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[期刊论文] 作者：程宗权,王惠民,
来源：上海半导体 年份：1990
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[会议论文] 作者：杨易,程宗权,
来源：全国第七次光纤通信学术会议 年份：1995
该文主要报道Ｓｉ／ＩｎＧａＡｓ双色探测器的制作及其初步的性能。...
[期刊论文] 作者：张永刚,程宗权,
来源：半导体光电 年份：1995
采用自制ＳＭＡ同轴管壳和普通ＴＯ－１８管壳对同型同批的ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器芯片进行了封装，并用自建测试系统对其Ｃ－Ｖ特性和瞬态特性进行了测试比较，结果表明：与普通ＴＯ－１８管壳封装相比，ＳＭＡ同轴管壳封装器件电容减少......
[期刊论文] 作者：张桂成,程宗权,
来源：发光学报 年份：1989
本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性,结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双异质结发光管的p面电极、镀Au作热沉,采用In...
[期刊论文] 作者：张桂成,程宗权,
来源：发光学报 年份：1989
本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性,结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双异质结发光管的p面电极、镀Au作热沉,采用In...
[期刊论文] 作者：杨易,施惠英,程宗权,
来源：半导体光电 年份：1994
文章简要地介绍了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰＰＩＮＰＤ阵列的制作现状及其应用和发展趋势。The article briefly introduces the current status of the production of InGaAs / InPPINPD array and its appli...
[期刊论文] 作者：吕章德,杨易,程宗权,
来源：光学仪器 年份：1999
报道了应用液相外延（ＬＰＥ）方法，制作了ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓ半导体光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成器件，器件性能的几个主要参数与国外的同类器件相近Reported the application of liquid phase epitaxy (......
[会议论文] 作者：胡维央,程宗权,王惠民,
来源：全国第三次光纤通信学术会议 年份：1986
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[期刊论文] 作者：张永刚，程宗权，蒋惠英,
来源：半导体光电 年份：1995
采用自制ＳＭＡ同轴管壳和普通ＴＯ－１８管壳对同型同批的ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器芯片进行了封装，并用自建测试系统对其Ｃ－Ｖ特性和瞬态特性进行了测试比较，结果表明：与普通ＴＯ－１８管壳封装相比，ＳＭＡ同轴管壳封装器件电容减少......
INTERDIFFUSION OF THE p-InP WITH Au-Zn,Ti/Au,Pd/Au,Ti/Pd/Au AT INTERFACE AND THEIR ELECTRICAL PROPER
[期刊论文] 作者：张桂成,程宗权,俞志中,,
来源：Journal of Electronics(China) 年份：1987
In this report,the interdiffusion between the p-InP with Au-Zn,Ti/Au,Pd/Au and Ti/Pd/Au atinterface have been investigated by Auger electron spectroscopy and e...
[期刊论文] 作者：张桂成,程宗权,胡道珊,,
来源：上海金属.有色分册 年份：1983
本文叙述了n-GaAs/AuGeNi和P-GaAs/Au-Zn的比接触电阻随合金温度的变化规律,研究了热处理气氛(H_2或N_2气氛中)对合金表面形貌的影响。结果表明:n-GaAs/AuGeNi和n-GaAs/AuGeN...
[期刊论文] 作者：张桂成,程宗权,俞志中,
来源：电子科学学刊 年份：1986
本文用俄歇电子能谱和扫描电子显微镜等方法研究了p-InP与Au-Zn,Ti/Au,Pd/Au和Ti/Pd/Au接触在热处理过程中的互扩散现象.结果表明:Au较Ti、Pd易向p-InP内扩散。研究了 p-InP/...
[期刊论文] 作者：刘延祥, 夏冠群, 唐绍裘, 程宗权,
来源：红外 年份：2004
本文简单介绍了GaInAsSb/GaSb PIN探测器的结构及工作原理,重点分析了生长窗口层和硫钝化两种不同的改善探测器I-V反向偏软的特性的方法....
[期刊论文] 作者：刘延祥,夏冠群,唐绍裘,程宗权,
来源：红外 年份：2004
本文简单介绍了GaInAsSb/GaSb PIN探测器的结构及工作原理,重点分析了生长窗口层和硫钝化两种不同的改善探测器Ⅰ-Ⅴ反向偏软的特性的方法。In this paper, we briefly int...
[期刊论文] 作者：张桂成,程宗权,蒋惠英,俞志中,
来源：电子科学学刊 年份：1990
本文研究了p-InP/Ag-zn/Mn系的接触特性和界面互扩散问题。结果表明:该系的比接触电阻与Au-zn系相当。而Ag的内扩散程度较Au低,有利于器件可靠性的改善。该系用作InGaAsP/InP...
[期刊论文] 作者：李志怀,夏冠群,程宗权,黄文奎,伍滨和,
来源：功能材料与器件学报 年份：2003
研究了 PIN结构 GaInAsSb 红外探测器的暗电流特性,建立了器件的 PSPICE模型.模拟结果 与实际测试结果基本符合.计算结果表明,器件表面和内部的缺馅及表面复合电流对器件的反...
[会议论文] 作者：陈兴国,杨易,程宗权,富小妹,梁帮立,
来源：全国第九次光纤通信暨第十届集成光学学术会议(OFCIO'99) 年份：1999
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[期刊论文] 作者：逄永秀,程宗权,沈彭年,潘慧珍,,
来源：电子技术 年份：2004
由于光纤通信的迅猛发展,在七十年代出现了许多不同结构形式的发光二极管,以实现各类传输系统对光源的高效率、长寿命与好的频响特性的要求.1975年由RCA实验室研制成功的“...
[期刊论文] 作者：张桂成,程宗权,蒋惠英,俞志中,,
来源：真空科学与技术 年份：1985
用AES研究了P-InP与Au,Cr,Ti,Cr/Au和Ti/Pd/Au界面在热处理过程中的互扩散现象。结果表明:Au,Cr有内扩散现象发生,Ti,Pd层对内扩散有一定阻挡作用。用Ti/Pd/Au体系作InGaAsP/...
[期刊论文] 作者：张桂成,俞志中,程宗权,蒋惠英,
来源：发光学报 年份：1987
本文用AES,SEM等方法研究了p-GaAs/Cr/Au和p-InP/Cr/Au体系界面,在热处理过程中的互扩散现象。用SEM观察了热处理后的表面形貌。并给出了合金化温度对比接触电阻(ρc)的影响...
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