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[学位论文] 作者：赵涧泽,,
来源： 年份：2011
氧化锌(ZnO)作为一种直接带隙的新型宽带隙半导体材料,具有制备成本低、环境友好和激子束缚能高等独特优点,这些特性使其在短波长发光器件、激光器件以及探测器等方面具有很...
[会议论文] 作者：夏晓川,赵涧泽,李香萍,梁宏伟,王瑾,杜国同,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在具有GaAs夹层的衬底上成功的制备出As掺杂p型ZnO薄膜。室温Hall测试结果显示,空穴浓度为2×1017cm-3;XPS测试结果显示,As原子以As-O键的形式存在于p—ZnO薄膜中;利用低温光致发光(PL)测试结果可计算出As受主能级位于距......
[期刊论文] 作者：王经纬,边继明,孙景昌,梁红伟,赵涧泽,杜国同,,
来源：物理学报 年份：2008
采用超声喷雾热分解法在石英衬底上以醋酸锌水溶液为前驱体,以硝酸银水溶液为Ag掺杂源生长了Ag掺杂ZnO(ZnO:Ag)薄膜.研究了衬底温度对所得ZnO:Ag薄膜的晶体结构、电学和光学...
[期刊论文] 作者：王经纬,边继明,梁红伟,孙景昌,赵涧泽,杜国同,,
来源：发光学报 年份：2008
采用超声喷雾热分解法在石英衬底上以醋酸锌水溶液为前驱体，以硝酸银水溶液为Ag掺杂源，以高纯O2为载气生长了Ag掺杂ZnO（ZnO：Ag）薄膜。研究了Ag掺杂ZnO薄膜的表面结构、电学和光学......
[会议论文] 作者：赵涧泽,梁红伟,李硕石,边继明,胡礼中,杜国同,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
利用MOCVD技术制备了Sb掺杂ZnO薄膜,在小掺杂量时研究了Sb的掺杂量对ZnO薄膜的结晶质量的影响,发现小掺杂量时随着Sb含量的增加ZnO薄膜的晶粒尺寸有所增加,结晶质量有所提高....
[期刊论文] 作者：冯秋菊,冯宇,梁红伟,王珏,陶鹏程,蒋俊岩,赵涧泽,李梦轲,,
来源：发光学报 年份：2011
在不采用任何金属催化剂的条件下，运用化学气相沉积法，在Si（100）衬底上制备出高取向的As掺杂ZnO纳米线阵列。样品的X射线衍射（XRD）谱显示获得了单一取向的衍射峰，表明样品具有较好的......
[会议论文] 作者：夏晓川[1]赵涧泽[1]李香萍[1]梁宏伟[1]王瑾[2]杜国同[3],
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在具有GaAs夹层的衬底上成功的制备出As掺杂p型ZnO薄膜。室温Hall测试结果显示,空穴浓度为2×1017cm-3;XPS测试结果显示,As原子以As-...
[期刊论文] 作者：冯秋菊,冯宇,梁红伟,王珏,陶鹏程,蒋俊岩,赵涧泽,李梦轲,宋哲,孙景昌,,
来源：发光学报 年份：2011
在不采用任何金属催化剂的条件下,运用化学气相沉积法,在Si(100)衬底上制备出高取向的As掺杂ZnO纳米线阵列。样品的X射线衍射(XRD)谱显示获得了单一取向的衍射峰,表明样品具...
[会议论文] 作者：赵涧泽,孙景昌,梁红伟,冯秋菊,边继明,胡礼中,张贺秋,赵子文,杜同国,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
通过脉冲激光沉积技术在p型GaAs衬底上制备了ZnO同质结发光二极管。非掺杂的ZnO作为器件的n型层,p型ZnO层通过衬底中的As向ZnO中扩散与退火形成。Ⅰ-Ⅴ曲线显示出较好的整流...
