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[期刊论文] 作者：王雷,孙国胜,高欣,赵万顺,张永兴,曾一平,李晋闽,
来源：半导体学报 年份：2005
化学气相沉积(CVD)是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术.为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在偏向方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上,利用台阶控制生长技术进...
[期刊论文] 作者：王建林,王良臣,曾一平,刘忠立,杨富华,白云霞,
来源：半导体学报 年份：2005
设计了一种带有Al0.22Ga0.78As／In0.15Ga0.85As／GaAs发射极空间层和GaAs／In0.15Ga0．85As／GaAs量子阱的共振隧穿二极管(RTD)材料结构，并且成功地制作了相应的RTD器件．在室温下，测试了R...
[期刊论文] 作者：高欣,孙国胜,李晋闽,赵万顺,王雷,张永兴,曾一平,
来源：半导体学报 年份：2005
采用自行设计的水平冷壁低压化学气相沉积(LPCVD)方法在偏向〈1120〉晶向8°的n型4H SiC(0001)衬底上进行了同质外延生长.在5 3×103Pa的低压下,外延膜生长速率超过3μm/h.电...
[期刊论文] 作者：王建林,王良臣,曾一平,刘忠立,杨富华,白云霞,
来源：半导体学报 年份：2005
设计了一种带有Al0 .2 2 Ga0 .78As/In0 .15Ga0 .85As/GaAs发射极空间层和GaAs/In0 .15Ga0 .85As/GaAs量子阱的共振隧穿二极管 (RTD)材料结构 ,并且成功地制作了相应的RTD器...
[期刊论文] 作者：冉军学,王晓亮,王翠梅,王军喜,曾一平,李晋闽,
来源：半导体学报 年份：2005
对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性的影响.发现基区的设计对频率性能影响很...
[期刊论文] 作者：冉军学, 王晓亮, 胡国新, 王军喜, 李建平, 曾一平, 李晋,
来源：半导体学报 年份：2005
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[期刊论文] 作者：冉军学,王晓亮,胡国新,王军喜,李建平,曾一平,李晋闽,
来源：半导体学报 年份：2005
用MOCVD技术在50mm蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN：Mg外延膜，对样品进行热退火处理并作了Hall、双晶X射线衍射(DCXRD)和室温光致发光谱(PL)测试．Hall测试结果表明，950℃退火后空...
[期刊论文] 作者：孙国胜,王雷,巩全成,高欣,刘兴昉,曾一平,李晋闽,
来源：人工晶体学报 年份：2005
本文报道用在Si台面及热氧化SiO2衬底上3C-SiC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为SiH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜...
[期刊论文] 作者：孙国胜,王雷,巩全成,高欣,刘兴日方,曾一平,李晋闽,,
来源：人工晶体学报 年份：2005
本文报道用在S i台面及热氧化S iO2衬底上3C-S iC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为S iH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描...
[期刊论文] 作者：王晓峰,曾一平,王保强,朱占平,杜晓晴,李敏,常本康,
来源：半导体学报 年份：2005
研究了变掺杂浓度结构对GaAs负电子亲和势光电阴极积分光电灵敏度的影响．通过MBE生长了两组GaAs同质外延样品．其中一组采用了均匀掺杂的单层结构，Be掺杂浓度为1×10^19cm^-3...
[期刊论文] 作者：王晓峰,曾一平,王保强,朱占平,杜晓晴,李敏,常本康,
来源：半导体学报 年份：2005
研究了变掺杂浓度结构对GaAs负电子亲和势光电阴极积分光电灵敏度的影响.通过MBE生长了两组GaAs同质外延样品.其中一组采用了均匀掺杂的单层结构,Be掺杂浓度为1×1019cm-3;另...
[期刊论文] 作者：孙国胜,宁瑾,高欣,攻全成,王雷,刘兴昉,曾一平,李晋闽,
来源：人工晶体学报 年份：2005
利用台阶控制外延生长技术在偏晶向Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长研究,衬底温度为1500℃,在厚度为32μm、载流子浓度为2～5×1015cm-3的外延材料上制备出了反向阻...
[期刊论文] 作者：孙国胜,宁瑾,高欣,攻全成,王雷,刘兴日方,曾一平,李晋闽,,
来源：人工晶体学报 年份：2005
利用台阶控制外延生长技术在偏晶向S i-面衬底上进行了4H-S iC的同质外延生长研究,衬底温度为1500℃,在厚度为32μm、载流子浓度为2~5×1015cm-3的外延材料上制备出了反向阻...
[期刊论文] 作者：王晓峰,黄风义,孙国胜,王雷,赵万顺,曾一平,李海鸥,段晓峰,
来源：半导体学报 年份：2005
在一组具有不同厚度表层硅的SOI衬底上异质外延SiC薄膜．Raman测试结果表明，SiC薄膜中的残存应力随着表层硅厚度的减薄而降低，采用力平衡原理和重合位置点阵模型对SiC外延层中的...
[期刊论文] 作者：肖红领,王晓亮,张南红,王军喜,刘宏新,韩勤,曾一平,李晋闽,
来源：半导体学报 年份：2005
采用低温氮化铟(InN)缓冲层，利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN外延膜．用光学显微镜观察所外延的InN单晶薄膜，表面无铟滴．I......
[期刊论文] 作者：肖红领,王晓亮,韩勤,王军喜,张南红,徐应强,刘宏新,曾一平,
来源：半导体学报 年份：2005
由于生长InN所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此在生长InN时In原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.通过研究Ⅴ/...
[期刊论文] 作者：肖红领,王晓亮,韩勤,王军喜,张南红,徐应强,刘宏新,曾一平,
来源：城市道桥与防洪 年份：2005
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：王晓峰,黄风义,孙国胜,王雷,赵万顺,曾一平,李海鸥,段晓峰,
来源：半导体学报 年份：2005
在一组具有不同厚度表层硅的SOI衬底上异质外延SiC薄膜.Raman测试结果表明,SiC薄膜中的残存应力随着表层硅厚度的减薄而降低.采用力平衡原理和重合位置点阵模型对SiC外延层中...
[会议论文] 作者：巩全成,宁瑾,孙国胜,高见头,王雷,李国花,曾一平,李晋闽,李思渊,
来源：第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2005
本文采用ICP等离子体刻蚀工艺,以CHF3、SF6和O2作为刻蚀气体,对生长在SiO2上的多晶3C-SiC膜进行了刻蚀工艺研究,得出来优化的刻蚀条件,该刻蚀条件具有较快的刻蚀速率并且可以获得较陡直的侧墙.不同的刻蚀气体对刻蚀速率有明显的影响,用纯CHF3或CHF3与O2的混合气......
[期刊论文] 作者：刘喆,王军喜,李晋闽,刘宏新,王启元,王俊,张南红,肖红领,王晓亮,曾一平,,
来源：半导体学报 年份：2005
采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γAl2O3材料作为新型过渡层,在Si(001)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γAl2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过...
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