搜索筛选:
搜索耗时1.0808秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 47 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：辛国锋,,
来源：河北工业大学 年份：2002
半导体垂直腔面发射量子阱激光器是当前光电子学领域最活跃的研究课题之一。它与边发射激光器相比具有更优越的特性，例如，具有极低的阈值、较小的远场发散角、调制频率高、易实......
[期刊论文] 作者：赵红东,辛国锋,等,
来源：光子学报 年份：2000
我们利用有效反射率方法，研究了多层半导体介质膜的光传输特性，然后设计并生长了TiO2+ZrO2和SiO2组成的多层介质膜。测试结果表明45度入射时，滤长为0．85微米的大部分光被反向，而1．3......
[期刊论文] 作者：辛国锋,付建宏,杨娜,,
来源：全科口腔医学电子杂志 年份：2015
目的探讨上颌第一磨牙近中颊根的第二根管（MB2）的发现及治疗,为患者解除痛苦,让同行更加醒目,实习生在今后的学习、工作生涯中更能够较好的完成治疗。方法选取2014年11月～2015年......
[期刊论文] 作者：辛国锋,陈国鹰,花吉珍,
来源：半导体技术 年份：2003
高速调制半导体激光器光源是高速光纤通信系统、相控阵雷达等的关键器件.本文分析了影响半导体激光器调制带宽的各种因素,系统地介绍了提高调制带宽的途径,并讨论了高速半导...
[期刊论文] 作者：杜龙政,丛艳萍,辛国锋,
来源：四川财政 年份：2002
一、问题的提出为了促进西部大开发，以利于地区经济协调发展、全国统一市场的形成，以及避免现行按企业隶属关系划分中央和地方所得税收入的弊端，中央决定进一步深化所得税收入分......
[期刊论文] 作者：康志龙,辛国锋,陈国鹰,谢红云,
来源：河北工业大学学报 年份：2005
系统地介绍了光电子基础理论研究、光电子器件的特征、应用现状以及发展趋势.详细地介绍了几种半导体激光器、Si基光电器件与光电集成芯片的发展现状和趋势....
[会议论文] 作者：康志龙,陈国鹰,辛国锋,谢红云,
来源：2006年二十一世纪中国光电产业发展论坛 年份：2006
本文阐述了光电子基础理论研究、光电子器件的特征、应用现状以及发展趋势，详细地介绍了几种半导体激光器，Si基光电器件与光电集成芯片的发展现状和趋势。...
[期刊论文] 作者：辛国锋,瞿荣辉,方祖捷,陈高庭,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2006
围绕美国国防先进技术研究计划署(Defense Advanced Research Projects Agency)的军事项目——超高效率激光器光源(SHEDS),分析了半导体激光器的损耗机制,从降低半导体激光器...
[期刊论文] 作者：辛国锋, 瞿荣辉, 陈高庭, 方祖捷,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者：辛国锋,冯荣珠,陈国鹰,花吉珍,
来源：激光与光电子学进展 年份：2003
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质。利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在...
[期刊论文] 作者：辛国锋,冯荣珠,陈国鹰,花吉珍,
来源：激光与光电子学进展 年份：2004
利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs分别限制应变单量子阱激光器工作物质.利用它制成半导体激光器线阵列,其峰值波长为900nm,光谱半高全宽小于4nm,在脉...
[期刊论文] 作者：陈晨,辛国锋,刘锐,瞿荣辉,方祖捷,,
来源：光子学报 年份：2006
利用脉冲工作状态下半导体激光器激射光谱随结温升高发生红移的原理，用Boxcar扫描在一定波长下的半导体激光器光功率随脉冲时间的变化信号，测得其时间分辨光谱；根据对应的峰值光......
[期刊论文] 作者：刘立新,赵红东,高铁成,李娜,辛国锋,曹萌,
来源：光子学报 年份：2003
根据增益波导垂直腔面发射激光器(VCSELs)直接耦合的准三维理论模型,通过有限差分法对泊松方程、注入电流密度、载流子浓度和光场分布方程求自洽解,研究了垂直腔面发射激光器...
[期刊论文] 作者：谢红云,陈国鹰,安振峰,辛国锋,康志龙,
来源：半导体学报 年份：2003
通过对大功率激光器阵列热现象的分析，采用有限元分析法建立了大功率激光器稳态工作时的空间温度分布模型，给出了具体的温度分布曲线，由此模型得出大功率激光器阵列沿谐振腔方向......
[期刊论文] 作者：程灿,辛国锋,皮浩洋,瞿荣辉,方祖捷,
来源：中国激光 年份：2004
根据脉冲工作状态下半导体激光器激射光谱随结温升高而发生红移的原理,提出了一种测试半导体激光器热弛豫时间的新方法--利用调节取样积分器(Boxcar)取样门,测量光信号脉冲内...
[期刊论文] 作者：程灿,辛国锋,皮浩洋,瞿荣辉,方祖捷,,
来源：红外与激光工程 年份：2006
采用测试半导体激光器热弛豫时间的新方法,测量光信号脉冲内不同时刻的时间分辨光谱,测试了 TO 封装和 cm-Bar 列阵的 AIGaAs/GaAs 半导体激光器泵浦光源,得到其热弛豫时间分...
[期刊论文] 作者：程灿,辛国锋,封惠息,方祖捷,瞿荣辉,
来源：中国激光 年份：2004
对体布拉格光栅(VBG)作为波长选择元件的外腔半导体激光器的波长锁定进行了实验研究,报道了连续运转输出功率达43.5 W的半导体激光器阵列的体布拉格光栅波长锁定实验结果,给...
[期刊论文] 作者：程灿,辛国锋,封惠忠,方祖捷,瞿荣辉,,
来源：中国激光 年份：2008
对体布拉格光栅(VBG)作为波长选择元件的外腔半导体激光器的波长锁定进行了实验研究,报道了连续运转输出功率达43.5 W的半导体激光器阵列的体布拉格光栅波长锁定实验结果,给...
[期刊论文] 作者：赵卫青,安振峰,陈国鹰,辛国锋,牛健,沈牧,
来源：光电子．激光 年份：2004
采用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术，制作了AlGaAs/InGaAs/GaAs大功率20％占空比半导体激光器。采用良好的封装方式，激光器直接封装在高效导热载体上，对载体水冷散热，在脉冲频...
[期刊论文] 作者：辛国锋,陈国鹰,冯荣珠,花吉珍,安振峰,
来源：中国激光 年份：2003
用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光器一维线阵列 ,然后再串联组装成二维阵列 ,在 1...
相关搜索：
