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[期刊论文] 作者：孙国胜,王雷,罗木昌,赵万顺,孙殿照,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：半导体学报 年份：2002
介绍了新近研制出的一种电阻加热式 CVD/ L PCVD Si C专用制备系统 ,并利用该系统以 Si H4、C2 H4和 H2 作为反应气体在直径为 5 0 m m的 Si(10 0 )衬底上获得了高质量的 3C-...
[会议论文] 作者：孙国胜,王雷,赵万顺,罗木昌,孙艳玲,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：第八届全国固体薄膜学术会议 年份：2002
本文报道用低压VCD方法在Si及SiCe/Si衬底上大面积、无坑洞SiC薄膜材料的制备技术及异质结构特征,提高n-SiC/p-Si异质结二极管反向击穿电压....
[会议论文] 作者：孙殿照,胡国新,王万年,王军喜,王晓亮,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了高阻GaN膜并用霍耳测试系统做了外延膜的高温变温电阻率测试和高温单个温度的霍耳测试.分析了自由电子浓度及其迁移率在高温随温度的变化,在此分析的基础上对高温变温电阻率实验数据做了曲线拟合,得到有关......
[期刊论文] 作者：杨国文,肖建伟,徐遵图,张敬明,徐俊英,郑婉华,曾一平,陈良惠,
来源：半导体学报 年份：1994
我们利用分子束外延方法研制了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ缓交折射率分别限制（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ）单量子阱和双量子阱激光器．对腔长为６００μｍ的端面不镀膜的宽接触条型Ｆ－Ｐ腔激光器，阈值电流密度（平均值）分别为２９０Ａ／ｃｍ２和２４０Ａ／ｃｍ２．腔长在１２００μｍ的双量子阱激光......
[期刊论文] 作者：杨国文,肖建伟,徐遵图,郑婉华,曾一平,徐俊英,张敬明,陈良惠,
来源：半导体学报 年份：1995
通过对分子束外延（ＭＢＥ）中影响ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ材料生长的一些关键因素的分析、实验与研究，得到了具有很好晶格完整性和高质量电学、光学特性的ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ单晶材料，实现了７５ｍｍ大面积范围内的厚度、组分和掺杂等......
[期刊论文] 作者：袁瑞霞,阎春辉,国红熙,李晓兵,朱世荣,曾一平,李灵霄,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1996
本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是ＧａＡｓ（１００）衬底上外延的晶格匹配的Ｉｎｙ（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）１－ｙＰ（ｘ＝０～１，ｙ＝０．５），ＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＰ多量子阱；在ＩｎＰ（１００）衬底上外延的ＩｎＰ，晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ以及ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ／ＩｎＡｓＰ多量子阱，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡＳＨＥＭＴ等．外延实验是用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统做的．......
[期刊论文] 作者：胡国新,孙殿照,王晓亮,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰,
来源：材料科学与工艺 年份：2001
用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及A1GaN/GaN极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2×1017cm-3,...
[期刊论文] 作者：孙殿照,刘宏新,王军喜,王晓亮,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：孙殿照,胡国新,王晓亮,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰,
来源：城市道桥与防洪 年份：2001
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：王军喜;王晓亮;孙殿照;刘宏新;胡国新;李晋闽;曾一平;林兰英;,
来源：中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 年份：2002
氮化镓(GaN)材料在蓝、绿光光电子器件和高温、高频大功率微电子器件领域有着广泛的应用,而材料极性对氮化镓材料及器件有着重要的影响.本文用NH3作氮源,采用气源分子束外延(...
[期刊论文] 作者：阎春辉,郑海群,范缇文,孔梅影,曾一平,黄运衡,朱世荣,孙殿照,
来源：半导体学报 年份：1994
本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配异质结材料开展了较为深人的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热力学数据分析表明，Ｓｂ结合到ＧａＡｓｓｂ中的速率比Ａｓ高得多......
