搜索筛选:
搜索耗时3.1945秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 11 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：谢俊领, 程伟, 王元, 常龙, 牛斌, 陈堂胜,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2016
报道了热应力下InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)的可靠性。对钝化与未钝化器件进行了应力温度为250℃、应力时间达到1 000h的存储加速寿命试验。从Gummel曲线可以发现,...
[期刊论文] 作者：程伟,张有涛,王元,陆海燕,常龙,谢俊领,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2015
南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）InP HBT圆片工艺，研制出最高工作频率达100GHz的静态分频器以及动态分频器。图1为静态分频器测试结果，此电路可在2～100GHz范围内实现二分频。......
[期刊论文] 作者：谢俊领,程伟,王元,常龙,牛斌,陈堂胜,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2015
研究了SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管（DHBT）直流性能的影响。在不同温度和不同气体组分条件下淀积了SiN薄膜,并对钝化器件的性能进行了测量和比较。结果表明,低的淀...
[期刊论文] 作者：程伟,王元,孙岩,陆海燕,常龙,谢俊领,牛斌,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2015
磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。国外已研制出基于InP DHBT工艺的220 GHz、2...
Common Base Four-Finger InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with Maximum Oscillation
[期刊论文] 作者：牛斌,王元,程伟,谢自力,陆海燕,常龙,谢俊领,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2015
A common base four-finger InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with 535 GHz f_(max) by using the0.5 μm emitter technology is fabricated.Multi-fi...
[期刊论文] 作者：程伟,张有涛,王元,牛斌,陆海燕,常龙,谢俊领,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2017
报道了一种高性能的3英寸磷化铟双异质结双极型晶体管工艺.发射极尺寸为0.5μm×5μm的磷化铟双异质结双极型晶体管,电流增益截止频率以及最高振荡频率分别达到350 GHz以及53...
[期刊论文] 作者：牛斌,程伟,张有涛,王元,陆海燕,常龙,谢俊领,
来源：红外与毫米波学报 年份：2016
报道了用于超高速数字集成电路的0.5 m 发射级线宽的InP/InGaAS DBHT器件,及其100GHz的静态分频器,其工作频率达到国内领先.并详细分析了器件CB 结电容对影响高速数字应用的...
[期刊论文] 作者：程伟,张有涛,王元,牛斌,陆海燕,常龙,谢俊领,
来源：红外与毫米波学报 年份：2017
报道了一种高性能的3英寸磷化铟双异质结双极型晶体管工艺.发射极尺寸为0.5μm×5μm的磷化铟双异质结双极型晶体管,电流增益截止频率以及最高振荡频率分别达到350 GHz以...
[期刊论文] 作者：牛斌,程伟,张有涛,王元,陆海燕,常龙,谢俊领,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2016
报道了用于超高速数字集成电路的0.5μm发射级线宽的InP/InGaAs DBHT器件,及其100 GHz的静态分频器,其工作频率达到国内领先.并详细分析了器件CB结电容对影响高速数字应用的...
[期刊论文] 作者：程伟,张有涛,王元,牛斌,陆海燕,常龙,谢俊领,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2016
针对超高速数模混合电路方面的应用,南京电子器件研究所开发了76.2 mm(3英寸)0.5μm InP DHBT工艺,器件截止频率达到500 GHz以上,可实现3层布线,工艺剖面图及器件性能如...
[期刊论文] 作者：程伟,张有涛,李晓鹏,王元,常龙,谢俊领,陆海燕,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2016
磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有高截止频率、高击穿电压(相对Si及SiGe而言)及高器件一致性等优点,适合于超高速、大动态范围数模混合电路的研制,例如美国Keys...
相关搜索：
