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[期刊论文] 作者:邵传芬,,
来源:档案春秋 年份:2004
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[期刊论文] 作者:邵传芬,
来源:微电子学与计算机 年份:1992
介绍一种新型的线性磁场传感器。其结构为横向双基极、双集电极晶体管,器件对磁场呈线性响应。在弱磁场下,其相对灵敏度达105.17%/T,在低负载电阻(500Ω)下,其绝对灵敏度达3....
[期刊论文] 作者:邵传芬,
来源:微电子学 年份:1992
本文介绍了一种用P埋层CMOS工艺制造的横向磁敏晶体管(LMT)。器件结构是双基极、双集电极npn晶体管。它具有抑制侧向注入效应,即将注入集中于发射区的中部,在中性基区的少数...
[期刊论文] 作者:邵传芬,
来源:微电子学 年份:1990
本文介绍了用难熔金属钼栅作材料所制成的3μm沟道的CMOSFET,详细地说明了钼膜的制备、退火、刻蚀及钼膜的保护层和钼栅CMOS IC的工艺流程,给出了Mo栅CMOSFET的特性及单位栅...
[期刊论文] 作者:邵传芬,
来源:上海交大科技 年份:1990
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[期刊论文] 作者:邵传芬,
来源:微电子学与计算机 年份:1990
本文叙述了3μm 宽的钼栅图形的反应离子刻蚀(RIE)工艺并将其用于CMOS IC 的制备中....
[期刊论文] 作者:邵传芬,
来源:微电子学与计算机 年份:1992
介绍一种新型的线性磁场传感器。其结构为横向双基极、双集电极晶体管,器件对磁场呈线性响应。在弱磁场下,其相对灵敏度达105.17%/T,在低负载电阻(500Ω)下,其绝对灵敏度达3....
[期刊论文] 作者:邵传芬,,
来源:档案春秋 年份:2018
1978年9月29日,上海交通大学(以下简称“上海交大”)教授访问团离开北京,经巴黎到达 华盛顿,在美国访问,于11月19日返回北京.这是1949年以后内 地第一个高校访美代表团.在高...
[期刊论文] 作者:邵传芬,
来源:学习周报·教与学 年份:2019
摘 要:随着社会的发展和时代的变革,当今初中教育体系也在不断地完善和优化,因此教师在初中化学教学中要不断更新教学理念,创新教学模式,不断提升学生的核心素养,促使学生在核心素养的基础上提高化学学习效率。基于此,本文针对初中化学教材对提升学生核心素养的重要价......
[期刊论文] 作者:邵传芬,张利民,
来源:固体电子学研究与进展 年份:1998
GaAs粒子探测器既能作为高抗辐射的探测器,又能作为X射线的线性传感器。在不同照射量的X射线辐照下,探测器的灵敏度与X射线的照射量呈线性关系。探测器的有效面积大、所加反偏电压高,其......
[期刊论文] 作者:邵传芬,张利民,
来源:上海交通大学学报 年份:1997
提出一种金属-半导体-金属Schottky结构的粒子探测器,它用高迁移率,半缘绝的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaAs为材料制成大面积的粒子探测器。经过能量为1.5MeV,剂量分别为500kGy和1MGy的电子辐射和剂量分别为300kGy和500kGy的^60Coγ射线......
[期刊论文] 作者:邵传芬,史常忻,
来源:固体电子学研究与进展 年份:1996
研究了有源面积为9mm^2的双面肖特基势垒GaAs粒子探测器的电特性。器件工艺简单,结构新疆,反向耐压高于300V,反向漏电流密度低,该器件能经受能量为1.5MeV,剂量为1000kGy的电子射,电特性正常,是一种抗辐照的粒子......
[期刊论文] 作者:邵传芬,史常忻,
来源:半导体学报 年份:2000
双面肖特基势垒型GaAs粒子探测器由半绝缘砷化镓材料制成,器件结构为金属-半导体-金属结构,该探测器能经受能量为1.5MeV,剂量高达1000kGy的电子,500kGy的γ射线,β粒子,X射线等粒子的辐照测试,辐照后器件击穿曲......
[期刊论文] 作者:邵传芬,陈宏芳,
来源:固体电子学研究与进展 年份:2000
阐述了具有M-S-M结构的GaAs粒子探测器在α、β粒子、光子、X射线辐照下,在室温时测得的能谱特性。对^241Am5.48MeV的α粒子,其电荷收集率(CCE)和能量分辨率(FWHM)的最好结果分别为45%和7%,对^57Co122keV的X射线能量分辨率约为30%。该探......
[期刊论文] 作者:邵传芬,史常忻,
来源:核技术 年份:1995
报道了一种面积为9mm^2的GaAs肖特基势垒粒子探测器,其反向耐压高于400V,反向漏电流低于125nR(VR〈-150V)。器件经受能量为3MeV,剂量为500kGy的电子辐照后,反向漏电流为270nA(VR=-150V)。说明在高能物理和核物理中很有应用前途。......
[期刊论文] 作者:邵传芬,朱美华,等,
来源:半导体学报 年份:2003
设计了一种能经受高能粒子辐照的GaAs微条粒子探测器,该探测器结构采用金属-半导体-金属结构,其主要几何尺寸是:微条长度为17mm,宽度分别为20、50、100、200、300μm,该探测器在经受......
[期刊论文] 作者:邵传芬,史常忻,张利民,
来源:上海交通大学学报 年份:1997
提出一种金属半导体金属Schotky结构的粒子探测器.它用高迁移率、半绝缘的ⅢV族化合物半导体GaAs为材料制成大面积(9mm2)的粒子探测器.经过能量为1.5MeV、剂量分别为500kGy和1MGy的电子辐射和剂量分别为300kGy和500kGy的......
[期刊论文] 作者:邵传芬,史常忻,张利民,
来源:固体电子学研究与进展 年份:1998
GaAs粒子探测器既能作为高抗辐射的探测器,又能作为X射线的线性传感器。在不同照射量的X射线辐照下,探测器的灵敏度与X射线的照射量是线性关系。探测器的有效面积大、所加反偏......
[期刊论文] 作者:邵传芬,朱美华,史常忻,
来源:半导体学报 年份:2003
设计了一种能经受高能粒子辐照的 Ga As微条粒子探测器 .该探测器结构采用金属 -半导体 -金属结构 ,其主要几何尺寸是 :微条长度为 17mm ,宽度分别为 2 0、5 0、10 0、2 0 0...
[期刊论文] 作者:邵传芬,史常忻,徐秀琴,
来源:固体电子学研究与进展 年份:1996
研究了有源面积为9mm2的双面肖特基势垒GaAs粒子探测器的电特性。器件工艺简单,结构新颖,反向耐压高于300V,反向漏电流密度低(91nA/mm2),该器件能经受能量为1.5MeV、剂量为1000kGy的电子照射,电特性正常,是一种抗辐照的......
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