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[会议论文] 作者：徐岳生,张春玲,刘彩池,唐蕾,郎益谦,郝景臣,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
半绝缘砷化镓(SI-GaAs)衬底的质量对离子注入器件的性能有重要影响,其中位错和微缺陷是主要因素.本文采用超声AB腐蚀法,熔融KOH腐蚀法、TEM和PL Mapping技术,系统的研究了位...
[会议论文] 作者：徐岳生,刘彩池,王海云,郝秋艳,张春玲,张雯,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文通过对晶体生长过程中的马兰哥尼对流的研究,探讨了控制马兰哥尼对泫,可以控制熔硅自由表面SiO的挥发,从而达到控制硅单晶中氧含量的目的....
[期刊论文] 作者：徐岳生, 杨新荣, 郭华锋, 唐蕾, 刘彩池, 王海云, 魏,
来源：稀有金属 年份：2004
通过化学腐蚀(AB腐蚀液)、金相显微镜观察、透射电镜(TEM)及能谱分析(EDX),对LEC法生产的半绝缘砷化镓( SI-GaAs)单晶中碳的微区分布进行了分析.其结果表明: 碳的微区分布与...
[期刊论文] 作者：朱军山,徐岳生,郭宝平,刘彩池,冯玉春,胡加辉,
来源：半导体学报 年份：2005
利用LP-MOCVD技术在Si（111）衬底上，用不同温度生长AlN缓冲层，再在缓冲层上外延GaN薄膜．采用高分辨率双晶X射线衍射（DCXRD）技术和扫描电子显微镜（SEM）分析这些样品，比较缓冲层生长温度对......
[期刊论文] 作者：朱军山,胡加辉,徐岳生,刘彩池,冯玉春,郭宝平,
来源：稀有金属 年份：2005
利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上, 以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜, 得到GaN(0002)和(10-12)的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM)分别为721和840...
[期刊论文] 作者：朱军山,赵丽伟,孙世龙,滕晓云,刘彩池,徐岳生,
来源：液晶与显示 年份：2006
用不同温度的AIN缓冲层在Si（111）衬底上外延GaN薄膜。通过对薄膜表面扫描电子显微镜（SEM）和高分辨率双晶X射线衍射（DCXRD）的分析，研究了缓冲层生长温度对外延层表面形貌的影响，分析解......
[会议论文] 作者：赵丽伟,刘彩池,滕晓云,郝秋艳,孙世龙,徐岳生,
来源：华北地区硅酸盐学会第八届学术技术交流会 年份：2005
本文研究了在硅衬底上生长的GaN中位错的分布与传播.利用湿法腐蚀有效地显示了GaN中的位错,表面的六角腐蚀坑即为位错露头.在KOH溶液中腐蚀,腐蚀时间越长,蚀坑密度越高,...
[期刊论文] 作者：徐岳生,杨新荣,王海云,唐蕾,刘彩池,魏欣,覃道志,
来源：物理学报 年份：2005
通过AB腐蚀 (由Abrahams和Buiocchi发明的腐蚀方法 ,简称AB腐蚀 )、KOH腐蚀 ,经金相显微镜观察、透射电子显微镜能谱分析、电子探针x射线微区分析 ,对液封直拉法生长的非掺半...
[期刊论文] 作者：王海云,张春玲,唐蕾,刘彩池,申玉田,徐岳生,覃道志,
来源：稀有金属 年份：2004
砷化镓 (GaAs)为第二代半导体材料 ,GaAs衬底质量直接影响器件性能。利用JEM 2 0 0 2透射电子显微镜 (TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪 (EDXA) ,对半绝缘砷化镓 (SI GaAs)...
[期刊论文] 作者：徐岳生,杨新荣,郭华锋,唐蕾,刘彩池,王海云,魏欣,
来源：稀有金属 年份：2004
通过化学腐蚀 (AB腐蚀液 )、金相显微镜观察、透射电镜 (TEM)及能谱分析 (EDX) ,对LEC法生产的半绝缘砷化镓 (SI GaAs)单晶中碳的微区分布进行了分析。其结果表明 :碳的微区...
[会议论文] 作者：付生辉[1]刘彩池[1]王海云[1]徐岳生[1]郝景臣[2],
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
本文研究了LEC SI-GsAs衬底上常见的两种缺陷,AB微缺陷和位错(AB腐蚀液显示出AB微缺陷,密度为10-10cm量级;KOH腐蚀液显示位错,密度为10cm量级).发现衬底上的位错对器件跨导没...
[期刊论文] 作者：李养贤,刘何燕,牛萍娟,刘彩池,徐岳生,杨德仁,阙端鳞,
来源：物理学报 年份：2002
对经中子辐照的直拉硅中的本征吸除效应进行了研究 .结果表明 :经中子辐照后 ,直拉硅片经一步短时退火就可以在硅片表面形成完整的清洁区 .清洁区宽度受辐照剂量和退火温度所...
[期刊论文] 作者：胡加辉,朱军山,冯玉春,张建宝,李忠辉,郭宝平,徐岳生,
来源：发光学报 年份：2005
利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射...
[期刊论文] 作者：徐岳生,刘彩池,王海云,张维连,杨庆新,李养贤,任丙彦,刘福贵,
来源：中国科学E辑:工程科学 材料科学 年份：2004
研究了磁场直拉硅单晶生长.采用钕铁硼(NdFeB)永磁磁体,向硅熔体所在空间引入Cusp磁场.当坩埚边缘磁感应强度达到0.15T时,熔硅中杂质输运受扩散控制.熔硅自由表面观察到明显...
[期刊论文] 作者：赵丽伟,刘彩池,滕晓云,郝秋艳,朱军山,孙世龙,王海云,徐岳生,冯玉春,郭宝平,,
来源：半导体学报 年份：2006
采用1000W卤钨灯作为光源,对GaN外延膜在KOH溶液中进行化学腐蚀,以显示晶体位错.采用扫描电子显微镜、原子力显微镜观察位错密度及表面形貌,得到了清晰的腐蚀图形.提出了腐蚀...
[会议论文] 作者：赵丽伟,郭宝平,刘彩池,郝秋艳,滕晓云,朱军山,孙世龙,王海云,徐岳生,冯玉春,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长GaN外延片.双晶X射线衍射(DCXRD)测定晶体质量后进行湿法腐蚀,腐蚀液为KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液.通过原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)观测样品的腐蚀形貌,研究了腐蚀时间、腐蚀液温度......
[会议论文] 作者：赵丽伟[1]郭宝平[2]刘彩池[1]郝秋艳[1]滕晓云[1]朱军山[1]孙世龙[1]王海云[1]徐岳生[1]冯玉春[2],
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长GaN外延片.双晶X射线衍射(DCXRD)测定晶体质量后进行湿法腐蚀,腐蚀液为KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液.通过原...
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