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[期刊论文] 作者：赵策洲,
来源：半导体光电 年份：1994
全硅集成光学──理论与工艺Ⅲ（续二）第三讲平面波导理论简介及硅平面波导赵策洲（博士生）（西安电子科技大学微电子所，西安７１００７１）１引言介质波导是集成光学系统及其元件的最基本单元，它主要起......
[期刊论文] 作者：赵策洲,
来源：半导体光电 年份：1994
全硅集成光学──理论与工艺赵策洲（博士生）（西安电子科技大学微电子研究所，西安７１００７１）编者按：集成光学随着信息科学的发展而出现，也是光电器件本身发展的必然结果。目前，光集成和光电子集......
[期刊论文] 作者：赵策洲,
来源：半导体光电 年份：1996
全硅集成光学──理论与工艺（Ⅷ）（续七）第八讲硅单波导调制器赵策洲（副教授）（西安电子科技大学，西安７１００７１）１引言光波调制就是将电信号加在激光载波上使之变成光信号的过程。光波调制按其调制......
[期刊论文] 作者：赵策洲,
来源：半导体光电 年份：1996
全硅集成光学──理论与工艺（Ⅺ）（续十）第十一讲 全硅集成光学的光源赵策洲（博士，副教授）（西安电子科技大学，西安７１００７１）１前言全硅集成光学的关键问题之一就是寻找一种高效率的电注入硅光源。......
[期刊论文] 作者：赵策洲,
来源：半导体光电 年份：1995
全硅集成光学──理论与工艺（Ⅵ）（续五）第六讲全硅集成光学导波无源器件赵策洲（副教授）（西安电子科技大学微电子所，西安７１００７１）１引言全硅集成光学导波无源器件包括硅定向耦合器、硅光栅耦合器......
[期刊论文] 作者：赵策洲,
来源：半导体光电 年份：1995
全硅集成光学——理论与工艺（Ｖ）（续四）第五讲介质波导耦合模理论及硅耦合器赵策洲（副教授）（西安电子科技大学微电子所，西安７１００７１）１引言前两讲中，讨论了二维和三维介质波导中光波传播的特有模式......
[期刊论文] 作者：赵策洲,
来源：高技术通讯：英文版 年份：1997
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[期刊论文] 作者：赵策洲,
来源：半导体光电 年份：1995
全硅集成光学──理论与工艺（Ⅶ）（续六）第七讲硅分支波导赵策洲（副教授）（西安电子科技大学微电子所，西安７１００７１）１引言硅分支波导起到了光功率的传输和分割作用。它是硅耦合器和硅电光开关的重......
[期刊论文] 作者：赵策洲,,
来源：High Technology Letters 年份：1995
SOI zero-gap directional couplers are studied by using large cross-section single-mode rib waveguide theory and dual-mode interference principle in silicon dire...
[期刊论文] 作者：赵策洲,
来源：半导体光电 年份：1996
全硅集成光学──理论与工艺（Ⅺ）（续十）第十一讲 全硅集成光学的光源赵策洲（博士，副教授）（西安电子科技大学，西安７１００７１）１前言全硅集成光学的关键问题之一就是寻找一种高效率的电注入硅光源。......
[期刊论文] 作者：赵策洲,
来源：半导体光电 年份：1997
3 硅基光源既然目前在全硅集成光学中还没有有效实用的硅光源,那么发展硅基光源以满足硅集成光学的发展就非常有必要。这个领域的工作主要集中在异质外延生长和各种键合技术...
[期刊论文] 作者：赵策洲,
来源：High Technology Letters 年份：1997
The silicon-on-insulator(SOI) 1 × 2 Y-junction optical waveguide switch has been proposed and fabricated, which is based on the large cross-ction single--mode...
[期刊论文] 作者：赵策洲,高勇,
来源：半导体光电 年份：1996
全硅集成光学——理论与工艺（Ⅹ）（续九）①第十讲干涉型硅波导电光调制开关赵策洲（博士，副教授）高勇②（西安电子科技大学，西安７１００７１）中图法分类号：ＴＮ２５１引言无间距定向耦合调制开关利用了最大的模色......
[期刊论文] 作者：赵策洲,张德胜,
来源：西安电子科技大学学报 年份：1994
少数载流子在Ｓｉ－ＳｉＯ２界面的复合对双极器件的影响很大，文中通过对采用ＳｉＯ２膜和ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４双层膜一次钝化的电容和栅控外延ＮＰＮ晶体管表面电特性的研究，发现ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４一次钝化膜能减小基区表面电流，文中建立了外延双......
[期刊论文] 作者：赵策洲,李国正,
来源：半导体学报 年份：1995
本文根据大截面单模脊形波导条件和有效折射率法，在硅片直接键合后背面抛光减薄的ＳＯＩ材料上，通过氢氧化钾各向异性腐蚀的方法，成功地研制出ＳＯＩ定向耦合器，在波长为１．３μｍ时，其平均插入损耗为......
[期刊论文] 作者：赵策洲,刘恩科,
来源：光子学报 年份：1995
本文根据多量子阱双折射率的性质，运用有效折射率法分析了矩形截面多量子阱脊形波导Ｅ＾ｘｍｎ模和Ｅ＾ｙｍｎ模的模式特性。...
[期刊论文] 作者：李国正,赵策洲,
来源：光子学报 年份：1996
本文通过大量实验，采用键合及背腐蚀方法研制成功ＳＯＩ光波导，传输损耗仅０．８５ｄＢ／ｃｍ。...
[期刊论文] 作者：赵策洲,刘恩科,
来源：光子学报 年份：1996
本文根据多量子阱双折射率的性质，运用有效折射率和ＷＫＢ法对具有梯形截砚多量子阱脊形波导的模式特性作了分析，导出了Ｅ＾ｘｍｎ模和Ｅ＾ｙｍｎ模的本征值方程。...
[期刊论文] 作者：赵策洲,张德胜,
来源：微电子学 年份：1994
本文介绍ＶＬＳＩ最危险的失效机理：薄氧化层击穿，热载流子效应，电迁移和金属－半导体相互作用。着重介绍它们的机理和改善措施。...
[期刊论文] 作者：赵策洲,张德胜,
来源：微电子学 年份：1993
基区表面电特性对双极器件影响很大,本文建立了集成双极npn晶体管基区表面电势的二维模型。文中还通过对采用SiO_2膜和Si_3N_4-SiO_2双层膜一次钝化的电容(MOS和MNOS)和栅控n...
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