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[期刊论文] 作者：施一生,赵特秀,
来源：半导体学报 年份：1991
本文对 Pd/W/Si(111)多层膜系统在稳定退火条件下形成硅化物作了研究.实验结果表明,富Pd组分的多层膜对WSi_x的晶化有明显的诱导作用.多层膜中单层膜厚的增加减弱了诱导晶化...
[期刊论文] 作者：徐彭寿,赵特秀,
来源：自然科学进展：国家重点实验室通讯 年份：2000
综述了国家同步辐射实验在半导体表面和界面的同步辐射光电子能谱研究，其中包括碱金属在半导体表面的吸附及其对半导体表面氧化和氮化的催化作用；稀土在半导体表面的吸附及其界......
[期刊论文] 作者：季航,赵特秀,等,
来源：半导体学报 年份：1995
利用同步辐射光电子能谱研究了室温下Na吸附下于P型InP(100)表面对其氮化反应的影响。通过P2p、In4d芯能级谱的变化，对Na/InP(100)表面的氮化反应研究表明，碱金属Na的吸附对InP...
[期刊论文] 作者：王晓平,赵特秀,
来源：发光学报 年份：1995
测量了多孔硅的喇曼光谱，观察到谱峰有明显的红移和非对称性展宽效应，用微晶模型对此现象进行了解释：认为谱峰的这种变化不完全是由尺寸的空间限制效应和多孔硅的应变造成的，更主......
[期刊论文] 作者：季航,赵特秀,等,
来源：半导体学报 年份：1995
利用同步辐射光电子能谱研究了K对p型InP(100)表面的催化氧化反应过程。对于O2／K／InP（100）体系的P2p、In14d和价带光电子能谱研究可知，在氧吸附的过程中，O和P、In之间发生了化学反......
[期刊论文] 作者：徐彭寿,赵特秀,
来源：化学物理学报 年份：1989
测量了吸附不同量的氯后GaAs(110)表面UPS谱及功函数的变化。结果表明随氯吸附量的增加,其功函数变大。提出功函数的改变主要由电离能的变化而引起。...
[期刊论文] 作者：王晓平,赵特秀,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
The refratory silicides are of interest as contact and interconnect materials for VLSI to improve the characteristics of devices because of their low and metal...
[会议论文] 作者：王晓平,邹正中,赵特秀,
来源：第三届全国固体薄膜学术会议 年份：1992
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[会议论文] 作者：赵特秀,刘洪图,施一生,
来源：第三届全国固体薄膜学术会议 年份：1992
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[期刊论文] 作者：沈波,施一生,赵特秀,许振嘉,
来源：中国科学技术大学学报 年份：1990
运用X 射线衍射（XRD）、Anger 电子能谱（AES）等方法研究了不同晶面取向的Si 衬底对Pd 硅化物薄膜形成的影响:在Si（111）衬底上,形成外延生长的Pd2Si;在Si（100）衬底上,Pd...
[期刊论文] 作者：王晓平,谢峰,石勤伟,赵特秀,
来源：物理学报 年份：2004
利用动力学蒙特卡罗方法模拟了异质外延超薄膜生长中的成核过程 .研究了薄膜与衬底的晶格失配对超薄膜生长中成核密度、平均核尺寸、标度关系及生长模式的影响 .结果发现产生...
[期刊论文] 作者：施一生,赵特秀,刘洪图,王晓平,
来源：半导体学报 年份：1991
本文对 Pd/W/Si(111)多层膜系统在稳定退火条件下形成硅化物作了研究.实验结果表明,富Pd组分的多层膜对WSi_x的晶化有明显的诱导作用.多层膜中单层膜厚的增加减弱了诱导晶化...
[期刊论文] 作者：王晓平,赵特秀,施一生,季航,梁齐,
来源：中国科学技术大学学报 年份：1994
采用多层溅射技术制备了不同成分的ＷＳｉｘ／Ｓｉ薄膜，然后利用真空退火形成硅化钨．对用此技术制备的难熔金属硅化物的结构特性、电学特性和氧化特性进行了系统的研究．结果表明这种技术具有以......
[期刊论文] 作者：王晓平,赵特秀,季航,梁齐,董翊,
来源：物理学报 年份：1994
报道了Ｐｄ薄膜电阻率温度系数（ＴＣＲ）随不同薄膜厚度和不同退火温度的变化．实验结果表明：薄膜ＴＣＲ值远小于体材料的值，且对晶粒尺寸有一定的依赖关系；薄膜晶粒尺寸越大，其ＴＣＲ值也越大。采用晶粒间界......
[期刊论文] 作者：施一生,周荣秋,赵特秀,刘洪图,王晓平,
来源：半导体技术 年份：1993
对Ｐｄ／Ｗ／Ｓｉ（１１１）双层膜系统在稳定退火条件下形成硅化物作了研究，实验结果表明：Ｐｄ／Ｗ／Ｓｉ（１１１）双层膜中Ｗ单层膜起了阻挡Ｐｄ－Ｓｉ原子互扩散的作用，随着退火温度的升高，Ｐｄ，Ｗ，Ｓｉ原子的互扩散不断进行，硅化物首先在Ｗ／Ｓｉ界面处生成。由......
[期刊论文] 作者：王晓平,赵特秀,刘磁辉,朱弘,刘宏图,
来源：发光学报 年份：1995
测量了多孔硅的喇曼光谱，观察到谱峰有明显的红移和非对称性展宽效应．用微晶模型对此现象进行了解释：认为谱峰的这种变化不完全是由尺寸的空间限制效应和多孔硅的应变造成的，更主......
[期刊论文] 作者：金澍,刘洪图,赵特秀,吴志强,沈波,许振嘉,
来源：半导体学报 年份：1989
本文借助改进的干涉增强喇曼散射技术、AES分析和高温金相显微镜在位观察研究了Au、Al/a-Si∶H系统的真空热退火行为.发现受金属复盖的a-Si∶H的晶化温度和其激活能均比未复...
[期刊论文] 作者：沈波,赵特秀,刘洪图,吴志强,金澍,许振嘉,
来源：半导体学报 年份：1990
本文使用IERS(干涉增强喇曼散射),TEM和SIMS等方法研究了Pd/a-Si:H界面反应的热退火行为,发现Pd/a-Si:H界面在室温下形成非晶互混层;经160℃退火,形成晶态Pd_2Si相,比Pd/c-Si...
[期刊论文] 作者：王晓平,赵特秀,吴锋民,林罡,吴自勤,
来源：物理学报 年份：1999
The multiple cluster growth with fractal or compact morphology in ultra|thin films has been simulated with various permitted diffusion steps. It is shown that t...
[期刊论文] 作者：王晓平，赵特秀，吴锋民，林罡，吴自勤,
来源：黑龙江科技学院学报 年份：1999
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
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