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[学位论文] 作者：钟志亲,,
来源：四川大学 年份：2007
本文用低温光致发光谱（PL）和深能级瞬态谱（DLTS）技术对中子和不同能量电子辐照后6H-SiC外延层的辐照诱生缺陷进行了研究，研究了不同辐照能量下辐照诱生缺陷的产生以及它们的退火行......
[期刊论文] 作者：许龙来, 钟志亲,,
来源：电子科技 年份：2019
鉴于SiC材料具有很强的稳定性以及湿法刻蚀的种种缺点,目前主要使用干法刻蚀来刻蚀SiC材料。但是干法刻蚀后样品表面的粗糙度对器件的性能有一定的影响。针对这一问题,采用电...
[期刊论文] 作者：钟志亲,黄海猛,李小红,
来源：黑龙江教育（高教研究与评估版） 年份：2022
为充分发挥课堂教学主渠道育人作用,电子科技大学示范性微电子学院专业核心课“半导体物理”结合课程内容,在专业知识点授课过程中融入思政元素.通过对业界老一辈科学家的介绍、专业知识点的隐喻作用分析等方式,寻找课程思政与专业知识的“撞击点”,引导学生树......
[期刊论文] 作者：王鸥,丁元力,钟志亲,
来源：光散射学报 年份：2004
本文用低温光致发光(LTPL)技术对经中子辐照的N型6H-SC在350℃-1650℃温度范围的退火行为进行了研究.在700℃退火后观察到D1中心(D1-center)和位于485.0nm、493.6nm处的发光...
[期刊论文] 作者：刘畅,王鸥,袁菁,钟志亲,龚敏,
来源：光散射学报 年份：2005
本文主要研究了n型GaN肖特基紫外光敏器件(包括GaN肖特基势垒紫外探测器,GaN 肖特基二极管)的电子辐照效应和失效机理,以及辐照后二极管对不同波长光的光敏特性的变化.从实验...
[期刊论文] 作者：刘畅,袁菁,钟志亲,伍登学,龚敏,
来源：半导体光电 年份：2005
研究了n型Au/GaN肖特基势垒紫外光探测器的电子辐照失效机理.从实验中观测到,随着电子辐照注量的不断增加,Au/GaN间辐照诱生的界面态引起器件的击穿电压明显减小,反向漏电流...
[期刊论文] 作者：戴丽萍,王姝娅,钟志亲,张国俊,,
来源：Optoelectronics Letters 年份：2014
The stable properties of N-doped p-type ZnO thin films with preferential nonpolar(100) plane orientation relative to polar(002) plane orientation are investigat...
[期刊论文] 作者：钟志亲,刘洪军,袁菁,王欧,刘畅,龚敏,
来源：光散射学报 年份：2004
本文利用红外反射峰位置与薄膜厚度及密度的关系研究了在SiC衬底上热氧化生长出的SiO2在退火前及在不同温度用高N2退火一小时后的1085cm-1附近红外反射峰的漂移情况,分析了Si...
[期刊论文] 作者：钟志亲,刘洪军,袁菁,王欧,刘畅,龚敏,
来源：光散射学报 年份：2004
本文利用红外反射峰位置与薄膜厚度及密度的关系研究了在SiC衬底上热氧化生长出的SiO2在退火前及在不同温度用高N2退火一小时后的1085cm^-1附近红外反射峰的漂移情况，分析了Si...
[期刊论文] 作者：王鸥,丁元力,钟志亲,袁菁,龚敏,ChenXD,FungS,,
来源：光散射学报 年份：2004
本文用低温光致发光(LTPL)技术对经中子辐照的N型6H-SiC在350℃-1650℃温度范围的退火行为进行了研究。在700℃退火后观察到DI中心(D1-center)和位于485．0nm、493．6nm处的发光...
