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[期刊论文] 作者：高剑侠,
来源：核技术 年份：1998
采用高选择和自终止多孔氧化硅全隔离技术的制备了高质量的ＳＯＩ材料，研究了在该材料上采用２μｍＣＭＯＳ工艺制备的不同沟道长度的Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ的＾６０Ｃｏγ射线总剂量辐照特性，表明经５ｋＧｙ（Ｓｉ）辐照后，器件仍有特性，但阈值电......
[期刊论文] 作者：高剑侠,
来源：读写算（教师版）：素质教育论坛 年份：2014
优秀的教师既是好的教书匠也是好的学习者，他只有不断地学习、吸收养料，才能源源不断地向学生灌输知识和学习的能力。而校本研修工作在推动新课改和促进教师专业发展的重要作用......
[学位论文] 作者：高剑侠,
来源：中国科学院上海冶金研究所 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 年份：1998
该论文研究了具有优良抗辐照性能的SOI材料与铁电膜及其器件的γ射线辐射效应.到得了以下主要的结果:对CMOS/SOI器件的辐照感生缺陷从理论上进行了分析和计算,详细讨论了以Si...
[期刊论文] 作者：高剑侠,李金华,
来源：微电子学 年份：1996
采用ＳＩＭＯＸ和ＢＥＳＯＩ材料制作了ＣＭＯＳ倒相器电路，在２５￣２００℃的不同温度下测量了ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线，实验结果显示，薄膜全耗尽ＩＭＯＸ器件的阈值电压和泄漏电流随温度的变化小于厚膜ＢＥＳＯＩ器件。......
[期刊论文] 作者：曾健,高剑侠,
来源：半导体技术 年份：1999
实验中采用三种剂量注入ＳＩＭＯＸ材料中，注入剂量分别为５×１０＾１２Ｆ＾＋／ｃｍ＊＾２，５×１０＾１３Ｆ＾＋／ｃｍ＾２，１×１０＾５Ｆ＾＋／ｃｍ＾２，用ＳＩＭＳ技术了Ｆ在材料中的浓度分析，结果表明，随着注Ｆ＾＋能量和剂量的改变，Ｆ＾＋在材料中的深度分布也相应改变。......
[期刊论文] 作者：高剑侠,靳涛,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1994
针对Ｓｉ－ＳｉＯ２过渡区对子离注入较为敏感的特点，用１．２ＭｅＶ，剂量１×１０＾１０ｃｍ＾－２的Ｆｅ＾＋和Ｈ＾＋先后注入ＳｉＯ２－Ｓｉ样品，并用ＸＰＳ技术重点分析了Ｓｉ＾４＋，Ｓｉ＾０价态，还存在明显的Ｓｉ＾２＋价态，这和注入Ｈ＾＋价态。这和注入Ｈ＾＋产生的高温退火以及Ｓｉ－Ｓｉ键或Ｓｉ－Ｈ键的形成有关。......
[期刊论文] 作者：严荣良,高剑侠,
来源：上海微电子技术和应用 年份：1996
采用亚阀Ⅰ－Ⅴ技术，分析了ＣＭＯＳ／ＢＥＳＯＩ器件在＾６０Ｃｏ－γ辐照场中的电参数退化行为和机制。结果表明，器件经辐照后产生了较严重的损伤。...
[期刊论文] 作者：武光明,朱江,高剑侠,
来源：电子元件与材料 年份：2002
向SIMOX材料的SiO2埋层或Si/SiO2界面注入170 keV F+,进而制成CMOS/SOI材料,采用60Co ( 辐射器辐照并测量材料的I-V特性.结果表明:向CMOS/SOI材料埋层注入F+离子,能提高CMOS/...
[期刊论文] 作者：严荣良,高剑侠,
来源：微电子学与计算机 年份：1994
采用Ｉ－Ｖ亚阈测量技术，分析了封闭栅和条形栅结构ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件的ｌｏｇＩ－Ｖ曲线亚阈斜率和阈电压的总剂量电离辐照特性，以及不同的辐照偏置条件对上述两个电参数的影响。结果表明，在总剂量辐照下，封闭栅......
