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[期刊论文] 作者：李晋闽,郑海群,曾一平,孔梅影,
来源：红外与毫米波学报 年份：1994
报道具有宽带响应的130元线列GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的研究进展.通过表面光栅耦合,采用垂直入射的工作模式,在T=80K时测得器件探测率的光谱响应曲线的半峰宽为4.3μm...
[期刊论文] 作者：孟祥敏,曾一平,胡魁毅,吴玉琨,
来源：电子显微学报 年份：1993
InSb因具有高的迁移率,长的电子平均自由程及窄的带隙而受到重视。如能在与它有大错配度的GaAs衬底上外延生长出缺陷少的高质量薄膜,可望在光电器件上得到应用。在GaAs(...
[期刊论文] 作者：李国辉,杨茹,于民,曾一平,韩卫,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：段瑞飞,曾一平,王宝强,朱占平,
来源：中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 年份：2002
本文使用固源分子束外延(SS-MBE),生长了一系列的变生长温度的In0.37Ga0063As/GaAs(001)量子点.通过对生长样品的原子力显微镜(AFM)测量,发现量子点的形貌强烈依赖于其生长温...
[会议论文] 作者：张晓昕,曾一平,王保强,朱占平,
来源：中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 年份：2002
由于共振隧穿二极管(RTD)在超高频方面的优异性能,近年来得到了广泛的重视.本文通过对InGaAs/A1As材料的不同尺寸共振隧穿二极管(RTD)的研究,发现对于不同峰谷比和峰值电流密...
[会议论文] 作者：段瑞飞;曾一平;王宝强;朱占平;,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
大失配异质结构的外延往往会导致SK生长模式的自组织量子点,而生长温度往往对量子点的密度产生很大的影响.为此,我们特意用MBE生长了极低温度下大失配的InGaAs/GaAs外延.结果...
[会议论文] 作者：张晓昕,曾一平,王保强,朱占平,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
在这篇文章中,我们提出了在传统双势垒结构的SPACER层中增加一层δ掺杂的RTD结构,并成功生长出了峰谷比为2.8谷值电流密度为11.8kA/cm性能相对优良的RTD,并发现在一定范围内,...
[期刊论文] 作者：张福厚,陈江华,李树强,于复生,曾一平,
来源：半导体光电 年份：1998
在量子阱半导体激光器结构中采用优化超晶格缓冲层来掩埋衬底缺陷，获得了性能优良的激光器。对超晶格缓冲层所具有的“量子阱陷阱效应”进行了理论分析。In the quantum wel...
[期刊论文] 作者：李晋闽,郑海群,曾一平,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1995
本文报道１０×１６元二维面阵ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器的研究进展．通过表面光栅耦合，采用垂直入射的工作模式，在Ｔ＝８０Ｋ时探测率为２．９×１０（１０）ｃｍ·Ｈｚ（１／２）／Ｗ，电压响应率为１．３×１０４Ｖ／Ｗ．各测试单元间探测率和电压响应率的偏差小于１８％，串音......
[会议论文] 作者：杨茹,李国辉,朱红青,曾一平,张方方,
来源：第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：1999
为了研制光纤通讯用光电三极管，需要在ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ材料中形成Ｐ型基区。选用８０ＫｅＶ４．５×１０〈’１２〉／ｃｍ〈’２〉Ｂｅ〈’＋〉１６０ｋｅＶ４×１０〈’１２〉／ｃｍ〈’２〉Ｂｅ〈’＋〉离子注入ｎ型ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ材料中进行补偿而得到Ｐ型区，Ｃ－Ｖ测试栽流子剖面分布有比较理想的结果，实现了在２７０－６１０ｎｍ深度上的Ｐ型层。为了制作光电晶体管，要腐蚀至Ｐ区，制作基极欧姆接触，在腐蚀速度......