[会议论文] 作者：杜国同,赵涧泽,刘远达,程轶,边继明,赵旺,孙景昌,马艳,张源涛,董鑫,张宝林,夏小川,梁红伟,
来源：第七届全国光子学学术会议 年份：2010
我们自行设计加工了ZnO生长专用MOCVD系统，该系统直接采用O2气为氧源，不引入其他元素，有利于n型、p型掺杂和载流子浓度的控制。为了克服DEZn预反应问题，该系统反应室安装了两个特......
[会议论文] 作者：杜国同,赵涧泽,刘远达,程轶,宋世巍,赵旺,王瑾,王辉,史志峰,董鑫,张宝林,夏小川,梁红伟,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
我们对ZnO材料及其发光器件研究已十余年,近年来又了开展A1N、InN材料制备研究。ZnO研究方面:我们自行设计加工了znO生长专用MOCVD系统,该系统直接采用O2气为氧源,不引入其他元素,有利于n型、p犁掺杂和载流子浓度的控制。为了克服DEZn预反应问题,该系统反应室安......
[会议论文] 作者：杜国同,赵旺,张源涛,董鑫,张宝林,李香萍,夏小川,孙景昌,赵涧泽,梁红伟,边继明,付艳萍,马艳,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
介绍几种ZnO和ZnMgO薄膜的p型掺杂方法和所制备的ZnO基p-n结,实现了其电注入发光。并对这些ZnO基p-n结的电注入发光特性进行了研究。...
[会议论文] 作者：杜国同,赵旺,张源涛,董鑫,张宝林,孙景昌,赵涧泽,梁红伟,边继明,付艳萍,马艳,李香萍,夏小川,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
介绍几种ZnO和ZnMgO薄膜的p型掺杂方法和所制备的ZnO基p-n结,实现了其电注入发光。并对这些ZnO基p-n结的电注入发光特性进行了研究。...
[会议论文] 作者：杜国同,赵涧泽,孙景昌,李硕石,李长鸣,陈睿姝,梁红伟,夏小川,赵旺,李香萍,朱慧超,马艳,董鑫,张宝林,
来源：第十一届全国MOCVD学术会议 年份：2010
ZnO基p-n结的电注入发光研究是目前国际研究的热点。本文用MOCVD技术制备了高质量ZnO和ZnMgO薄膜，并在此基础上，采用几种掺杂方法制备出p型ZnO和ZnMgO薄膜，进而制备出了ZnO和ZnM...
[会议论文] 作者：杜国同,赵涧泽,孙景昌,李硕石,李长鸣,陈睿姝,夏小川,赵旺,李香萍,朱慧超,马艳,董鑫,张宝林,梁红伟,
来源：第十一届全国MOCVD学术会议 年份：2010
ZnO基p-n结的电注入发光研究是目前国际研究的热点。本文用MOCVD技术制备了高质量ZnO和ZnMgO薄膜，并在此基础上，采用几种掺杂方法制备出p型ZnO和ZnMgO薄膜，进而制备出了ZnO和ZnM...
[会议论文] 作者：杜国同,孙景昌,赵涧泽,梁红伟,边继明,付艳萍,夏小川,赵旺,李香萍,张源涛,董鑫,杨天鹏,朱慧超,张宝林,
来源：第四届全国氧化锌学术会议 年份：2009
笔者用自行设计加工的ZnO生长专用MOCVD系统，在Si、GaAs、Al2O3衬底上生长ZnO材料异质结，并实现了电注入发光。这些电注入发光均包含ZnO材料侧的可见和紫外发光和Si、GaAs材料...
[会议论文] 作者：杜国同[1]赵涧泽[2]刘远达[2]程轶[2]边继明[2]赵旺[3]孙景昌[3]马艳[3]张源涛[3]董鑫[3]张宝林[4]夏小川[1]梁红伟[2],
来源：第七届全国光子学学术会议 年份：2010
我们自行设计加工了ZnO生长专用MOCVD系统，该系统直接采用O2气为氧源，不引入其他元素，有利于n型、p型掺杂和载流子浓度的控制。为了克服DEZn预反应问题，该系统反应室安装了两个特......
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