搜索筛选:
搜索耗时2.7689秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 7 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：窦维治,,
来源：电子器件 年份：2015
提出一种基于测试基础上的新型多芯高速电缆的半实物仿真方法,首先测试多芯高速数传电缆的散射参数,然后对电缆进行半实物仿真,并分析在不同传输数据率情况下的眼图和信号质...
[期刊论文] 作者：窦维治,,
来源：电子器件 年份：2016
在总线的应用分析的基础上,针对高速并行LVDS总线进行了仿真分析。首先建立了高速并行LVDS总线传输模型,对比了总线上各接收位置上信号的时域波形;然后进一步分析了各接收端...
[期刊论文] 作者：严利人,陈晓程,窦维治,
来源：微电子学 年份：2005
文章结合实例,详细介绍了一种分五个层次定义的微细结构描述语言--MSDL(Micro-Structure Description Language).包括集成电路、MEMS元器件等在内的任意微细结构,都可由所定...
[期刊论文] 作者：黄伟,窦维治,刘道广,严利人,,
来源：微电子学 年份：2008
提出了动态工艺条件控制的概念，即通过引入自适应算法ARMA，可对集成电路制造工艺效果进行预测，并根据预测结果，对工艺条件加以实时的调整控制，达到改善成品率的目的。采用动态工艺......
[期刊论文] 作者：熊小义,刘志农,张伟,付玉霞,黄文韬,刘志弘,陈长春,窦维治,
来源：微纳电子技术 年份：2003
在SiGe HBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGe HBT小电流下较大漏电问题,对SiGe HBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究.通过改变...
[期刊论文] 作者：熊小义,刘志农,张伟,付玉霞,黄文韬,刘志弘,陈长春,窦维治,钱佩信,
来源：微纳电子技术 年份：2003
在SiGeHBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGeHBT小电流下较大漏电问题,对SiGeHBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究。通过改变超...
[会议论文] 作者：张伟,熊小义,刘志弘,许军,付玉霞,单一林,刘爱华,窦维治,王玉东,刘朋,钱佩信,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
本文介绍一种多晶发射极微波功率SiGe/Si HBT.该器件采用清华大学微电子学研究所拥有自主知识产权的SGE500 UVC/CVD设备,外延均匀Ge组分应变SiGe基区材料,在 5"圆片0.8umCMOS...
相关搜索：