[期刊论文] 作者：钟志亲,张国俊,王姝娅,戴丽萍,吴鹏飞,,
来源：半导体光电 年份：2012
以SiH4为先驱气体,采用低频等离子体增强化学气相沉积(LF-PECVD)方法在Si衬底上制备了氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜。在薄膜沉积过程中,工艺参数将会影响非晶硅薄膜的沉积速率和...
[期刊论文] 作者：葛微微,张国俊,钟志亲,王姝娅,戴丽萍,,
来源：电子元件与材料 年份：2012
通过一系列的工艺步骤，在半导体功率器件含有场限环（FLR）的结终端上覆盖了一层300nm厚、介电常数高的钛酸锶钡（BST）膜。对该新型结终端和无BST膜的传统FLR结终端的结构与性能进行......
[期刊论文] 作者：吴鹏飞,张国俊,戴丽萍,钟志亲,王姝娅,,
来源：科学技术与工程 年份：2011
用卡氏第二定律和胡克定律推导出折叠式MEMS弹簧弹性系数的计算公式。ANSYS的仿真结果表明两者的相对误差低于1％。在计算公式和仿真的基础上，研究了各种结构参数对弹性系数的影......
[期刊论文] 作者：孙子茭,钟志亲,王姝娅,戴丽萍,张国俊,,
来源：压电与声光 年份：2013
采用高真空电子束蒸发法制作了基于4H-SiC外延材料的肖特基二极管，其中欧姆接触材料为Ti／Ni，肖特基接触材料为Ni。常温下，电流-电压（I-V）测试表明Ni／4H-SiC肖特基二极管具有良好的整......
[期刊论文] 作者：冯堃,张国俊,王姝娅,戴丽萍,钟志亲,
来源：电子产品世界 年份：2020
介绍了一种增大质量块设计的三轴MEMS加速度计。该加速度计基于绝缘体上硅(SOI)硅片,采用双面光刻、干法刻蚀的工艺,利用了部分SOI硅片的底层硅部分来增大加速度计的质量块,...
[期刊论文] 作者：吴鹏飞,张国俊,钟志亲,戴丽萍,王姝娅,,
来源：压电与声光 年份：2012
设计了一种新型的C型微机电系统（MEMs）平面微弹簧，用卡氏第二定律和胡克定律推导出这种平面微弹簧在3个方向（即x，y和z方向）上的弹性系数计算公式，用ANSYS进行有限元仿真，结果验证了公......
[期刊论文] 作者：吴鹏飞,张国俊,钟志亲,戴丽萍,王姝娅,,
来源：微纳电子技术 年份：2011
对封闭O型MEMS平面微弹簧建立力学分析模型,用卡氏第二定律和胡克定律推导出这种平面微弹簧弹性系数的计算公式,并用ANSYS进行有限元仿真,仿真结果表明,两者的相对误差低于2%...
[期刊论文] 作者：欧书俊,张国俊,王姝娅,戴丽萍,钟志亲,
来源：电子产品世界 年份：2020
本文针对一字型悬臂梁RF MEMS开关,提出了两种降低驱动电压RF MEMS开关的方法,分别为:增大局部驱动面积和降低弹性系数。根据这两种方法设计了4种形状的悬臂梁开关,分别为增...
[期刊论文] 作者：周寿权,张国俊,王姝娅,戴丽萍,钟志亲,
来源：电子产品世界 年份：2020
介绍了一种田字形单质量块三轴电容式微加速度计的设计与仿真。该加速度计以SOI晶圆作为基片,经过氧化、光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等工艺步骤得到。通过支撑梁和3个轴的敏感...
[期刊论文] 作者：王鸥,丁元力,钟志亲,袁菁,龚敏,Chen X D,Fung,
来源：光散射学报 年份：2004
本文用低温光致发光(LTPL)技术对经中子辐照的N型6H-SC在350℃-1650℃温度范围的退火行为进行了研究.在700℃退火后观察到D1中心(D1-center)和位于485.0nm、493.6nm处的发光...
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