搜索筛选:
搜索耗时0.7406秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 113 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程计算了势垒层挖槽过程中沟道阱能带和电子气密度的变化。研究了异质界面上极化电荷的大小和位置对沟道阱能带和能带剪裁力度的影响。发现帽...
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2013
3射频电流崩塌模型目前国际上发表的电流崩塌模型都是耗尽模型,即认为沟道中的电子被表面陷阱或缓冲层陷阱俘获,耗尽了沟道电子气密度,造成漏电流下降。这些耗尽模型较好地解...
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2013
从电极偏置环境、二维异质结能带及沟道电子状态的研究出发,发现了沟道中存在具有不同输运特性的高能正常电子和低能慢电子,建立起新的慢电子电流崩塌模型。在器件射频工作中...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
金属/氮化物肖特基势垒和欧姆接触是蓝紫光光学器件及高温大功率电子器件中的关键工艺.氮化物半导体是一种极性材料,表面态密度较低,费米能级钉扎效应较弱,表面处理能显著影...
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发，研究了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的作用。优化设计负极化电荷的位置后给出了新的复合势垒设计。提出了新的动态电流崩......
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
从自洽求解薛定谔方程出发，计算了氮化物异质结中的二维电子气、退局域态和二维表面态。研究了电子气二维特性与迁移率间的关联。用电子气的二维特性和沟道电子向表面态溢出模......
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2005
提出一种p型半导体量子阱中二维空穴气的有效计算方法.它使用半轴向近似把Luttinger哈密顿简约成3*3矩阵,而仍保留价带的扭曲性和重空穴、轻空穴和自旋-轨道耦合带间的能带混...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
Ⅲ族氮化物半导体具有宽禁带和直接带隙,导带能谷间距大,强场输运特性好.AlGaN/GaN异质结产生高密度的二维电子气,屏蔽了杂质和缺陷的散射,改善了低场输运性能.它弥补了宽禁...
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2015
研究了GaN HFET中陷阱的各种行为,发现许多特性不能简单地用陷阱中心俘获带内电子模型来解释。从内、外沟道陷阱密度的巨大差异推出外沟道高密度陷阱不是由陷阱中心俘获带内...
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2015
在忽略二维电子气波函数对势垒层渗透的前提下提出了直接求解无电子势垒层泊松方程来计算势垒层能带的新思路,提出了把势垒层以外的极化电荷、杂质电荷及电子电荷作为势垒层...
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2012
研究了背势垒、场板电极、电流崩塌、短沟道效应及源-漏穿通等GaN HFET的热点课题及其关联。高漏压下沟道阱中的强场峰和背势垒的相互作用是决定上述热点课题的关键。介绍、...
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
3短栅长HFET在高漏压下的能带畸变在一般的异质结能带计算中，都只考虑异质结材料生长方向的势垒变化。现在表面电势在x方向产生很大的电场梯度，该表面电场会扩展到整个异质结内......
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
分析了GaN HFET大信号工作特性随器件漏压、栅压、栅长和工作频率变化的实验特征,发现器件的射频输出功率和功率附加效率随频率升高、漏压增大和栅长缩短而下降的规律及在3mm...
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2012
从自洽求解薛定谔方程和柏松方程出发，研究了GaN异质结构上偏压变化时异质结电场的变化。发现异质结量子阱能把外电场屏蔽在异质界面以外。利用这种异质结量子阱的屏蔽效应，可......
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
把Si3N4/AlGaN界面看成新的异质结,自洽求解薛定谔方程和泊松方程,建立起原位钝化和CATCVD钝化异质结构的新能带模型。运用这一模型,研究了原位钝化和CATCVD钝化异质结沟道阱...
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2016
通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏间隙中的强场峰两侧的异质结能带产生巨大畸变,使部分二维电子气不能通过强场峰而形成局域电子气。从电子气补偿效应出发研究...
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：中国电子科学研究院学报 年份：2006
在分析AIGaN／GaN沟道阱中电子迁移率、截止频率fT和噪声性能随电子气密度变化的基础上，研究了沟道电子态随电子密度的变化。发现在高电子密度下电子会向量子限制较弱的退局域态......
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：中国电子科学研究院学报 年份：2009
从GaN异质结沟道阱中电子状态出发研究了HFET中的噪声产生机理。用沟道阱中子带间散射解释了迁移率起伏引起的1／f噪声。从电子状态转移及不同状态间的跃迁出发解释了各类噪声...
[期刊论文] 作者：薛舫时,,
来源：微纳电子技术 年份：2007
在综述大功率AlGaN/GaN HFET性能退化实验结果的基础上,研究了器件退化与电流崩塌间的关联。分析了现有各类器件失效模型的优点和不足之处。通过沟道中强电场和热电子分布的...
[期刊论文] 作者：薛舫时,
来源：微纳电子技术 年份：2004
讨论了Ⅲ族氮化物HFET中电流崩塌和沟道内二维电子气特性间的关联,提出了描述产生电流崩塌时电子动态运动的微观模型.栅延迟电流崩塌被归因于栅-漏电极间隙中表面态与其下沟...
相关搜索：
