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[学位论文] 作者：赵传阵,,
来源：华南师范大学 年份：2007
本文在前人研究的基础上，利用解析方法研究了应变Si1-xGex层中本征载流子浓度、少数载流子浓度、p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系。计算了在基区掺杂为高斯...
[学位论文] 作者：赵传阵,
来源：南京大学 年份：2010
Ⅲ族氮化物(Ⅲ-Nitrides)半导体材料和稀氮半导体材料均是当今半导体研究的热点。Ⅲ族氮化物材料由AlN、GaN、InN以及它们的三元或者四元合金化合物组成。AlN、GaN、InN均为...
[学位论文] 作者：赵传阵,
来源：华南师范大学 年份：2007
本文在前人研究的基础上，利用解析方法研究了应变SiGe层中本征载流子浓度、少数载流子浓度、p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系。计算了在基区掺杂为高斯分布、Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况。拟合了价带有效......
[期刊论文] 作者：任贺宇,王军,赵传阵,
来源：天津师范大学学报:自然科学版 年份：2019
为得到适用于温度传感器、AD/DA和LDO等精密系统的高精度基准电压,提出基于高阶非线性补偿的5段分段补偿技术,在-40~125℃的宽温度范围内,实现一种高精度带隙基准(BGR)电路.5...
[期刊论文] 作者：赵传阵,李娜娜,魏通,唐春晓,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2011
The parameters in the band-anticrossing model for GaNxAs1-x(0＜x≤0.05)are obtained considering the effect of temperature and composition.It is found that the eff...
[期刊论文] 作者：高铁成,郭恒飞,赵传阵,毕武,张微,,
来源：天津工业大学学报 年份：2017
介绍了复合材料的特点和常见缺陷类型，综述了航天复合材料无损检测的主要方法，并分析了各种无损检测方法的优缺点和适用范围.最后指出未来无损检测技术将会是多种检测方法的结......
[期刊论文] 作者：赵传阵,郭恒飞,陈力颖,唐春晓,卢克清,,
来源：Communications in Theoretical Physics 年份：2016
The In-N clusters form in the dilute nitride InxGa1-xNy As1-yalloys after annealing.It is found that the formation of the In-N clusters not only raises the N le...
[期刊论文] 作者：赵传阵,唐吉玉,文于华,吴靓臻,孔蕴婷,
来源：半导体学报 年份：2007
采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布，Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况。重新拟合了价带有效态密度公式，并在计算内建电场时考虑了导带......
[期刊论文] 作者：赵传阵,唐吉玉,文于华,吴靓臻,孔蕴婷,
来源：低温物理学报 年份：2007
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中P型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系．发现常温时，在同一Ge组分下，随着掺杂浓度的升高，杂质的电离度的先变小，而后又迅速......
[期刊论文] 作者：赵传阵,唐吉玉,文于华,吴靓臻,孔蕴婷,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2007
采用解析的方法研究了应变Si1-xGe层中本征载流子浓度ni与Ge组分x、温度T、掺杂浓度Ⅳ的定量依赖关系；拟合了价带有效态密度公式和重掺杂禁带变窄公式。发现在一定掺杂浓度下，...
[期刊论文] 作者：赵传阵,唐吉玉,文于华,吴靓臻,孔蕴婷,
来源：低温物理学报 年份：2004
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后...
[期刊论文] 作者：赵传阵,唐吉玉,文于华,吴靓臻,孔蕴婷,,
来源：半导体学报 年份：2007
采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布,Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况.重新拟合了价带有效态密度公式,并在计算内建电场时考虑了导...
[期刊论文] 作者：赵传阵, 修向前, 张荣, 谢自力, 刘斌, 刘占辉, 颜怀跃,,
来源：中国科学:物理学 力学 天文学 年份：2010
...
[期刊论文] 作者：赵传阵,唐吉玉,肖海霞,文于华,吴靓臻,孔蕴婷,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
采用解析的方法计算了少数载流子浓度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系。发现常温时,在同一掺杂浓度下,少子浓度随Ge组分的增加而增大,其增加的速度越来越快;在同一Ge组...
[期刊论文] 作者：李明,张荣,刘斌,傅德颐,赵传阵,谢自力,修向前,郑有炓,,
来源：物理学报 年份：2012
首先把本征值方程投影到导带的子空间中,进而得到AlGaN/GaN量子阱中第一、二子带的Rashba自旋劈裂系数(α_1,α_2)和子带自自旋-轨道耦合系数η_(12).然后自恰求解薛定谔方程...
[期刊论文] 作者：赵传阵,修向前,张荣,谢自力,刘斌,刘占辉,颜怀跃,郑有炓,,
来源：中国科学:物理学 力学 天文学 年份：2010
利用有限元法对立式氢化物气相外延系统工艺参数进行了优化,发现在新设计的立式氢化物气相外延反应器中,存在衬底与气体入口的最佳距离,在最佳距离位置上,沉积的均匀性最好....
[会议论文] 作者：赵传阵,张荣,修向前,谢自立,刘斌,刘占辉,颜怀跃,郑有炓,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
利用有限元法对新设计的HVPE系统工艺参数进行了优化,发现衬底与气体入口距离为5厘米时,沉积的均匀性较好。在此基础上,模拟得到了优化的生长参数。模拟的结果还表明重力和浮...
[期刊论文] 作者：文于华,唐吉玉,赵传阵,吴靓臻,孔蕴婷,汤莉莉,刘超,吴利锋,
来源：半导体学报 年份：2008
针对快速热退火引起的N最近邻原子环境的变化，建立了热平衡态下Gat-xImN，Ast-，合金中各二元化合键的统计分布模型．并将理论计算得到的N周围平均In原子数r引入到BAC经验模型中，对退......
[期刊论文] 作者：文于华,唐吉玉,赵传阵,吴靓臻,孔蕴婷,汤莉莉,刘超,吴利锋,李顺方,陈俊芳,,
来源：半导体学报 年份：2008
针对快速热退火引起的N最近邻原子环境的变化,建立了热平衡态下Ga1-xInxNyAs1-y合金中各二元化合键的统计分布模型.并将理论计算得到的N周围平均In原子数r引入到BAC经验模型...
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