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[会议论文] 作者：Cai-qun YE,Lin LUO,Xiao-rong GAO,
来源：2016远东无损检测新技术论坛 年份：2016
超声无损检测系统中检测材料内部不均匀及表面的不平整直接影响超声合成孔径成像质量。针对超声探伤检测工业的实际应用领域，超声声场的声压分布特性可以充分地体现被检测构件内部的结构特性。工业上常利用散射声场的反射声压信号通过声电转换成数字信号，进行研究......
[期刊论文] 作者：Luo Xiao-Rong,Wang Yuan-Gang,Deng Hao,Florin Udrea,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2010
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,A new structure and its analytical model for the vertical interface electric field of a partial-SOI
[期刊论文] 作者：Hu Sheng-Dong,Zhang Bo,Li Zhao-Ji,Luo Xiao-Rong,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2010
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[期刊论文] 作者：Fan Jie,Zhang Bo,Luo Xiao-Rong,Li Zhao-Ji,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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[期刊论文] 作者：Fan Jie,Wang Zhi-Gang,Zhang Bo,Luo Xiao-Rong,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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,A dual-gate and dielectric-inserted lateral trench insulated gate bipolar transistor on a silicon-o
[期刊论文] 作者：Fu Qiang,Zhang Bo,Luo Xiao-Rong,Li Zhao-Ji,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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[期刊论文] 作者：FAN Jie,ZHANG Bo,LUO Xiao-Rong,LI Zhao-Ji,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2013
A novel silicon-on-insulator (SOI) trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) with a reduced specific on-resistance (Ron,sp) is presented...
,Low on-resistance high-voltage lateral double-diffused metal oxide semiconductor with a buried impr
[期刊论文] 作者：Wu Wei,Zhang Bo,Luo Xiao-Rong,Fang Jian,Li Zhao-Ji,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2014
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[期刊论文] 作者：Wu Li-Juan,Hu Sheng-Dong,Luo Xiao-Rong,Zhang Bo,Li Zhao-Ji,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2011
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[期刊论文] 作者：Wu Li-Juan,Hu Sheng-Dong,Zhang Bo,Luo xiao-Rong,Li Zhao-Ji,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2011
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,High-voltage super-junction lateral double-diffused metal-oxide semiconductor with a partial lightl
[期刊论文] 作者：Wu Wei,Zhang Bo,Fang Jian,Luo Xiao-Rong,Li Zhao-Ji,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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[会议论文] 作者：Chao RAN,Lin LUO,Xiao-rong GAO,Ze-yong Wang,Jin-long LI,
来源：2016远东无损检测新技术论坛 年份：2016
The previous studies of real-time imaging process use direct delay calculation design on FPGA,because the restricting number of memory on chip.In this paper,to achieve higher frequency,a look-up table...
[期刊论文] 作者：WANG Zhuo,LI Peng-Cheng,ZHANG Bo,FAN Yuan-Hang,XU Qing,LUO Xiao-Rong,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2015
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[期刊论文] 作者：Zhang Wen-Tong,Wu Li-Juan,Qiao Ming,Luo Xiao-Rong,Zhang Bo,Li Zhao-Ji,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2012
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,A new analytical model for the surface electric field distribution and breakdown voltage of the SOI
[期刊论文] 作者：Hu Xia-Rong,Zhang Bo,Luo Xiao-Rong,Wang Yuan-Gang,Lei Tian-Fei,Li Zhao-Ji,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2012
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[期刊论文] 作者：Luo Xiao-Rong,Yao Guo-Liang,Chen Xi,Wang Qi,Ge Rui,Florin Udrea,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2011
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[期刊论文] 作者：Zhou Kun,Luo Xiao-Rong,Fan Yuan-Hang,Luo Yin-Chun,Hu Xia-Rong,Zhang Bo,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2013
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[期刊论文] 作者：FAN Yuan-Hang,LUO Xiao-Rong,WANG Pei,ZHOU Kun,ZHANG Bo,LI Zhao-Ji,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2013
A novel silicon-on-insulator (SO1) metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) with a high figure of merit (FOM) is proposed.The device features...
[期刊论文] 作者：Shi Xian-Long,Luo Xiao-Rong,Wei Jie,Tan Qiao,Liu Jian-Ping,Xu Qing,Li Peng-Cheng,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2014
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[期刊论文] 作者：Luo Yin-Chun,Luo Xiao-Rong,Hu Gang-Yi,Fan Yuan-Hang,Li Peng-Cheng,Wei Jie,Tan Qiao,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2014
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