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[期刊论文] 作者：J.P.Colinge,陈其林,
来源：微电子学 年份：1989
数值模拟表明,薄膜全耗尽(FD)SOI器件的电位和电场分布,与较厚的部分耗尽(PD)SOI器件中所观测到的大不相同;漏电场和源势垒的降低使扭曲效应大为减小。...
[期刊论文] 作者：J.P.Colinge,任丽敏,
来源：微电子学 年份：1986
在绝缘层上激光再结晶硅中制作结体管业已实现。用氮化硅抗反射窄条,使硅在激光扫描退火后的边缘变陡。抗反射窄条可以精确控制晶粒边界的位置。晶粒边界在标准的LOCOS工艺中...
[期刊论文] 作者：J.P.Colinge,陈其林,
来源：微电子学 年份：1989
数值模拟表明,薄膜全耗尽(FD)SOI器件的电位和电场分布,与较厚的部分耗尽(PD)SOI器件中所观测到的大不相同;漏电场和源势垒的降低使扭曲效应大为减小。Numerical simulatio...
[期刊论文] 作者：J.P.Colinge,常桂兰,
来源：微电子学 年份：1986
选择性退火技术(在有图形的抗反射涂层的下面激光退火)已成功应用于生长很大(20微米×3000微米)的硅单晶。用常规光刻工艺控制晶粒的边界位置,所获得的晶粒是近乎完美的矩形...
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