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[期刊论文] 作者：赵洪辰,
来源：油气田地面工程 年份：2003
人才流失是指属于特定群体、组织、地域的专门人才或其他有才能的人,离开自己原来所依附或服务的对象,而加入另外群体、组织或地域.国有企业人才流失的原因复杂,如何制定相应...
[期刊论文] 作者：赵洪辰,,
来源：化工之友 年份：2001
在饮食保健和美容时,对下面8种蔬菜中的毒素应特别注意.……...
[期刊论文] 作者：赵洪辰,
来源：学术交流 年份：2003
目前国有企业中层管理者难以充分发挥作用的原因为:领导者缺乏正确的权力观,越权干涉、重放权和轻考核等.权力结构是企业中层管理者充分发挥作用的关键,充分发挥国有企业中层...
[期刊论文] 作者：赵洪辰,,
来源：化工之友 年份：2001
我国房地产业属于第三产业，但随着国民经济的不断发展和住房制度改革的深入，对拉动内需，促进建筑、建材、金融等数十种相关行业的发展，起到了巨大的作用。1999年全国房地产开发企......
[学位论文] 作者：赵洪辰,
来源：天津大学 年份：2003
人才资源是第一资源,企业的竞争最终是人才的竞争.因此,企业要赢得市场,首先就要构筑人才优势.大庆石油管理局经过40多年的开发建设,已经具备潜在的人才优势,但传统的人事制...
[期刊论文] 作者：李建忠,赵洪辰,,
来源：化工之友 年份：2001
ERP(企业资源计划)是美国加特纳公司在MRP(物料需求计划)、MRPⅡ(制造资源计划)基础上,于1991年提出一种综合运用先进管理技术和信息技术的管理模式概念,近年引入到我国企业....
[期刊论文] 作者：赵洪辰,于广华,司红,
来源：真空科学与技术 年份：2003
Ta/Ni81Fe19和Ni81Fe19/Ta被广泛应用于磁电阻多层膜结构中.我们发现,在Ta/Ni81Fe19/Ta薄膜结构中,磁性'死层'的厚度大约为1.6±0.2 nm.用X射线光电子能谱和图谱...
[期刊论文] 作者：赵洪辰,于广华,司红,
来源：功能材料 年份：2003
在不同本底真空和工作气压下制备了Ta/Ni81Fe19薄膜,并进行了磁性测量和原子力显微镜分析.结果表明较高的本底真空和较低的工作气压下制备的薄膜有较大的各向异性磁电阻值ΔR...
[期刊论文] 作者：于广华,赵洪辰,腾蛟,,
来源：真空科学与技术学报 年份：2000
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[期刊论文] 作者：于广华,赵洪辰,朱逢吾,
来源：科学通报 年份：2001
基于辉光放电原理在超高本底真空下制备了 Ｎｉ８１Ｆｅ１９（１２ｎｍ）超薄薄膜，其各向异性磁电阻（ＡＭＲ）变化率达到 １．２％，而矫顽力却只有１２７ Ａ／ｍ．同较低本底真空下制备的 Ｎｉ８１Ｆｅ１９薄膜进行结构比较表明：超高本底真空下制备的Ｎｉ８１Ｆｅ１９薄膜表面......
[期刊论文] 作者：于广华,朱逢吾,赵洪辰,
来源：科学通报 年份：2004
基于辉光放电原理在超高本底真空下制备了Ni81Fe19(12 nm)超薄薄膜,其各向异性磁电阻(AMR)变化率达到1.2%,而矫顽力却只有127 A/m同较低本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜进行结...
[期刊论文] 作者：赵洪辰,海潮和,韩郑生,钱鹤,
来源：功能材料与器件学报 年份：2005
在商用SIMOX衬底上制备了部分耗尽抗辐照H型栅NMOSFETs,使用的主要技术手段有:氮化H2-O2合成栅介质加固正栅;增加体区掺杂,以提高背栅阈值电压;采用H型栅结构,消除边缘寄生晶...
[期刊论文] 作者：赵洪辰,海潮和,韩郑生,钱鹤,
来源：半导体学报 年份：2005
在SIMOX衬底上制备了H形栅和环形栅PD SOI nMOSFETs，并研究了浮体效应对辐照性能的影响，在10^6rad(Si)总剂量辐照下，所有器件的亚阈特性未见明显变化．环形栅器件的背栅阈值电压漂...
[期刊论文] 作者：赵洪辰,海潮和,韩郑生,钱鹤,
来源：半导体学报 年份：2004
研究了源区浅结的不对称SOI MOSFET对浮体效应的改善，模拟了总剂量、抗单粒子事件(SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响．这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传...
[期刊论文] 作者：赵洪辰,海潮和,韩郑生,钱鹤,
来源：半导体学报 年份：2004
在SIMOX和Smart—cut SOI衬底上采用LOCOS和MESA隔离技术制备了部分耗尽PMOSFET，虽然LOCOS隔离器件的阈值电压较小，但其跨导和空穴迁移率明显小于MESA隔离器件．模拟表明，LOCOS场...
[期刊论文] 作者：赵洪辰,海潮和,韩郑生,钱鹤,
来源：电子器件 年份：2004
研究了硅膜掺杂浓度、厚度和硅化物厚度等工艺条件对SOI MOSFET寄生双极晶体管增益的影响.提高体区掺杂浓度、增加硅膜和硅化物厚度能够减小增益.原因是:①基区杂质浓度增加,...
[期刊论文] 作者：赵洪辰,海潮和,韩郑生,钱鹤,
来源：电子器件 年份：2004
在商用SIMOX衬底上制备了抗辐照NMOSFETs,使用的主要技术手段有:氮化H2-O2合成栅介质加固正栅;增加体区掺杂,以提高背栅阈值电压;采用C型体接触结构,消除边缘寄生晶体管.结果...
[期刊论文] 作者：赵洪辰,海潮和,韩郑生,钱鹤,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
在埋氧化层厚度不同的SIMOX衬底上制备了H型栅结构器件。经过总剂量辐照后，器件的正栅亚阈值特性无明显变化，背栅亚阈值特性发生平移，但均未发生漏电，说明其抗辐照性能超过1E6rad......
[期刊论文] 作者：赵洪辰,海潮和,韩郑生,钱鹤,
来源：半导体学报 年份：2005
在SIMOX衬底上制备了H形栅和环形栅PDSOInMOSFETs,并研究了浮体效应对辐照性能的影响 .在10 6rad(Si)总剂量辐照下 ,所有器件的亚阈特性未见明显变化 .环形栅器件的背栅阈值...
[期刊论文] 作者：于广华,赵洪辰,朱逢吾,夏洋,
来源：真空科学与技术 年份：2001
基于辉光放电原理在不同的溅射气压下制备的NiFe薄膜,发现较低溅射气压下比较高溅射气压下制备的NiFe薄膜的磁性能要好得多.较低溅射气压下制备的NiFe(12 nm)薄膜,各向异性磁...
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