搜索筛选:
搜索耗时3.2670秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 6 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：郭亮良,,
来源：西安电子科技大学 年份：2007
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件已经表现出了出色的微波功率性能,AlGaN/GaN HEMT器件被认为是1-50GHz频率范围内理想的微波功率器件。但是,仍然存在两个问题严重阻碍了其在...
[期刊论文] 作者：王冲,郝跃,冯倩,郭亮良,,
来源：半导体技术 年份：2006
对比了RIE,ECR,ICP等几种GaN干法刻蚀方法的特点。回顾了GaN干法刻蚀领域的研究进展。以ICP刻蚀GaN和AlGaN材料为例,通过工艺参数的优化,得到了高刻蚀速率和理想的选择比及形...
[期刊论文] 作者：郭亮良,冯倩,郝跃,杨燕,
来源：物理学报 年份：2004
就蓝宝石衬底上制备的A1GaN/GaN场板(field plate)HEMT器件、常规HEMT器件性能进行了分析对比.结果证明两种结构的器件直流参数变化不大,但是采用场板后器件的击穿电压从52 V...
[期刊论文] 作者：马香柏, 张进城, 郭亮良, 冯倩, 郝跃,,
来源：半导体学报 年份：2007
由于AlGaN/GaNHEMT的几何结构以及很强的极化效应,柵漏区域的电场很大,以至于电子可以从柵隧穿到AlGaN表面.隧穿的电子在表面累积,导致柵下耗尽区的电子向漏端延伸,从而引起...
[期刊论文] 作者：郭亮良,冯倩,马香柏,郝跃,刘杰,
来源：物理学报 年份：2004
研究了钝化在抑制电流崩塌的同时,会引起HEMT器件击穿电压的下降.而采用场板结构的A1GaN/GaN场板HEMT器件(FP-HEMT)的击穿电压从46V提高到了148 V,表明了场板对提高击穿电压...
[期刊论文] 作者：刘杰,郝跃,冯倩,王冲,张进城,郭亮良,,
来源：物理学报 年份：2007
基于对制作在n-GaN上的肖特基二极管的变温I-V测试和C-V测试,采用表面势垒减薄模型对肖特基二极管的电流输运特性进行了研究.试验结果表明,肖特基接触的电流输运机理非常复杂...
相关搜索：
