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[期刊论文] 作者：邵传芬,,
来源：档案春秋 年份：2004
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[期刊论文] 作者：邵传芬,
来源：微电子学与计算机 年份：1992
介绍一种新型的线性磁场传感器。其结构为横向双基极、双集电极晶体管,器件对磁场呈线性响应。在弱磁场下,其相对灵敏度达105.17%/T,在低负载电阻(500Ω)下,其绝对灵敏度达3....
[期刊论文] 作者：邵传芬,
来源：微电子学 年份：1992
本文介绍了一种用P埋层CMOS工艺制造的横向磁敏晶体管(LMT)。器件结构是双基极、双集电极npn晶体管。它具有抑制侧向注入效应,即将注入集中于发射区的中部,在中性基区的少数...
[期刊论文] 作者：邵传芬,
来源：微电子学 年份：1990
本文介绍了用难熔金属钼栅作材料所制成的3μm沟道的CMOSFET,详细地说明了钼膜的制备、退火、刻蚀及钼膜的保护层和钼栅CMOS IC的工艺流程,给出了Mo栅CMOSFET的特性及单位栅...
[期刊论文] 作者：邵传芬,
来源：上海交大科技 年份：1990
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[期刊论文] 作者：邵传芬,
来源：微电子学与计算机 年份：1990
本文叙述了3μm 宽的钼栅图形的反应离子刻蚀(RIE)工艺并将其用于CMOS IC 的制备中....
[期刊论文] 作者：邵传芬,
来源：微电子学与计算机 年份：1992
介绍一种新型的线性磁场传感器。其结构为横向双基极、双集电极晶体管,器件对磁场呈线性响应。在弱磁场下,其相对灵敏度达105.17%/T,在低负载电阻(500Ω)下,其绝对灵敏度达3....
[期刊论文] 作者：邵传芬,,
来源：档案春秋 年份：2018
1978年9月29日,上海交通大学(以下简称“上海交大”)教授访问团离开北京,经巴黎到达 华盛顿,在美国访问,于11月19日返回北京.这是1949年以后内 地第一个高校访美代表团.在高...
[期刊论文] 作者：邵传芬,
来源：学习周报·教与学 年份：2019
摘 要：随着社会的发展和时代的变革，当今初中教育体系也在不断地完善和优化，因此教师在初中化学教学中要不断更新教学理念，创新教学模式，不断提升学生的核心素养，促使学生在核心素养的基础上提高化学学习效率。基于此，本文针对初中化学教材对提升学生核心素养的重要价......
[期刊论文] 作者：邵传芬,张利民,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
ＧａＡｓ粒子探测器既能作为高抗辐射的探测器，又能作为Ｘ射线的线性传感器。在不同照射量的Ｘ射线辐照下，探测器的灵敏度与Ｘ射线的照射量呈线性关系。探测器的有效面积大、所加反偏电压高，其......
[期刊论文] 作者：邵传芬,张利民,
来源：上海交通大学学报 年份：1997
提出一种金属－半导体－金属Ｓｃｈｏｔｔｋｙ结构的粒子探测器，它用高迁移率，半缘绝的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体ＧａＡｓ为材料制成大面积的粒子探测器。经过能量为１．５ＭｅＶ，剂量分别为５００ｋＧｙ和１ＭＧｙ的电子辐射和剂量分别为３００ｋＧｙ和５００ｋＧｙ的＾６０Ｃｏγ射线......
[期刊论文] 作者：邵传芬,史常忻,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
研究了有源面积为９ｍｍ＾２的双面肖特基势垒ＧａＡｓ粒子探测器的电特性。器件工艺简单，结构新疆，反向耐压高于３００Ｖ，反向漏电流密度低，该器件能经受能量为１．５ＭｅＶ，剂量为１０００ｋＧｙ的电子射，电特性正常，是一种抗辐照的粒子......
[期刊论文] 作者：邵传芬,史常忻,
来源：半导体学报 年份：2000
双面肖特基势垒型ＧａＡｓ粒子探测器由半绝缘砷化镓材料制成，器件结构为金属－半导体－金属结构，该探测器能经受能量为１．５ＭｅＶ，剂量高达１０００ｋＧｙ的电子，５００ｋＧｙ的γ射线，β粒子，Ｘ射线等粒子的辐照测试，辐照后器件击穿曲......
[期刊论文] 作者：邵传芬,陈宏芳,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2000
阐述了具有Ｍ－Ｓ－Ｍ结构的ＧａＡｓ粒子探测器在α、β粒子、光子、Ｘ射线辐照下，在室温时测得的能谱特性。对＾２４１Ａｍ５．４８ＭｅＶ的α粒子，其电荷收集率（ＣＣＥ）和能量分辨率（ＦＷＨＭ）的最好结果分别为４５％和７％，对＾５７Ｃｏ１２２ｋｅＶ的Ｘ射线能量分辨率约为３０％。该探......
[期刊论文] 作者：邵传芬，史常忻,
来源：核技术 年份：1995
报道了一种面积为９ｍｍ＾２的ＧａＡｓ肖特基势垒粒子探测器，其反向耐压高于４００Ｖ，反向漏电流低于１２５ｎＲ（ＶＲ〈－１５０Ｖ）。器件经受能量为３ＭｅＶ，剂量为５００ｋＧｙ的电子辐照后，反向漏电流为２７０ｎＡ（ＶＲ＝－１５０Ｖ）。说明在高能物理和核物理中很有应用前途。......
[期刊论文] 作者：邵传芬,朱美华,等,
来源：半导体学报 年份：2003
设计了一种能经受高能粒子辐照的GaAs微条粒子探测器，该探测器结构采用金属－半导体－金属结构，其主要几何尺寸是：微条长度为17mm，宽度分别为20、50、100、200、300μm，该探测器在经受......
[期刊论文] 作者：邵传芬,史常忻,张利民,
来源：上海交通大学学报 年份：1997
提出一种金属半导体金属Ｓｃｈｏｔｋｙ结构的粒子探测器．它用高迁移率、半绝缘的ⅢＶ族化合物半导体ＧａＡｓ为材料制成大面积（９ｍｍ２）的粒子探测器．经过能量为１．５ＭｅＶ、剂量分别为５００ｋＧｙ和１ＭＧｙ的电子辐射和剂量分别为３００ｋＧｙ和５００ｋＧｙ的......
[期刊论文] 作者：邵传芬,史常忻,张利民,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
GaAs粒子探测器既能作为高抗辐射的探测器，又能作为X射线的线性传感器。在不同照射量的X射线辐照下，探测器的灵敏度与X射线的照射量是线性关系。探测器的有效面积大、所加反偏......
[期刊论文] 作者：邵传芬,朱美华,史常忻,
来源：半导体学报 年份：2003
设计了一种能经受高能粒子辐照的 Ga As微条粒子探测器 .该探测器结构采用金属 -半导体 -金属结构 ,其主要几何尺寸是 :微条长度为 17mm ,宽度分别为 2 0、5 0、10 0、2 0 0...
[期刊论文] 作者：邵传芬,史常忻,徐秀琴,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
研究了有源面积为９ｍｍ２的双面肖特基势垒ＧａＡｓ粒子探测器的电特性。器件工艺简单，结构新颖，反向耐压高于３００Ｖ，反向漏电流密度低（９１ｎＡ／ｍｍ２），该器件能经受能量为１．５ＭｅＶ、剂量为１０００ｋＧｙ的电子照射，电特性正常，是一种抗辐照的......
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