搜索筛选:
搜索耗时0.7977秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 515 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：曾一平,
来源：科技创新导报 年份：2016
摘 要：该报告围绕大失配异质体系的应力调控和外延生长动力学这一重要科学问题，从基于图形衬底外延成核入手，研究了大失配外延的成核机理，外延掺杂机理，优化了GaN基蓝光量子阱LED的外延结构生长和设计，提出了新型掺杂技术，进而有效提高了GaN LED结构材料的内量子效率；此......
[期刊论文] 作者：曾一平,,
来源：湖南有色金属 年份：1991
本文研究了COD_(Cr)测定时氟离子的干扰及消除方法,克服汞造成的二次污染,以及废银的回收方法。In this paper, the interference and elimination of fluoride ions in CO...
[期刊论文] 作者：曾一平,,
来源：好家长 年份：2016
由于学困生的学习习惯从小就没有养成、缺乏科学的学习方法,有的是受到社会、家庭、学校负面因素的影响,造成学习成绩长期达不到教学大纲所规定要求的水准,在思想上也有很大...
[期刊论文] 作者：曾一平,
来源：小学教学参考(综合) 年份：2006
青春期是由儿童向成人转变的一段重要时期，年龄在10至20岁之间。处于青春期的学生容易出现心理问题，影响学生思想性格的形成和身心的健康成长。如何提高青春期教育有效性呢？ 一、选好青春期教育的切入点 笔者认为，要实施有效的教育，就必须让学生正确认......
[期刊论文] 作者：曾一平,,
来源：音乐大观 年份：2011
一、概述本课是小学四年级的一堂音乐课《红蜻蜓》。本节课所需课时为1课时,40分钟。《红蜻蜒》是一首广泛流传的日本儿童歌曲。采用3/4拍、宫调式,全曲只有8小节,为上、下乐...
[期刊论文] 作者：曾一平,
来源：独生子女 年份：2005
独生子女在成长过程中,除了父母无微不至的照顾,缺乏同龄兄弟姐妹一起成长的经验,对他们有什么影响?跌倒、打破杯子都有父亲呵护的独生女邬长虹,以及考到好成绩,父母也不打赏...
[会议论文] 作者：曾一平,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术的不断进步,推动了化合物半导体材料及器件的不断发展,而半导体物理的新理论、新器件、新材料的提出、又带动了MOCVD技术的不断进步.近几年,半导体照明产业的高速发展,不仅带动了MOCVD装备产业的高速发展,也极大推动了MOCVD设备......
[期刊论文] 作者：刘超,曾一平,,
来源：半导体技术 年份：2009
窄禁带的锑化物半导体材料近年来被国际上公认为第三代超高速、超低功耗集成电路和第三代焦平面阵列红外探测器的首选材料体系。概述了它们独特的能带结构和物理特性及其为各...
[期刊论文] 作者：李东临, 曾一平,,
来源：北京石油化工学院学报 年份：2008
利用有限差分法对δ掺杂InAlAs/InGaAs异质结进行了理论研究,通过对schr dinger方程和Poisson方程的自洽求解,得到器件中二维电子气（2DEG）面密度、势阱中电子子能级以及每一子...
[期刊论文] 作者：赵杰, 曾一平,,
来源：物理 年份：2011
第三代太阳能电池以超高效率、薄膜化、低成本为主要目标,目前发展起来的有多结叠层太阳能电池、中间带太阳能电池、多激子产生太阳能电池、热载流子太阳能电池和热光伏太阳...
[期刊论文] 作者：宋珂,曾一平,
来源：光电子．激光 年份：1997
采用分子束外延技术生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱得多量子阱材料。采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器。波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下......
[期刊论文] 作者：曾一平,何政,
来源：华东科技（综合） 年份：2020
《装配式建筑评价标准》GB/T51129-2017（以下简称“本标准”）正式实施之后，装配式建筑的认定方面有了全国统一标准。首先介绍了本标准“立足当前实际、适度面向发展、简化评价操......
[期刊论文] 作者：杨佶,曾一平,,
来源：牡丹江大学学报 年份：2013
法学是一门实践性学科,培养符合法律职业要求的、富有时代创新精神和实践品格的高素质、综合型的法律人才,需要创新法学实践教学模式。模拟审判作为一种介乎于法学教育的理论...
[期刊论文] 作者：曹昕,曾一平,
来源：半导体学报 年份：2000
用ＭＢＥ方法制备的ＰＨＥＭＴ微结构材料，其２ＤＥＧ浓度随材料结构的不同在２．０－４．０×１０＾１２ｃｍ＾－２之间，室温霍耳迁移率在５０００－６５００ｃｍ＾２·Ｖ＾－１·ｓ＾－１之间，制备在ＰＨＥＭＴ器件，栅长为０．７μｍ的器件的直流特性：Ｉｄｓｓ～２８０ｍＡ／ｍｍ，Ｉｍａｘ～５２０－５８０ｍＡ／ｍｍ，ｇｍ～３２０－４００ｍＳ／ＭＭ，ＢＶＤＳ〉１５Ｖ（ＩＤＳ＝１ｍＡ／ｍｍ），ＢＶＧＳ〉１０Ｖ，微波特......
[期刊论文] 作者：潘栋,曾一平,
来源：半导体学报 年份：1997
通过包括所有可能的高阶衍射波，本文计算了最子进红外探测器一维光栅的光谱响应，发现一维光栅有很宽的光谱范围，可以同时覆盖３￣５μｍ和８￣１４μｍ两个波段，这将有益于红外焦平面列阵和双色探测......
[期刊论文] 作者：邓小强,曾一平,
来源：安徽医科大学学报 年份：1995
硬膜外腔注入不同剂量吗啡术后镇痛效果分析邓小强，曾一平硬膜外腔注入吗啡术后镇痛，不仅能减轻术后病人的痛苦，还可帮助病人尽早活动，减少术后并发症，安全度过围术期。但其主要副......
[期刊论文] 作者：方光光,曾一平,
来源：同济医科大学学报 年份：1995
苄基四氢巴马丁是一种源于植物的四氢巴马丁的衍生物。在离体大鼠膀胱平滑肌上ＢＴＨＰ能使ＫＣｌ量效曲线和电刺激所致膀胱收缩的频率－效应曲线左移，最大效应增加，而钾通道开放剂吡那地尔（Ｐｉｎａｃｉｄｉｌ，Ｐｉｎ）则使......
[期刊论文] 作者：潘栋,曾一平,
来源：半导体学报 年份：1997
在本文，我们用一个低组分的ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ缓冲层（ｘ￣０．０１），有效地限制了５０周期的Ｉｎ０．３Ｇａ０．７Ａｓ／ＧａＡｓ应变超晶格本身弛豫所产生的位错，Ｘ射线双晶衍射测量结果表明使用这样缓冲层的超昌格质量明显改善，可以观察到１２级卫星峰，而在没......
[期刊论文] 作者：宋珂,曾一平,
来源：科技通报 年份：1997
采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了具有ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层的单量子阱和多量子阱材料。采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料成功地用于制作量子阱激光器。波长为７７８ｎｍ的激光器，最低......
[期刊论文] 作者：王红梅,曾一平,
来源：半导体学报 年份：1998
本文在国内首次报道了利用ＩｎＡｓ外延薄膜制作霍尔器件，通过分子束外延技术在ＧａＡｓ衬底上生长的ＩｎＡｓ薄膜具有较高的迁移率和较好的温度特性。用这种材料制作的霍尔器件在每千欧姆内阻条件下灵......
相关搜索：