[期刊论文] 作者：顾尔伟,赵庆,刘功传,曾一平,张健,
来源：临床麻醉学杂志 年份：2002
目的观察异氟醚与咪唑安定或丙泊酚联合应用对心肺转流(CPB)心内直视手术心肌缺血/再灌注期血清心肌肌钙蛋白Ⅰ(cTnⅠ)的影响.方法 50例先心、房或室间隔缺损择期行心内直视...
[会议论文] 作者：于磊,潘量,曾一平,李晋闽,孔梅影,
来源：第三届全国机械工程材料青年学术年会 年份：1998
该文报道了用分子束外延（ＭＢＥ）、自组织法生长低组分、低应变量子点超晶格Ｉｎ〈，ｘ〉Ｇａ〈，１－ｘ〉Ａｓ／ＧａＡｓ材料（样品组分为０．２８），量子点的平均尺度为高约１０ｎｍ、直径约３０ｎｍ，低温下（１５Ｋ）荧光谱（ＰＬ）测其发光峰位在１．２５９ｅＶ、半高宽为６３ｍｅＶ，红外吸收测......
[会议论文] 作者：曹昕,曾一平,孔梅影,潘量,陈堂胜,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：周宏伟,曾一平,潘量,王宝强,孔梅影,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：曾一平,干岭,丁玉珍,戴秀萍,张野,
来源：安徽医科大学学报 年份：1998
目的观察硬膜外吗啡镇痛对经胸食道癌根治术病人术后心肌缺血的影响。方法２２例手术病人随机分成镇痛组（ｎ＝１２）和对照组（ｎ＝１０），镇痛组在手术结束之前硬膜外注入吗啡０．０４ｍｇ·ｋｇ－１，二组均应用Ｈｏｌｔｅｒ连续监测术毕后......
[期刊论文] 作者：方光光,王学仁,曾一平,苏学宁,黄岚,
来源：中国医院药学杂志 年份：1992
pinacidil(吡那地尔)是胍/硫脲类钾通道开放剂,为消旋体。Lemakalim(BRL38227)为苯并吡喃类钾通道开放剂,为Cromakalim的左旋体。国外近几年已开展了关于这类药物的研究,主...
[期刊论文] 作者：周海平,郑厚植,杨富华,曾一平,苏爱民,
来源：半导体学报 年份：1989
本文研究了利用分子束外延技术(MBE)生长的GaAs/P型Al_xGa_(1-x)As异质结构中的二维空穴的整数量子Hall效应(IQHE)、以及空穴复杂子带结构对IQHE的影响;讨论了在弱磁场区产生...
[期刊论文] 作者：段海龙,王启明,吴荣汉,曾一平,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1991
通过对室温光电流谱的测量,研究了电场对多层量子阱结构中激子吸收行为的影响,分析了不同MQW材料的吸收谱的电场效应及有关光电子器件对材料的要求.The effect of electric...
[期刊论文] 作者：张福厚,宋珂,邢建平,郝修田,曾一平,
来源：中国激光 年份：1997
在衬底表面制作超晶格缓冲层可以有效地掩埋体材料的缺陷，使阈值电流大幅度降低，光功率成倍增长。所研制出的量子阱激光器室温脉冲平均线性光功率大于２０ｍＷ（未镀反射膜），波长为７７８ｎｍ，最低阈值......
[会议论文] 作者：于磊,潘量,曾一平,李晋闽,孔梅影,
来源：第三届全国机械工程材料青年学术年会 年份：1998
该文报道了用分子束外延（ＭＢＥ）、自组织法生长低组分、低应变量子点超晶格Ｉｎ〈，ｘ〉Ｇａ〈，１－ｘ〉Ａｓ／ＧａＡｓ材料（样品组分为０．２８），量子点的平均尺度为高约１０ｎｍ、直径约３０ｎｍ，低温下（１５Ｋ）荧光谱（ＰＬ）测其发光峰位在１．２５９ｅＶ、半高宽为６３ｍｅＶ，红外吸收测量表明：正入射下在１４～１５μｍ有着强烈吸收。......
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