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[期刊论文] 作者：罗江财,
来源：半导体光电 年份：1984
本文叙述可以通过单晶材料,特别是外延生长的半导体单晶薄膜材料的X射线衍射峰的半宽度,定性地判断它们的晶体质量的优劣。测量了GaAs、InP、GaP、Insb等化合物半导体单晶,以...
[期刊论文] 作者：罗江财,,
来源：半导体光电 年份：1990
扩散工艺至今仍是包括半导体光电器件在内的半导体器件和集成电路制造中的重要工艺步骤。但 Si 的扩散工艺中往往只测量扩散后的方块电阻。我们通过分析和实际测量 Si 扩散后...
[期刊论文] 作者：罗江财,,
来源：半导体光电 年份：1992
观察了硼和磷离子注入 Si 中的载流子浓度剖面分布和异常增强扩散。将不同注入能量、不同剂量、常规退火和快速退火得到的结果进行了此较。结果表明:(1)对剂量小于或等于10~(...
[期刊论文] 作者：罗江财,,
来源：半导体光电 年份：1989
本文根据实际测量结果,一叙述了半导体衬底制片质量对外延生长的影响。特别是,讨论了在 GaAs、InP 衬底中,产生于切片、研磨和抛光加工过程中的机械损伤的影响。...
[期刊论文] 作者：罗江财,
来源：现代科学仪器 年份：1989
一、引言一般地讲,半导体器件,包括半导体集成电路都是有选择性地将一定种类和一定浓度的杂质,掺入半导体内;或在半导体表面上淀积(生长)新层的办法制作的。这些结构材料中,...
[期刊论文] 作者：罗江财,
来源：半导体光电 年份：2000
半导体光电薄膜的制备 ,是半导体光电器件最重要和最基本的工艺过程。半导体光电薄膜的分析和检测是器件开发中必须首先要解决的重要问题之一。文章介绍了半导体光电薄膜的分...
[期刊论文] 作者：罗江财,
来源：半导体杂志 年份：1989
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[期刊论文] 作者：罗江财,
来源：半导体杂志 年份：1989
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[期刊论文] 作者：罗江财,
来源：半导体光电 年份：1986
本文讨论了Si单晶中磷扩散造成的扩散层晶格的残余应变,此应变与磷浓度的关系,以及它的测量方法和测量结果。还讨论了在此应变梯度驱动下在扩散层中产生失配位错网络的条件和...
[期刊论文] 作者：罗江财,
来源：微电子学 年份：1989
本文叙述了通过自动电化学C-V剖面图技术,在宽的掺杂和深度范围内,载流子浓度纵向分布的测量。用电化学C-V剖面图技术,可以对扩散层、离子注入层和外延层这样的硅结构,进行自...
[期刊论文] 作者：罗江财,
来源：半导体杂志 年份：1992
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[期刊论文] 作者：罗江财,
来源：半导体光电 年份：1998
简述了量子点结构和最子点激光器的目前发展情况，例举了量子点激光器的典型应用。阐述了对晶格失配系统，外延生长量子点最佳方法是应用Ｓ－Ｋ机理的自组织生长。...
[期刊论文] 作者：罗江财,
来源：半导体光电 年份：1993
异质外延层的性能和质量,往往取决于异质结构的特性。文章讨论了Ge_xSi-(1-x)/Si 应变层和应变层超晶格中的应变、位错和临界厚度,并比较了实验结果。...
[期刊论文] 作者：罗江财,,
来源：半导体光电 年份：1989
本文概述了常规耗尽层 C-V 分布中,可达深度和深度分辨率的基本限制。特别讨论了电化学 C-V 分布的实际技术和应用。列举了 PN4200自动描绘的Ⅲ-Ⅴ族化合物 GaAlAs/GaAs、InG...
[期刊论文] 作者：罗江财,,
来源：半导体光电 年份：1990
Ⅲ—Ⅴ族化合物 InSb 是重要的红外材料,其性能受到温度和杂质浓度的强烈影响。用自动电化学 C—V 法分析和测量了本征和 Be 离子注入 InSb 的载流子浓度,结果表明本征 InSb...
[期刊论文] 作者：罗江财,
来源：半导体光电 年份：1987
本文简述了半导体单晶材料中常见的各种晶体缺陷及检测方法。...
[期刊论文] 作者：罗江财,
来源：四川真空 年份：1994
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[期刊论文] 作者：罗江财,
来源：半导体光电 年份：1983
本文叙述了用X射线衍射原理和技术,分析Cd-P二元系统化学反应中的物相情况,为半导体器件制作中扩散源材料磷化镉的化学合成提供了工艺资料。同时,对多晶半导体材料进行了分析...
[期刊论文] 作者：罗江财,,
来源：半导体光电 年份：2004
用X射线回摆曲线图,研究了在(110)GaAs衬底上,汽相外延(VPE)生长In_xGa_(1-x)As层的晶格失配和晶面倾斜,计算的失配应变在10~(-3)数量级,其弹性应力在10~9达因/厘米~2数量级...
[期刊论文] 作者：罗江财,
来源：半导体光电 年份：1985
本文叙述了LPE生长的In_(1-x)Ga_xAs/InP结构的X射线测试原理和方法,分析了该结构的晶格失配、组分和应力等测试结果。采用X射线形貌技术,对外延层和界面进行了观察和分析。...
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