[期刊论文] 作者：竺士炀,高剑侠,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
用厚膜ＢＥＳＯＩ制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温￣２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。......
[期刊论文] 作者：高剑侠,林成鲁,
来源：上海微电子技术和应用 年份：1996
本文详细讨论了铁电电容和器件的电极化特性的研究方法及其电极化特性的辐照效应。...
[会议论文] 作者：林成鲁,高剑侠,
来源：第八届全国电介质物理学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：高剑侠,林成鲁,等,
来源：核技术：英文版 年份：1994
The MOSFETs are built on SIMOX material,the oxide positive charge,interface state,threshold voltage and leakage current of MOSFETs/SOI after ^60Co-γ irradiatio...
[期刊论文] 作者：高剑侠,林成鲁,严荣良,
来源：微电子学 年份：1997
详细论述了多种辐照源辐射ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ器件和电路产生的ＳＥＵ（单粒子翻转 ）效应，辐照源包括脉冲激光、质子、中子和电子不等。同时还讨论了计算机模拟辐射产生ＳＥＵ的过程和机制。研究表明：１）在低温生长......
[期刊论文] 作者：竺士炀，黄宜平，高剑侠,
来源：核技术 年份：1998
采用高选择和自终止多孔氧化硅全隔离技术制备了高质量的ＳＯＩ材料。研究了在该材料上采用２μｍＣＭＯＳ工艺制备的不同沟道长度的Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ的６０Ｃｏγ射线总剂量辐照特性，表明经５ｋＧｙ（Ｓｉ）辐照后，器件仍有特性，但阈值电......
[期刊论文] 作者：高剑侠, 林成鲁, 严荣良,
来源：微电子学 年份：1997
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[期刊论文] 作者：竺士炀,林成鲁,高剑侠,李金华,
来源：半导体学报 年份：1996
对常规工艺制备的ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）材料，注入不同剂量的Ｆ＋并退火，其电容经（６０）Ｃｏγ射线电离辐照后平带电压漂移较小，通过同理论值相比较，说明Ｆ＋的注入减少了ＳＩＭＯＸ隐埋ＳｉＯ２层（ＢＯＸ：ＢｕｒｉｅｄＯＸｉｄｅ）的空穴陷阱浓度，增强了ＳＩＭＯＸ的抗电离辐照能力．Fo......
[期刊论文] 作者：竺士炀,高剑侠,林成鲁,李金华,
来源：微电子学 年份：1996
采用ＳＩＭＯＸ和ＢＥＳＯＩ材料制作了ＣＭＯＳ倒相器电路，在２５～２００℃的不同温度下测量了ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线。实验结果显示，薄膜全耗ＳＩＭＯＸ器件的阈值电压和泄漏电流随温度的变化小于厚膜ＢＥＳＯＩ器件。CMOS inverter circuit......
[期刊论文] 作者：竺士炀,林成鲁,李金华,高剑侠,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
用薄膜ＳＩＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩＭｐｌａｎｔａｔｉｏｎｏｆＯＸｙｇｅｎ）、厚膜ＢＥＳＯＩ（ｆｆｅｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）和体硅材料制备了ＣＭＯＳ倒相器电路，并用６０Ｃｏγ射线进行了总剂量辐照试验。在不同偏置条件下，经不同剂量辐照后，分别测量了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ的亚阈特性曲线，分析了引起ＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移的两种因素......
[期刊论文] 作者：竺士炀,林成鲁,高剑侠,李金华,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
用厚膜ＢＥＳＯＩ（ＢｏｎｄｉｎｇａｎｄＥｔｃｈ－ｂａｃｋＳｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）制备了ＷＳｉ２栅和Ｓｉ栅４００７ＣＭＯＳ电路，在室温～２００℃的不同温度下测量了其Ｐ沟、Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ的亚阈特性曲线，分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。The WSi2 gate and Si gate 4007 CMOS circuits w......
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