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[会议论文] 作者:S.C.Su,J.C.Fan,C.C.Ling, 来源:第五届届全国氧化锌学术会议 年份:2011
  Arsenic-doped ZnO films were fabricated by radio frequency magnetron sputtering method with different substrate temperature Ts.Growing with the low substr a...
[会议论文] 作者:S.C.Su,C.M.Pak,C.C.Ling, 来源:第13届全国发光学学术会议 年份:2013
[期刊论文] 作者:王海云,翁惠民,C.C.Ling, 来源:物理学报 年份:2008
通过对不同生长厚度GaN/SiC(n-n)的慢正电子研究,发现在GaN/SiC的界面中存在大量各种缺陷并在界面两端形成两个不同方向的电场.这些缺陷的产生和SiC衬底表面制备以及GaN和SiC不...
[会议论文] 作者:翁惠民,J.D.Zhang,C.C.Ling,C.D.Beling,S.Feng, 来源:第八届全国正电子谱学会议 年份:2002
本文用慢正电子束技术研究Cu/SiC结构的结果.用多普勒展宽能谱线形S参数测量,从10K-300K改变样品的湿度测量不同温度的S-E曲线,发现在BK和245K时Cu/SiC结构存在双向相变的现...
[期刊论文] 作者:王海云,翁惠民,C.C.Ling,叶邦角,周先意, 来源:化学物理学报 年份:2006
用单能慢正电子束和X射线衍射方法研究了Al/n-GaSb金属半导体异质结在不同温度退火的情况下的演变.采用三层模型既Al/界面/GaSb对S-E实验数据进行拟合.结果发现在未退火样品...
[期刊论文] 作者:王海云,翁惠民,C.C.Ling,叶邦角,周先意,, 来源:Chinese Journal of Chemical Physics 年份:2006
用单能慢正电子束和 X 射线衍射方法研究了 Al/n-GaSb 金属半导体异质结在不同温度退火的情况下的演变.采用三层模型既 Al/界面/GaSb 对 S-E 实验数据进行拟合.结果发现在未...
[会议论文] 作者:J.C.Fan,K.S.Wong,Y.C.Zhong,Z.Xie,C.C.Ling,C.Y.Zhu,B.Yang,S.Fung,C.D.Beling,G.Brauer,W.Anwand,D.Grambole, 来源:第六届国际氧化锌及相关材料研讨会 年份:2010
[期刊论文] 作者:翁惠民),HANG De-Sheng(杭德生),ZHOU Xian-Yi(周先意),YE Bang-Jiao(叶邦角),FAN Yang-Mei(范扬眉),HAN Rong-Dian(韩荣典),C.C.Ling, 来源:中国物理快报(英文版) 年份:2003
The defect changes in 6H-SiC after annealing and 10 MeV electron irradiation have been studied by using a variable-energy positron beam. It was found that after...
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