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[期刊论文] 作者：David Lammers,,
来源：集成电路应用 年份：2009
在一篇延期提交N2008国际电子器件会议（IEDM）的论文中，来自Intel公司的研究人员讨论了该公司的32nm技术平台，并介绍了基于锑化铟（InSb）的pFET，其性能创造了新的纪录。来自IBM的研究......
[期刊论文] 作者：David Lammers,,
来源：集成电路应用 年份：2009
总有这样一种误解,认为太阳能技术是很低端的东西。还有一些悲观的分析师认为,太阳能电池供应商必须接受补贴才能运营,一旦政府取消了补贴,那么将无法维持盈利。...
[期刊论文] 作者：David Lammers,,
来源：集成电路应用 年份：2009
耶鲁大学的T．P．Ma教授提出了一种全n沟道的CMOS，它比现在的以电子和空穴为载流子的CMOS速度更快、更容易制造。T．P．Ma称它为单极CMOS，并在2008年10月由Semathech组织的先进栅叠层技...
[期刊论文] 作者：David Lammers,
来源：集成电路应用 年份：2009
来自耶鲁大学的研究人员已经开发出一款DRAM型的铁电存储器，称为FeDRAM，可以获得比传统DRAM更简单的存储结构和更长的数据保持时间。...
[期刊论文] 作者：David Lammers,,
来源：集成电路应用 年份：2008
Sematech研究人员正致力于III-V族和SiGe等异质结半导体的研究工作。在2008年度VLSI技术论坛上,Sematech的科学家们发表了的三篇论文,文中他们介绍了对GaAs器件的应力技术以...
[期刊论文] 作者：David Lammers,,
来源：集成电路应用 年份：2009
去年12月中旬在旧金山举行的国际电子器件会议(IEDM)上,专家们认为,随着硅性能提升的减慢,半导体工业需要集中研究新的沟道材料,并且努力降低寄生电容。应变硅在过去十年间填...
[期刊论文] 作者：David Lammers,,
来源：集成电路应用 年份：2009
Intel和另一家顶级器件制造商正在研究使用(110)晶向的硅片衬底来提高pMOS的迁移率。在2008年的国际电子器件会议(IEDM)上,Intel的32nm器件经理Paul Packan表示:Intel在(110)...
[期刊论文] 作者：David Lammers,,
来源：集成电路应用 年份：2008
德州仪器(TI)的技术主管宣布,采用毫秒退火技术获得了结工程的重大进展,这在TI45nm晶体管技术中扮演了重要角色,目前正在向后半年实现量产的目标迈进。该公司负责先进CMOS开...
[期刊论文] 作者：David Lammers,,
来源：集成电路应用 年份：2008
不久前,Novellus System的CEO Rick Hill拜访了韩国海力士半导体的M11 fab,他惊讶于该fab的巨大规模,同时也很满意地得知八十亿美元的设备采购预算。在未来几年内,将会兴建几...
[期刊论文] 作者：David Lammers,,
来源：集成电路应用 年份：2008
据Sematech研究员Rusty Harris所述,CMOS技术未来可能会从现今半导体工业的(100)取向硅晶圆转向使用(110)取向的晶圆。根According to Sematech researcher Rusty Harris,...
[期刊论文] 作者：David Lammers,,
来源：集成电路应用 年份：2008
研究小组正对异质半导体的研究做出不断的努力,采用外延技术淀积比单晶硅材料迁移率更高的材料,并将其作为扩展CMOS技术的一种方法。异质器件可以在硅晶圆上制作,举例来说,可...
[期刊论文] 作者：David Lammers,,
来源：集成电路应用 年份：2008
在高性能晶体管领域,IBM Corp.的主要对手通常是Intel。然而,今年IBM的工程师们从在美国Honolulu召开的2008年VLSI技术论坛返回时,讨论的却是如果在32 nm工艺代,IBM及其伙伴...
[期刊论文] 作者：David Lammers,,
来源：集成电路应用 年份：2008
斯坦福大学的研究人员使用多层碳纳米管(MW-CNT)构成导线,使互连线传输频率首次达到千兆赫兹的传输性能。斯坦福大学电子工程系教授H.-S.Philip Wong及其博士生Gael Close表...
[期刊论文] 作者：David Lammers,,
来源：集成电路应用 年份：2008
经过长达六年时间的开发,Freescale Semiconductor Inc. 开发的再分布封装(RCP)技术即将进入早期商业生产阶段,该公司的RCP运营经理Navjot Chhabra这样介绍。Chhabra称,5月初...
[期刊论文] 作者：David Lammers,,
来源：集成电路应用 年份：2008
IBM T.J.Watson研究中心的科学家们发现,相对于单层石墨烯,双层石墨烯可以更有效地抑制噪声。作为后硅时代CMOS器件的一个有力竞争者,这一发现使得石墨烯的希望大增。石墨烯...
[期刊论文] 作者：David Lammers,,
来源：集成电路应用 年份：2008
Intel逻辑技术研发部工艺架构和集成主管Mark Bohr介绍说,当开始计划生产22nm的微处理器产品时,Intel认为在2011年前极紫外(EUV)光刻技术都不会是一项具有生产价值的技术。...
[期刊论文] 作者：David Lammers News Editor,
来源：集成电路应用 年份：2008
在光掩膜工业中,铬合金已经令人满意地被使用了几十年,它可能渐渐被一种更好的合金硅化钼（MoSi）所取代。...
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