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[期刊论文] 作者：董浩,邓宁,陈培毅,
来源：世界科技研究与发展 年份：2005
作为纳米电子学的一个重要分支,分子电子学在近年来得到了巨大的发展,并成为国际上研究的热点。本文介绍了各种分子器件的制作技术及基本工作原理,回顾了近年来分子电子学的...
[期刊论文] 作者：高玉麒, 陈培毅,,
来源：科学技术创新 年份：2004
本文在回顾我国南方地区出现持续阴雨天气的基础上,分析了这种天气对生产、生活和人的身心健康的影响。此次持续阴雨天气形成原因主要是来自我国西部的过度活跃南支槽带来的...
[期刊论文] 作者：王瑞忠,陈培毅,
来源：半导体学报 年份：1997
本文提出了一种适合对光敏元的响应特性为非线性的红外焦平面陈列进行不均匀性校正的改进算法。与现有算法相比，该法具有便于用软件和硬件实现的优点。同时，通过对改进前后的算......
[期刊论文] 作者：罗广礼,陈培毅,
来源：真空科学与技术 年份：2000
研制成功了一台超高真空化学气相沉积系统。该系统采用扁平石英管作为生长室，扁平石墨加热器进行加热。系统真空度用分子泵维持，本底真空度可达２×１０＾－６Ｐａ。利用该系统所生长的ＳｉＧｅ外延......
[期刊论文] 作者：陈培毅,刘辉阳,
来源：管理观察 年份：2011
在经济成分多元化、利益主体多样化的今天，伴随着电视、网络等传媒的日益发展，团员青年的思想观念、价值取向和思维方式发生新的变化。企业共青团工作如果不改革不创新，就很难吸......
[期刊论文] 作者：董浩,陈培毅,邓宁,
来源：微纳电子技术 年份：2010
提出一种新型的电流驱动对称磁多层结构纳米自旋传输矩微波振荡器结构。由两个铁磁膜组成，具有相同厚度，中间被一薄的非磁层隔开。纳米磁多层柱的上、下都有金属层作为电极。一......
[期刊论文] 作者：毛陆虹,陈培毅,
来源：微电子学 年份：2000
在常规混合模式晶体管的基础上，提出了一种新的器件结构－Ｓｉ－Ｇｅ异质结基区Ｂｉ－ＭＯＳ混合模式晶体管（ＢＭＨＭＴ）。由于基区采用禁带宽度较窄的Ｓｉ－Ｇｅ合金材料，引起空穴向发射区反注入的势垒提高，这样，一方面减小了空......
[期刊论文] 作者：陈培毅,王瑞忠,
来源：半导体技术 年份：1997
对ＭＢＥ生长的ＧｅｘＳｉ１－ｘ使合金膜用Ｒａｍａｎ光谱分析了其中的组分和应力，发现较厚的ＧｅＳｉ膜应变较小，说明随着膜厚的增加，合金膜内原排列发生驰豫。...
[会议论文] 作者：陈培毅;王瑞忠;,
来源：第五届全国固体薄膜学术会议 年份：1996
对ＭＢＥ生长的Ｇｅｘ Ｓｉ〈，１－ｘ〉合金膜用Ｒａｍａｎ光谱分析了其中的组份和应力，发现较厚的ＧｅＳｉ膜应变较小，说明随着膜厚的增加，合金膜内厚子排列发生了弛豫。２０ｎｍ厚的Ｇｅ〈，０．４〉Ｓｉ〈，０．６〉样品经过ＲＨＴ处理（１０００℃ １０ｓｅｃ），应变减小为原始膜的......
[期刊论文] 作者：王吉林, 刘建设, 陈培毅,,
来源：微纳电子技术 年份：2009
量子计算是一种基于量子力学相干叠加原理的新型计算体系,具有超越传统计算体系的优越性能。超导量子计算因为其在规模可扩展性方面的潜力而得到广泛的重视。超导约瑟夫森结...
[期刊论文] 作者：夏克军,陈培毅,等,
来源：半导体学报 年份：2003
在带有应变SiGe沟道的SOI MOSFET结构中，把栅和衬底相连构成了新型的混合模式晶体管（SiGe SOI BMHMT）。在SIVACO软件的器件数值模拟基础上，对这种结构的P型沟道管工作过程作了分...
[期刊论文] 作者：高玉麒,陈培毅(指导),
来源：科学技术创新 年份：2019
本文在回顾我国南方地区出现持续阴雨天气的基础上,分析了这种天气对生产、生活和人的身心健康的影响。此次持续阴雨天气形成原因主要是来自我国西部的过度活跃南支槽带来的...
[期刊论文] 作者：焦斌,邓宁,陈培毅,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2013
阻变存储器（RRAM）是一种前景非常好的未来通用存储技术,也是当前国际学术界和工业界研究的热点。主要介绍了存储器外围电路的电路设计,并介绍了阻性存储器外围电路,包括验证电......
[期刊论文] 作者：任敏,陈培毅,邓宁,,
来源：微纳电子技术 年份：2011
提出一种改进的自旋转移矩器件的制备工艺:在电子束曝光形成纳米级图形之后,依次采用离子束刻蚀、带胶绝缘层淀积再正胶剥离的图形转移方法,成功制备了纳米柱状赝自旋阀结构...
[期刊论文] 作者：陈培毅,熊晨荣,王燕,
来源：微纳电子技术 年份：2003
隧穿二极管是一种很有前途的基于带隙工程的异质结构量子器件,其电流电压(I-Ⅴ)曲线中所呈现的微分负阻特性能够用于开发多种不同的电路功能.在最近的研究中,空穴型双势垒单...
[期刊论文] 作者：邓宁,陈培毅,李志坚,
来源：物理学报 年份：2004
研究了自组织生长SiGe岛(量子点)中Si组分对形状演化的影响.采用UHV/CVD方法生长了不同Si组分的SiGe岛,用AFM对其形状和尺寸分布进行了分析,实验结果表明SiGe岛从金字塔形向...
[期刊论文] 作者：史进,黄文涛,陈培毅,
来源：半导体学报 年份：2004
通过参数调整和工艺简化,制备了应变Si沟道的SiGe NMOS晶体管.该器件利用弛豫SiGe缓冲层上的应变Si层作为导电沟道,相比于体Si器件在1V栅压下电子迁移率最大可提高48.5%....
[会议论文] 作者：陈培毅,董浩,任敏,邓宁,
来源：2010(第三届)中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2010
当自旋极化的直流电流垂直通过一个纳米自旋阀结构时,会产生自旋传输矩效应,它在两方面具有应用前景：一是电流感应磁开关或stt-RAM,二是自旋传输矩振荡器.后者在片上微波...
[期刊论文] 作者：刘志农,钱佩信,陈培毅,
来源：半导体情报 年份：2000
首先论述了 Si Ge技术的优势、发展历史和应用领域 ,并介绍了 Si Ge工艺和器件的进展 ,最后详细描述了 Si Ge IC的进展Firstly, the advantages, development history and...
[期刊论文] 作者：史进,黄文涛,陈培毅,
来源：半导体学报 年份：2002
通过参数调整和工艺简化 ,制备了应变Si沟道的SiGeNMOS晶体管 .该器件利用弛豫SiGe缓冲层上的应变Si层作为导电沟道 ,相比于体Si器件在 1V栅压下电子迁移率最大可提高 48 5 %...
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