
来源：物理学报 年份：2001
利用质量分离的低能离子束沉积技术,得到了非晶碳膜.所用离子能量为50-200eV,衬底温度从室温到800℃.在沉积的能量范围内,衬底为室温时薄膜为类金刚石,表面非常光滑;而600℃...
[期刊论文] 作者：廖梅勇,张键辉,秦复光,刘志凯,杨少延,王占国,李述汤,
来源：物理学报 年份：2000
用质量分离的低能离子束沉积技术得到了非晶碳薄膜 ,X射线衍射、Raman谱以及俄歇深度谱的线形表明 ,此种非晶碳膜中镶嵌着金刚石颗粒 .碳离子的浅注入是该碳膜SP3 形成的主要...
[会议论文] 作者：杨少延,柴春林,刘志凯,廖梅勇,姚振钰,秦复光,王占国,
来源：第四届中国功能材料及其应用学术会议 年份：2001
本文采用一种全新的脉冲激光淀积(PLD)技术——离子束辅助的脉冲激光淀积(IBA-PLD)法,利用波长为532nm的Nd:YAG脉冲激光,进行了Si衬底上的ZnO薄膜生长研究.采用低能O离子束辅...
[期刊论文] 作者：黄大定,秦复光,姚振钰,刘志凯,任治璋,林兰英,高维滨,任庆余,
来源：半导体学报 年份：1995
采用质量分离的低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在硅（１１１）衬底上共淀积，生长了氧化铈外延薄膜．椭圆偏振仪测得，膜厚２０００Ａ．俄歇能谱仪测得，外延层内铈、氧分布均匀，具有很好的正化学比．Ｘ射线双晶衍射得到明......
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