【摘 要】
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在这篇文章中,我们提出了在传统双势垒结构的SPACER层中增加一层δ掺杂的RTD结构,并成功生长出了峰谷比为2.8谷值电流密度为11.8kA/cm性能相对优良的RTD,并发现在一定范围内,
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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在这篇文章中,我们提出了在传统双势垒结构的SPACER层中增加一层δ掺杂的RTD结构,并成功生长出了峰谷比为2.8谷值电流密度为11.8kA/cm<2>性能相对优良的RTD,并发现在一定范围内,增加δ掺杂的浓度可以提高RTD的峰谷比,降低谷值电流密度,从而提高了RTD的整体性能.这可能是因为增加δ掺杂浓度后,增加了势垒前的势阱的深度,使得由热电子激发越过势垒的几率减小的缘故.我们的这项工作为以后RTD与其他器件的集成作好了准备,并为集成器件以后的应用打好了基础.
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