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[期刊论文] 作者：鲍希茂,
来源：物理 年份：1997
硅基蓝光发射是集成化全色固态显示和光电子集成的基础材料，是发光材料研究的前沿课题。利用离子注入技术，将碳离子注入到硅中，直接形成硅基纳β－ＳｉＣ，多孔化后，由于量子限制效应，它将发......
[期刊论文] 作者：鲍希茂,
来源：物理 年份：1997
微电子技术是高技术中的关键技术，硅是微电子技术的基础材料，但是硅是一种非发光材料，为了发展光电集成技术，必须大力发展硅基发光材料，多孔硅是一种有希望的硅基发光材料，它表明纳......
[期刊论文] 作者：鲍希茂,
来源：物理学进展 年份：1993
发光多孔硅的发现为光电子学的发展开辟了一条新的途径。本文对多孔硅的结构,各种发光模型和不同的形成机理进行了讨论。...
[期刊论文] 作者：鲍希茂,
来源：功能材料与器件学报 年份：1997
硅基发光材料是未来光电子集成的基础材料。离子注入技术在琪发光材料的研究与开发中有极重要的作用。多孔硅的发现是硅基发光材料的一项重大进展。...
[期刊论文] 作者：鲍希茂,
来源：中国科学基金 年份：1998
硅是微电子技术的材料基础。为了发展光电子集成就必须研究硅基发光材料。多孔硅是硅基发光材料的一个重大突破,并实现了多孔硅发光二极管与集成电路的集成。同时,硅基发光材...
[期刊论文] 作者：阎锋, 鲍希茂,,
来源：半导体学报 年份：1994
首次报道硅／多孔硅异质结光生电压谱，发现多孔硅的激发能有不连续性，表明多孔硅量子点由一层层硅硅原子有序排列而构成，其尺寸分布是不连续的，其差值为硅晶格常数的整数倍，光生电压......
[期刊论文] 作者：鲍希茂,严海,
来源：半导体学报 年份：1993
本文介绍一种在n型Si衬底上制备浅p~+-n结的方法。在Si衬底上通过固相反应形成一定厚度的TiSi_2薄膜后,穿过TiSi_2层进行离子注入掺杂,经快速热退火可形成浅P~+-n结。TiSi_2...
[期刊论文] 作者：鲍希茂,郭强,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
浅结制备是超大规模集成电路发展的关键技术之一。硅中硼、磷等杂质注入,在退火时发生异常扩散,使浅结的控制困难。异常扩散是一个瞬态快速扩散过程。对于硼,在退火开始...
[期刊论文] 作者：郑虹,鲍希茂,
来源：南京大学学报：自然科学版 年份：1993
在预非晶化硅衬底上淀积Ｔｉ金属膜，经６００℃及８５０℃，６０分钟退火形成硅化钛，在Ｔｉ硅化过程中释放的空位能消除硅衬底上的射程端缺陷，而没有淀积Ｔｉ膜的预非晶化硅样品，即使退火温度高达１０００℃，射程端缺陷也......
[期刊论文] 作者：顾清,鲍希茂,
来源：南京大学学报：自然科学版 年份：1991
本文报道了利用透射电子显微镜和Raman谱两种方法对a-Si:H激光结晶过程的研究。结果表明结晶后得到的四个结晶区中LP-LCR,OD是液相结晶区,LP-LCR晶粒尺寸达到做器件水平。FCR...
[期刊论文] 作者：方小华,鲍希茂,
来源：半导体学报 年份：1996
本文报道采用选择性掺杂的多晶硅热退火掩膜作扩散源进行的ＧａＡｓ中Ｓｉ扩散机制的研究结果。...
[期刊论文] 作者：顾清,鲍希茂,
来源：半导体学报 年份：1989
本文对激光结晶a-Si∶H SOI结构砷注入和快速退火行为作了研究.a-Si∶H激光结晶有Lp-LCR,OD,FCR-2,FCR-1四个结晶区.用剖面电镜观察了结晶区的结构.扩展电阻测量表明Lp-LCR区...
[期刊论文] 作者：鲍希茂,顾清,
来源：半导体学报 年份：1989
文章报道了a-Si∶H在石英,SiO2/Si,WSi2/Si和Al/Si四种不同衬底上激光结合的结果....
[期刊论文] 作者：吴晓华,鲍希茂,
来源：半导体学报 年份：2000
单晶硅中注入高剂量的Ｃ＾＋离子，注入能量为５０ｋｅＶ，经高温退火后形成βＳｉＣ沉淀，再经电化学腐蚀形成多孔β－ＳｉＣ，样品表面蒸上一层半透明的金膜，在正向偏压高于２５Ｖ时，可以获得波长约为４４７ｎｍ的蓝光发射，而且该蓝光......
[期刊论文] 作者：鲍希茂,刘湘娜,
来源：薄膜科学与技术 年份：1995
硅是微电子技术的基础材料，硅集成技术已高度发展，但硅却是非发光材料。为了发展硅基光电子技术，人们对硅基发光材料作了多方面的探索，其中有“缺陷工程”－在硅中引入作为辐射复合......
[期刊论文] 作者：张新宇,鲍希茂,
来源：半导体学报 年份：1986
用高功率密度的CWCO_2激光扫描在硅中引入了较单纯清洁的位错,并利用DLTS技术对其深能级谱进行了测量.在p型和n型硅中分别测到 E_v+0.33eV和 E_c-0.37eV,E_c-0.50eV三个深能...
[期刊论文] 作者：鲍希茂,宋海智,
来源：材料研究学报 年份：1997
硅基发光材料是光电子集成的基础材料。发光多孔硅是硅基发光材料的一个新进展，已实现了硅基光电子集成，随着多孔硅研究的深化和纳米科学的发展，硅基发光材料正向纳米方向开拓。......
[期刊论文] 作者：鲍希茂,杨海强,
来源：自然科学进展：国家重点实验室通讯 年份：1995
报道了离子辐射损伤地多孔硅的形成及其发光性质的影响，硅自注入后电化学腐蚀形成多孔硅，注入剂量增加，光荧光谱强度减弱，谱峰红移，半高宽减小，如果样品被非晶化将不发光，因此，为离子......
[期刊论文] 作者：鲍希茂,华雪梅,
来源：半导体学报 年份：1990
预非晶化硅中,在非晶区和损伤区之间有一重损伤层存在,其边缘清楚,厚度约为20nm,包含有大量的扩展缺陷。它阻挡了尾部损伤区内簇团分解放出的硅间隙原子向非晶区扩散,大大削...
[期刊论文] 作者：李宁生,鲍希茂,
来源：半导体学报 年份：1997
本文提出一种制作硅基发光图形的方法，利用ＳｉＯ２作掩膜，通过Ｃ＾＋离子选区注入，退火处理及电化学腐蚀，使样品的单晶区形成多孔硅红－绿色发光区，注Ｃ＾＋区域形成多孔ＳｉＣ的蓝光发射区域，构成双色发光图形......
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