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[期刊论文] 作者：黄岸兵,
来源：电子元件与材料 年份：1998
ＡｌＮ基片的色斑会影响外观，引起用户对基片性能的疑虑。通过ＸＰＳ、热力学分析等方法，证实了碳的金属化合物是造成氮化铝陶瓷色斑的根源；采取控制氮化铝粉质量、改进排胶和烧结工艺、疏通......
[期刊论文] 作者：黄岸兵,
来源：电子元件与材料 年份：1989
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[期刊论文] 作者：黄岸兵,崔嵩,
来源：微电子技术 年份：1999
本文介绍了AIN陶瓷基片生产的关键技术，国内外AIN陶瓷封装概况。探讨了AIN陶瓷封装发展的趋势。...
[期刊论文] 作者：黄岸兵,崔嵩,
来源：世界产品与技术 年份：2000
随着民用、军用电子设备或系统的功能越来越全,自动化程度也日益提高,因此必须有功能完整、高可靠性、体积小、重量轻、高效率、高功率密度、开关速度快、抗干扰能力强...
[期刊论文] 作者：黄岸兵,崔嵩,
来源：电子元件与材料 年份：1999
研制出一种直接覆铜ＡｌＮ基板。先将ＡｌＮ陶瓷基板作表面氧化处理，然后在１０６３－１０７０℃下，氮气氛中煅烧，使铜箔直接焊敷在ＡｌＮ基板上。铜箔的剥离强度可达到８５３．２Ｐａ，厚度为０．１－０．５ｍｍ，最大基板面积可达５０ｍｍ×５０ｍｍ。......
[期刊论文] 作者：王传声,黄岸兵,
来源：电子陶瓷译丛 年份：1991
AlN陶瓷作为电子部件一种新型的导热基片,受到世界各国的重视。日、美等国在氮化铝应用市场上一直占主导和领先地位。AlN基片的热导率比Al_2O_3高约10倍,其热胀系数与硅...
[期刊论文] 作者：崔嵩,黄岸兵,
来源：世界产品与技术 年份：2000
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[会议论文] 作者：黄岸兵,崔嵩,
来源：第九届全国混合集成电路学术会议 年份：1995
该文着重介绍了国内氮化铝基板的研究和生产发展现状，以及功率电子模块对ＡｌＮ基板的要求。...
[期刊论文] 作者：黄岸兵,崔嵩,张浩,
来源：电子元件与材料 年份：1999
研制出一种直接覆铜ＡｌＮ基板。先将ＡｌＮ 陶瓷基板作表面氧化处理， 然后在１ ０６３～１ ０７０℃下， 氮气氛中煅烧， 使铜箔直接焊敷在ＡｌＮ基板上。铜箔的剥离强度可达到８５３．２ Ｐａ， 厚度为０．１～０．５ ｍ ｍ ， 最大基板面积可达５０ ｍ ｍ ×５０ ｍ ｍD......
[期刊论文] 作者：黄岸兵, 殷名礼,,
来源：电子元件与材料 年份：1989
前言 氮化铝是一种性能优良的新型陶瓷材料,在国外已得到广泛应用,国内也正在开展氮化铝粉料的制备及其应用方面的研究。为配合我所氮化铝粉的合成,我们为分析制定了试...
[期刊论文] 作者：黄岸兵, 崔嵩, 张浩,,
来源：世界产品与技术 年份：2004
随着民用、军用电子设备或系统的功能越来越全,自动化程度也日益提高,因此必须有功能完整、高可靠性、体积小、重量轻、高效率、高功率密度、开关速度快、抗干扰能力强...
[期刊论文] 作者：崔嵩, 黄岸兵, 张浩,,
来源：电子元件与材料 年份：2003
通过实验优化AlN(氮化铝)瓷料配方及排胶工艺,对共烧W(钨)导体浆料性能及AlN多层基板的高温共烧工艺进行了研究,并对AlN多层基板的界面进行了扫描电镜分析。采用AlN流延生瓷...
[会议论文] 作者：崔嵩,黄岸兵,张浩,
来源：真空电子技术 年份：2002
阐述了AlN陶瓷的烧结原理 ,分析了烧结工艺参数对大面积AlN基板性能的影响 ,成功研制出了高热导率(190W /m·K)、大面积 (14 0mm× 90mm)、翘曲度为 2 0 μm/5 0mm的AlN陶瓷...
[会议论文] 作者：崔嵩,黄岸兵,张浩,
来源：中国电子学会第十二届电子元件学术年会 年份：2002
多芯片组件(MCM)作为一种新技术正在迅速发展,随着组装密度的不断提高,IC集成度的提高,MCM的功率密度越来越大.为了改善器件的散热,提高可靠性,要求功率MCM所用的多层基板应具有高的异热性.本研究采用AIN流延生瓷片与钨(W)高温共烧的方法,成功的制备出了高热导......
[期刊论文] 作者：崔嵩,黄岸兵,贺相传,,
来源：化工新型材料 年份：1992
一、前言微电子学的发展趋势是器件多功能化、小型化。器件的复杂性将导致芯片尺寸增大和集成度提高,亦使芯片的功率耗散增加,片子的散热便成为关键问题之一。通过基片...
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