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[会议论文] 作者：艾玉杰,,
来源： 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[学位论文] 作者：艾玉杰,
来源： 年份：2007
在制备许多具有优良性质的新型材料(例如氮化硼、氮化硅)的固相反应中,氮化镁是不可缺少的烧结助剂,例如,氮化镁在高温高压下可以促进六方氮化硼向立方氮化硼的转化。同时,氮化镁还可用于回收核燃料等领域。此外,目前普遍认为氮化镁粉末为直接带隙半导体材料,带......
[学位论文] 作者：艾玉杰,
来源：北京大学 年份：2011
硅基MOS器件特征尺寸的持续按比例缩小，推动着半导体集成电路产业不断向前发展。但是，随着器件尺寸进入纳米尺度，MOS器件的按比例缩小面临着众多的困难与挑战，单纯依靠对平面器件......
[期刊论文] 作者：艾玉杰,
来源：现代教育科学·小学教师科研版 年份：2013
《语文课程标准》要求：教师要培养学生“对学习汉字有浓厚的兴趣，养成自主识字的习惯”。学生自主识字能力是学习语文以至学习其它各个学科重要的基础学习能力。因此，培养学生的自主识字能力是一项十分重要的任务。教学实践证明：激发学生的学习兴趣是使学生真正成为......
[期刊论文] 作者：艾玉杰,裴素华,
来源：微纳电子技术 年份：2005
通过N2气氛高温退火、Nb2O5掺杂和采用梳状电极结构等方法,成功提高了TiO2基敏感材料的电导率.实验证明,降低氧分压可增强TiO2自身半导化程度;掺入10%左右Nb2O5,Nb5+替代Ti4+...
[期刊论文] 作者：孙莉莉,薛成山,艾玉杰,庄惠照,王福学,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
通过在1050℃时氨化Ga2O3／Mg薄膜制备出簇状GaN纳米线。用X射线衍射（XRD），傅里叶红外吸收光谱（FTIR）扫描电子显微镜（SEM）和高分辨电子显微镜（HRTEM）对样品进行测试分析。结果表明，GaN纳......
[期刊论文] 作者：孙莉莉,薛成山,庄惠照,艾玉杰,孙传伟,王福学,,
来源：山东师范大学学报(自然科学版) 年份：2006
简要介绍了溅射后氨化法制备氮化镓薄膜（纳米结构）的技术，总结了近年来用此方法所取得的科研成果，并着重介绍了衬底结构对氮化镓薄膜形貌的影响，以期进行理论计算、预测，并最终实现......
[期刊论文] 作者：孙莉莉,薛成山,孙传伟,艾玉杰,庄惠照,王福学,,
来源：微细加工技术 年份：2007
通过在1 000℃时氨化Ga2O3/MgO/Si(111)薄膜15 min,制备出成簇生长的光滑的长直线状GaN.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率电子显微镜(HRTEM)对样品进行测试...
[期刊论文] 作者：孙莉莉,薛成山,孙传伟,艾玉杰,庄惠照,王福学,陈金华,李红,,
来源：纳米技术与精密工程 年份：2006
为了制备高质量的GaN纳米结构，采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／TiO2薄膜，然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应，成功制备出GaN纳米线．采用X射线衍射（XRD）、傅里叶红外吸......
[期刊论文] 作者：王福学,薛成山,庄惠照,艾玉杰,孙丽丽,杨兆柱,张晓凯,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2007
用X射线衍射（XRD）、傅里叶红外吸收（FTIR）对InN粉末在空气中的热稳定性进行了分析研究。结果表明：当温度低于400℃时，InN非常稳定；但当温度超过500℃时，InN很容易被氧化；当温度增加到6......
[期刊论文] 作者：王福学,薛成山,庄惠照,张晓凯,艾玉杰,孙丽丽,杨兆柱,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2007
用X射线衍射（XRD），傅里叶红外吸收（FTIR）对InN粉末在N2气中的热稳定性进行了分析。结果表明：当温度超过600℃时，一部分InN粉末被氧化；但当温度增加到800℃时，一部分InN粉末分解成In和N......
[期刊论文] 作者：王福学,薛成山,庄惠照,张晓凯,艾玉杰,孙丽丽,杨兆柱,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2007
用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR)对InN粉末在N_2气中的热稳定性进行了分析。结果表明:当温度超过600℃时,一部分InN粉末被氧化;但当温度增加到800℃时,一部分InN粉末...
[期刊论文] 作者：王福学,薛成山,庄惠照,艾玉杰,孙丽丽,杨兆柱,张晓凯,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2007
用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)对InN粉末在空气中的热稳定性进行了分析研究。结果表明:当温度低于400℃时,InN非常稳定;但当温度超过500℃时,InN很容易被氧化;当温...
[期刊论文] 作者：王福学,薛成山,庄惠照,张晓凯,艾玉杰,孙丽丽,杨兆柱,李红,,
来源：功能材料 年份：2007
研究了Ga2O3／In膜反应自组装制备GaN薄膜，再将Ga2O3／In膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜，用X射线衍射（XRD），傅里叶红外吸收（FTIR），扫描电镜（SEM），原子力显微镜（AFM），透射电镜（TEM）对样品......
[期刊论文] 作者：孙莉莉,薛成山,艾玉杰,孙传伟,庄惠照,张晓凯,王福学,陈金,
来源：功能材料 年份：2007
采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／Ti薄膜，然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜。X射线衍射（xRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透......
[期刊论文] 作者：薛成山,王福学,庄惠照,张晓凯,艾玉杰,孙丽丽,陈金华,秦丽,
来源：功能材料 年份：2007
研究了Ga2O3/In2O3膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射（XRD）,傅里叶红外吸收（FTIR）,扫描电镜（SEM）和透射电镜（TEM）对样品进......
[期刊论文] 作者：艾玉杰,薛成山,孙莉莉,孙传伟,庄惠照,王福学,杨昭柱,秦丽,
来源：功能材料 年份：2007
采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／Mg薄膜，然后在1000℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜。X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电......
[期刊论文] 作者：薛成山,艾玉杰,孙莉莉,孙传伟,庄惠照,王福学,杨兆柱,秦丽,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2007
Mg粉在800℃氨气流中氨化60min，可得到高质量的Mg3N2粉末。XRD分析表明，Mg3N2粉末是体心立方结构，晶格常数α=0．99657nm。SEM分析表明，Mg3N2粉末有多种形貌。PL测试表明，在激发波长...
[期刊论文] 作者：薛成山,艾玉杰,孙莉莉,孙传伟,庄惠照,王福学,杨兆柱,秦丽,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2004
Mg粉在800℃氨气流中氨化60 min,可得到高质量的Mg3N2粉末.XRD分析表明,Mg3N2粉末是体心立方结构,晶格常数a=0.996 57 nm.SEM分析表明,Mg3N2粉末有多种形貌.PL测试表明,在激...
[会议论文] 作者：杨帅,艾玉杰,张韵,贾利芳,孙莉莉,张连,程哲,王军喜,李晋闽,
来源：第十五届全国固体薄膜学术会议 年份：2016
基于铌酸锂(LiNbO3)的声表面波(SAW)滤波器件已经在射频移动通讯设备的前端实现了商业化应用。随着移动通讯技术的迅猛发展，基于LiNbO3的SAW工作频率因为声速较小(3400-4000 m/s)和金属叉指线宽受普通光刻精度限制等因素较低，难以满足通讯系统工作频率不断提升的......
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