[会议论文] 作者：王军喜,王晓亮,孙殿照,刘宏新,胡国新,李晋闽,曾一平,林兰英,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
氮化镓(GaN)材料在光电子和微电子领域具有重要的应用潜力,而材料极性对氮化镓材料及器件都有着重要的影响.我们用NH作氮源,采用气源分子束外延(GSMBE)方法,通过使用RF-MBE(射频等离子体源分子束外延)GaN作为模板,在(0001)蓝宝石衬底(AlO)上生长出了高质量的镓......
[会议论文] 作者：罗木昌,王晓亮,刘宏新,王雷,李晋闽,孙殿照,曾一平,林兰英,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
通过采用短周期的AlN/GaN超晶格和低温AlN夹层,我们首次在国内用气源MBE方法在Si(111)衬底上获得了厚度约为1微米左右的完全无裂纹的GaN外延层.在光学显微镜下可以观察到在原生的薄膜表面的小丘状Ga面特征,并用双晶X射线回摆曲线对外延层的质量进行了评价,我们......
[会议论文] 作者：孙艳玲,兰州大学(兰州),孙国胜,刘肃,王雷,赵万顺,罗木昌,曾一平,林兰英,
来源：2002年中国材料研讨会 年份：2002
本文报道了在p-3C-SiC外延膜上分别用Al和AuGeNi形成欧姆接触的结构和电学特性.采用原位硼烷(BH)掺杂技术在蓝宝石(0001)衬底上用LPCVD方法生长p-3C-SiC外延膜.Hall测量其载流子浓度分别为P=1.33×10cm和P=4.52×10cm.将制得的样品分别在450℃,600℃和710℃下退......
[期刊论文] 作者：胡国新,孙殿照,王晓亮,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：材料科学与工艺 年份：2001
用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF -MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料 .所外延的GaN膜室温背景电子浓度为 2× 10 17cm-3...
[会议论文] 作者：胡国新,王晓亮,孙殿照,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN/GaN周期结构极化感应二维电子气材料.所外延的GaN膜室温背景电子浓度为2.2×10cm,相应的电子迁移率为221cm/Vs;GaN(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为7arcmin;AlN/Ga......
[期刊论文] 作者：王军喜,孙殿照,王晓亮,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,侯洵,林兰英,
来源：应用光学 年份：2001
利用氨气源分子束外延 ( GSMBE)技术 ,在改型 型分子束外延设备上生长高质量 Ga N单晶外延材料 ,并对样品进行了光致发光测量。分析室温和低温光致发光谱 ,系统地研究 Ga N...
[期刊论文] 作者：徐俊英,李立康,张敬明,曾安,傅方正,陈良惠,曾一平,孙殿照,孔梅影,
来源：中国激光 年份：1990
本文报道用国产分子束外延设备研制出波长为850nm AlGaAs/GaAs多量子阱激光器。室温阈值电流密度为980A/cm~2、条宽8μm的激光器最低室温阈值电流为28mA,线性输出功率大于15mW,单面量子微分效率约24％,具有良好的温度特性(温度从-35℃到 30℃范围内,To=361℃)。......
[期刊论文] 作者：孙殿照,王晓亮,胡国新,王军喜,刘宏新,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
用自组装的氨源分子束外延 (NH3-MBE)系统和射频等离子体辅助分子束外延 (PA-MBE)系统在 C面蓝宝石衬底上外延了优质 Ga N以及 Al Ga N/Ga N二维电子气材料。Ga N膜 (1 .2 μ...
[会议论文] 作者：王晓亮;孙殿照;王军喜;胡国新;刘宏新;刘成海;曾一平;李晋闽;林兰英;,
来源：中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 年份：2002
用压电极化和自发极化诱导效应设计了AlxGa1-zN/GaNHEMT结构材料,用MBE方法在蓝宝石衬底上对所设计的材料进行了制备.室温HALL测量结果表明,HEMT结构材料的二维电子气浓度和...
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